賽普拉斯發(fā)布異步SRAM

　　靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開(kāi)始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準(zhǔn)的數(shù)據(jù)可靠性，而無(wú)需另外的錯(cuò)誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費(fèi)電子和汽車(chē)等應(yīng)用領(lǐng)域里的數(shù)據(jù)安全。

　　背景輻射造成的軟錯(cuò)誤可損壞存儲(chǔ)內(nèi)容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯(cuò)誤校正動(dòng)作，無(wú)需用戶干預(yù)，因而具有業(yè)界最佳的軟錯(cuò)誤(SER)性能。 16Mb快速異步SRAM的存取時(shí)間可達(dá)到10-ns，而且與目前的異步SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設(shè)計(jì)即可提高系統(tǒng)可靠性。

　　賽普拉斯還推出了一款新的快速異步SRAM，其PowerSnooze™功能結(jié)合了快速異步SRAM10-ns的存取時(shí)間和與MoBL系列相當(dāng)?shù)某痛龣C(jī)功耗。PowerSnooze是一種額外的深度睡眠節(jié)能模式，對(duì)于16Mb的SRAM來(lái)說(shuō)，其典型深睡眠電流可低至12 uA。具有PowerSnooze功能的16Mb快速SRAM也可提供片上ECC功能。

　　賽普拉斯異步SRAM事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Sunil Thamaran說(shuō)：“賽普拉斯是世界上無(wú)可爭(zhēng)議的異步SRAM領(lǐng)導(dǎo)者，擁有超過(guò)30年的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)和業(yè)界最寬的產(chǎn)品線。我們具有ECC功能的新型16Mb 異步SRAM是可靠的單片存儲(chǔ)解決方案，可用于高速和低功耗應(yīng)用。我們具有ECC功能的SRAM品種還會(huì)增加。”

　　賽普拉斯的16Mb異步SRAM具有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的x8, x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓(1.8V， 3V和5V)，工作溫度范圍為-40?C 至 +85?C(工業(yè)級(jí))和-40?C 至 +125?C(汽車(chē)級(jí))。

　　供貨情況

　　全新16Mb快速SRAM 和具有PowerSnooze 功能的16Mb 快速SRAM目前已有樣片，預(yù)計(jì)2014年7月份量產(chǎn)。這些器件以符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA 和54-pin TSOP II方式封裝。