三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存
全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布,已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/247622.htm三星電子此次推出的32層三維V-NAND,與之前推出的24層V-NAND相比,雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高,但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備,所以具有更高的生產(chǎn)效率。
除此之外,三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推出基于三維V-NAND的固態(tài)硬盤之后,此次則開始進(jìn)入高端電腦市場,從而進(jìn)一步擴(kuò)大了V-NAND產(chǎn)品的市場份額。
三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部門負(fù)責(zé)人全永鉉副總裁表示:“通過推出覆蓋數(shù)據(jù)中心和高端電腦市場的一系列V-NAND固態(tài)硬盤產(chǎn)品,我們進(jìn)一步拓展了三維V-NAND產(chǎn)品的用途。而今后也將繼續(xù)為全球的IT用戶及時(shí)地提供穩(wěn)定,高性能和高密度的V-NAND固態(tài)硬盤和芯片,以促進(jìn)市場快速采用三維NAND閃存技術(shù)。”
與采用MLC架構(gòu)的平面NAND閃存芯片相比,使用三維V-NAND芯片的新一代固態(tài)硬盤不僅使用壽命提高一倍,而且功耗也降低20%。而預(yù)計(jì)今年下半年,三星電子更將繼續(xù)推出更多基于第二代三維V-NAND的高端固態(tài)硬盤,以更高的穩(wěn)定性和密度滿足客戶的多種需求。
據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner近日發(fā)布的研究報(bào)告,到2017年,世界存儲(chǔ)器市場規(guī)模預(yù)計(jì)將從755億美元增長到797億美元。屆時(shí),NAND閃存所占的份額將會(huì)過半,達(dá)到446億美元。
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