賽普拉斯日前推出了 16-Mbit nvSRAM) 系列

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列擴(kuò)展了賽普拉斯的 nvSRAM 產(chǎn)品系列，從而充分滿足了企業(yè)系統(tǒng)固態(tài)硬盤 (SSD)、高端可編程邏輯控制器 (PLC)、存儲系統(tǒng)高速數(shù)據(jù)/錯(cuò)誤日志和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的需求。

16-Mbit nvSRAM 的存取時(shí)間低至 僅25 ns，使其成為市場上速度最快的異步非易失性 RAM。此外，全新器件還提供了可選的集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC)，這是同類競爭解決方案所不具備的特性。RTC 功能可用于給重要的數(shù)據(jù)打上時(shí)間標(biāo)記，以便記錄。賽普拉斯的 nvSRAM 支持無限次讀，寫和恢復(fù)(recall)周期，數(shù)據(jù)保留時(shí)間長達(dá) 20 年，使其成為面向需要連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全性應(yīng)用的業(yè)界最佳解決方案。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁 Babak Taheri 指出：“全新 16-Mbit 系列產(chǎn)品超越了速度、密度和性能的極限，同時(shí)還保持了我們 nvSRAM 產(chǎn)品系列標(biāo)志性的出色可靠性。同步 NAND 接口為賽普拉斯 nvSRAM 開辟了多個(gè)全新的市場，擴(kuò)展了我們整體非易失性解決方案的廣度和靈活性。”

ONFI NAND 接口 nvSRAM 支持 ONFI 3.0 NV-DDR 接口 (100MHz) 和 ONFI 3.0 NV-DDR2 接口 (200MHz)。Toggle NAND 接口 nvSRAM 與 Toggle 2.0 NAND 控制器兼容，支持 DDR 工作在200MHz。

ONFI 和 Toggle 版本都能支持 x8 和 x16 數(shù)據(jù)總線寬度的單通道工作，同時(shí)也支持 x8 位數(shù)據(jù)總線寬度的雙通道和四通道工作，可實(shí)現(xiàn)每秒高達(dá) 4 億次的事務(wù)處理。

供貨情況

16-Mbit nvSRAM 系列目前已開始提供樣片，預(yù)計(jì)將于 2013 年第一季度投入量產(chǎn)。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 內(nèi)核電壓、1.8V IO 電源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封裝。兩款異步器件(帶和不帶 RTC 功能)均可提供 8 位、16 位和 32 位數(shù)據(jù)總線寬度，供電電壓為 2.5V、3V 和 5V。這些器件分別采用了 44 引腳 TSOPII 封裝、48 引腳 TSOPI 封裝和 165 焊球 FBGA 封裝。