IBM研發(fā)出最新多位相變存儲器 提高了數(shù)據(jù)存儲的可靠性

　　IBM的科學(xué)家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節(jié)的數(shù)據(jù)。最新技術(shù)讓人們朝成本更低、速度更快、更耐用的存儲技術(shù)前進了一大步，可廣泛應(yīng)用于包括手機在內(nèi)的消費電子設(shè)備、云存儲以及對性能要求更高的企業(yè)數(shù)據(jù)存儲中。

　　相變存儲器（PCM，Phase Change Memory）兼具速度快、耐用、非揮發(fā)性和高密度性等多種優(yōu)勢于一身，其讀寫數(shù)據(jù)和恢復(fù)數(shù)據(jù)的速度是現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛的非揮發(fā)性存儲技術(shù)閃存 的100倍；斷電時，其仍擁有高超的存儲能力，也不會造成數(shù)據(jù)丟失；而且，PCM能耐受1億次寫循環(huán)，而目前企業(yè)級閃存能耐受3萬次寫循環(huán)，消費級閃存僅 為3000次。

　　PCM利用材料（由各種不同元素組成的合金）從低電阻值的結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變到高電阻值的非結(jié)晶態(tài)中電阻值的變化來存儲數(shù)據(jù)字節(jié)。在一個PCM單元中，相變 材料被放在上下兩個電極之間?？茖W(xué)家可以通過施加不同電壓或不同強度的電流脈沖來控制相變。這些電壓或脈沖會加熱材料，當達到不同的溫度閾值時，材料會從 結(jié)晶態(tài)變?yōu)榉墙Y(jié)晶態(tài)或者相反。

　　電極之間有一些材料會根據(jù)電壓大小的不同發(fā)生相變，從而直接影響存儲器單元的電阻?？茖W(xué)家們利用了這一點，成功地在一個存儲單元中存儲了多個字節(jié)。在最新研究中，科學(xué)家使用四個不同的阻值區(qū)來存儲字節(jié)組合“00”、“01”、“10”和“11”。

　　為了達到一定的可靠程度，科學(xué)家們利用迭代“寫入”方法克服了存儲器單元和相變材料本身的多變性所導(dǎo)致的阻值偏移。使用迭代方法，最差情況下的寫入延遲也只有10微秒，其性能是目前市場上最先進閃存的100倍。

　　另外，為了可靠地讀取數(shù)據(jù)，科學(xué)家還使用先進的調(diào)制編碼技術(shù)解決了阻值漂移（由于非結(jié)晶態(tài)下原子的結(jié)構(gòu)非常松散，相變后，電阻值會隨時間的流逝而增 加，導(dǎo)致讀取數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤）的問題。該編碼技術(shù)的基本原理是：一般情況下，被編碼的電阻值不同的存儲器單元之間的相對順序并不會因為漂移而發(fā)生改變。

　　最新的PCM測試芯片擁有20萬個存儲器單元，該數(shù)據(jù)保存實驗進行了5個月，這意味著多位PCM能達到適合實際使用的可靠性。IBM研究院蘇黎世研 究中心的內(nèi)存和探測器技術(shù)主管Haris Pozidis表示：“迄今為止，科學(xué)家們只在單字節(jié)PCM上證實了可靠的數(shù)據(jù)存儲，這是首次在多位PCM上證實可靠而長 久的數(shù)據(jù)存儲，其首次達到了企業(yè)應(yīng)用所要求的可靠性，我們很快能研制出由多位PCM制造的實用的存儲設(shè)備。PCM將使企業(yè)信息技術(shù)和存儲系統(tǒng)在未來5年發(fā) 生巨大變化?！?