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          德州儀器推全新MSP430 FRAM微控制器

          —— 德州儀器全新MSP430? FRAM微控制器開(kāi)創(chuàng)超低功耗新時(shí)代
          作者: 時(shí)間:2014-06-24 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            德州儀器()近日宣布推出其綜合的超低功耗 微控制器()平臺(tái)。該平臺(tái)配備了所有必要的硬件和軟件工具,支持開(kāi)發(fā)人員降低能源預(yù)算,最大限度地縮減產(chǎn)品尺寸并致力于實(shí)現(xiàn)無(wú)電池的世界。全新MSP430FR59x/69x 產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式的EnergyTrace++?實(shí)時(shí)功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430? 非常適用于智能計(jì)量?jī)x表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠(yuǎn)程傳感器、能量收集裝置、家庭自動(dòng)化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/248753.htm

            采用嵌入式FRAM的創(chuàng)新型超低漏電(ULL)專有技術(shù)可在-40至85攝氏度的整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供全球最低的系統(tǒng)功耗【運(yùn)行功耗為100μA/MHz,精確實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)待機(jī)功耗為 450nA】和業(yè)界領(lǐng)先的功率性能。全新的FRAM MCU包括各種智能模擬外設(shè),如在轉(zhuǎn)換速率為200 ksps時(shí)耗電流低至140μA的差分輸入模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)以及可在系統(tǒng)處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)運(yùn)行的增強(qiáng)型流量計(jì)量掃描接口,從而使功耗降低10倍。此外,集成式8-mux LCD顯示器和256位高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)(AES)加速器也可降低功耗,縮減材料清單成本并節(jié)省電路板空間。

            采用EnergyTrace+ +技術(shù)實(shí)時(shí)調(diào)試能量

            TI的新型EnergyTrace++技術(shù)是全球第一個(gè)能使開(kāi)發(fā)人員為每個(gè)外設(shè)實(shí)時(shí)分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這使工程師能控制自己的功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件,竭盡所能創(chuàng)造出能耗最低的產(chǎn)品。這項(xiàng)新技術(shù)現(xiàn)在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69x MCU產(chǎn)品系列,并配備全新的低成本MSP430FR5969 LaunchPad開(kāi)發(fā)套件。

            借助FRAM的獨(dú)特功能挑戰(zhàn)超低功耗

            除具有顯著的節(jié)電優(yōu)勢(shì)外,TI的MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列還具有以下無(wú)與倫比的特性,超出了開(kāi)發(fā)人員的預(yù)期:

            無(wú)限的可擦寫次數(shù)。無(wú)可匹敵的讀取/寫入速度意味著FRAM MCU比傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器解決方案的擦寫循環(huán)次數(shù)多100億次以上 — 擦寫周期超過(guò)了產(chǎn)品生命周期本身。

            靈活性。FRAM具有獨(dú)特能力,使開(kāi)發(fā)人員擺脫代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的傳統(tǒng)界限束縛。用戶無(wú)需再受限于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閃存與RAM的比率或?yàn)樵黾拥腞AM需求支付額外費(fèi)用。

            易用性。FRAM可簡(jiǎn)化代碼開(kāi)發(fā)。由于FRAM無(wú)需預(yù)先擦除段,并可基于比特級(jí)被存取,使恒定的即時(shí)數(shù)據(jù)記錄成為可能。無(wú)線固件更新復(fù)雜程度降低,速度加快且能耗減少。

            TI超低功耗FRAM MCU產(chǎn)品組合的特性與優(yōu)勢(shì)

            FRAM是唯一的非易失性嵌入式存儲(chǔ)器,可在電流低于800μA的情況下以8Mbps的速率被寫入 — 比閃存快100倍以上。

            借助引腳對(duì)引腳兼容性和可擴(kuò)展的產(chǎn)品組合(由TI超低功耗MSP430? MCU FRAM產(chǎn)品平臺(tái)內(nèi)32KB至128KB的器件組成),使開(kāi)發(fā)工作變得更輕松。

            借助MSP430 FRAM和閃存組合之間的代碼和外設(shè)兼容性,利用MSP430Ware?來(lái)簡(jiǎn)化遷移。

            可取代EEPROM,旨在設(shè)計(jì)出寫入速度更快、功耗更低且內(nèi)存可靠性更高的安全產(chǎn)品。

            256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能確保數(shù)據(jù)傳輸。

            適合開(kāi)發(fā)人員使用的豐富資源包括詳細(xì)的遷移指南和應(yīng)用手冊(cè),以簡(jiǎn)化從現(xiàn)有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的遷移。

            入門

            開(kāi)發(fā)人員可通過(guò)涵蓋面齊全的培訓(xùn)計(jì)劃(包含針對(duì)超低功耗平臺(tái)各個(gè)方面的在線培訓(xùn)和現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)環(huán)節(jié))開(kāi)始使用TI的FRAM MCU產(chǎn)品組合。一系列深入細(xì)致的教程視頻將幫開(kāi)發(fā)人員快速啟動(dòng)設(shè)計(jì)并在設(shè)計(jì)周期的任何階段采用EnergyTrace++技術(shù)和開(kāi)發(fā)工具對(duì)TI的FRAM MCU進(jìn)行故障排除。

            供貨情況

            MSP430FR59x MCU可批量供貨。MSP430FR69x MCU現(xiàn)已開(kāi)始提供樣片,并將在2014年第3季度用于正式批量生產(chǎn)。MSP-EXP430FR5969 LaunchPad與Sharp? 96 Memory LCD BoosterPack捆綁銷售。此外,MSP-FET也已開(kāi)始供貨

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