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          賽普拉斯向UMC授權(quán)55納米嵌入式閃存技術(shù)

          —— 高性價(jià)比的SONOS嵌入式非易失性存儲(chǔ)器能為下一代智能卡、微控制器和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
          作者: 時(shí)間:2014-07-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            嵌入式非易失性存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(紐交所代號(hào) , 臺(tái)灣證券交易所代號(hào) TWSE: 2303)日前聯(lián)合宣布,獲得了(氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的使用權(quán),用于其55納米工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。技術(shù)能更方便地集成非易失性存儲(chǔ)單元,同時(shí)具有無(wú)與倫比的產(chǎn)能擴(kuò)充能力,以適應(yīng)未來(lái)需要。主要的應(yīng)用領(lǐng)域包括可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用、微控制器和邏輯主導(dǎo)(logic-dominated)的產(chǎn)品。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/249732.htm

            賽普拉斯的55納米嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)工藝與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著的優(yōu)勢(shì)。要嵌入標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝,SONOS需要的掩膜層數(shù)更少。具體來(lái)說(shuō),SONOS只需3到4層額外的掩膜,而其他嵌入式閃存技術(shù)一般需要11到12層。當(dāng)添加到基準(zhǔn)CMOS工藝制程中時(shí),SONOS 不會(huì)改變標(biāo)準(zhǔn)的器件特性或模式,能保持已有的設(shè)計(jì)IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的數(shù)據(jù)保存期、10萬(wàn)次編程/擦寫壽命,以及強(qiáng)大的抗軟錯(cuò)誤能力。在2013年曾驗(yàn)證過(guò)賽普拉斯的S65™ 65納米 SONOS工藝技術(shù)。賽普拉斯和UMC已展示了將SONOS延伸到更小節(jié)點(diǎn)的能力,以加速未來(lái)IP的開發(fā)。

            UMC負(fù)責(zé)特殊技術(shù)開發(fā)的副總裁S.C. Chien說(shuō):“我們擁有眾多的半導(dǎo)體IP生態(tài)合作伙伴,UMC計(jì)劃建立更多的增值技術(shù)平臺(tái),以適應(yīng)未來(lái)低功耗、高集成度IC設(shè)計(jì)的需求,例如IoT和可穿戴設(shè)備。我們很高興與賽普拉斯合作,為客戶帶來(lái)55納米SONOS技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì),包括穩(wěn)定的性能、良好的成本和久經(jīng)考驗(yàn)的高良率?;赨MC在特殊工藝方面已有的成功經(jīng)驗(yàn),例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等,我們計(jì)劃利用賽普拉斯易于集成的55納米非易失性存儲(chǔ)IP來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求。”

            賽普拉斯技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)事業(yè)部副總裁Sam Geha說(shuō):“賽普拉斯一直致力于與UMC這樣的業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)開展合作,將SONOS IP作為嵌入式非易失性存儲(chǔ)的首選方案。55納米SONOS工藝生逢其時(shí),可以滿足UMC各種客戶強(qiáng)烈的市場(chǎng)需求。許多新產(chǎn)品均面向快速成長(zhǎng)的市場(chǎng),包括智能卡、銀行卡、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等,均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性。”



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