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          意法半導(dǎo)體(ST)最新元器件獲得全球等級(jí)最高的航天產(chǎn)品認(rèn)證

          —— 意法半導(dǎo)體不斷擴(kuò)大高可靠性產(chǎn)品陣容,新LVDS接口芯片擁有優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性
          作者: 時(shí)間:2014-07-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、市場(chǎng)領(lǐng)先的高性能航天元器件供應(yīng)商進(jìn)一步擴(kuò)大抗輻射產(chǎn)品組合,新推出一系列通過美國(guó) 300krad QML-V認(rèn)證[1]的LVDS[2]驅(qū)動(dòng)器、接收器和(multiplexers)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/249743.htm

            最新的抗輻射器件的性能優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)品牌的解決方案,融合經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的130納米制造技術(shù)與專用芯片架構(gòu)及布局規(guī)則,取得了優(yōu)異的抗輻射性能和電氣特性。該開發(fā)項(xiàng)目得到了法國(guó)國(guó)家太空研究中心(CNES,Centre National d'Etudes Spatiales)和歐洲航天局(ESA,European Space Agency)的資金技術(shù)支持,將用于商用和政府衛(wèi)星項(xiàng)目。的新產(chǎn)品還通過了QML-V認(rèn)證,全球航天局和承包商可在航天項(xiàng)目中使用該系列產(chǎn)品。

            法國(guó)國(guó)家太空研究中心環(huán)境與元器件部主管Jean-Louis Venturin表示:“這些高性能元器件是意法半導(dǎo)體、歐洲航天局和法國(guó)國(guó)家太空研究中心多年合作研發(fā)抗輻射航天元器件的豐碩成果之一,我們迫切希望這些產(chǎn)品進(jìn)入歐洲元器件優(yōu)選目錄。”

            意法半導(dǎo)體航天與高可靠性事業(yè)部經(jīng)理Jean-Francois Vadrot表示: “我們的新LVDS器件配備整套的輻射測(cè)試報(bào)告和宏模型,包括生命周期終止和輻射終止,為全球航天市場(chǎng)提供最好的解決方案,同時(shí)進(jìn)一步加強(qiáng)了我們的航天產(chǎn)品組合。”

            意法半導(dǎo)體擁有35年的支持全世界政府和商用航天項(xiàng)目的經(jīng)驗(yàn),其已安裝的元器件創(chuàng)下了數(shù)百萬(wàn)個(gè)小時(shí)的成功飛行記錄。意法半導(dǎo)體正在擴(kuò)大航天應(yīng)用和高可靠性認(rèn)證產(chǎn)品的陣容,包括雙極晶體管和MOSFET、電壓基準(zhǔn)芯片、柵驅(qū)動(dòng)器、線性IC和功率轉(zhuǎn)換器。意法半導(dǎo)體在130納米、65納米等節(jié)點(diǎn)擁有成熟的制造技術(shù)和設(shè)計(jì)能力,還擁有世界唯一的同時(shí)通過歐洲航天局(ESA)和國(guó)防后勤局(DLA,Defense Logistics Agency)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施。

                
                技術(shù)說明:

            新系列包括RHFLVDS31A和RHFLVDS32A驅(qū)動(dòng)器/接收器芯片、RHFLVDSR2D2(LVDS雙接口收發(fā)器)和 RHFLVDS228A交叉點(diǎn)開關(guān)。在重離子和電離總劑量很大的輻照測(cè)試中,所有器件都有極強(qiáng)的穩(wěn)健性表現(xiàn),LVDS31A/32A在高達(dá)135 MeV.cm²/mg時(shí)未見單一事件閉鎖效應(yīng),并取得業(yè)內(nèi)最高的單一事件瞬變抵抗能力。在電離總劑量高達(dá)300krad(MIL-STD-883 TM1019)時(shí),該系列產(chǎn)品的動(dòng)靜態(tài)特性無(wú)太大變化。

            此外,該系列產(chǎn)品輸入共模電壓范圍寬達(dá)-4V到 +5V,包括連接電壓較低的電源的情況,例如3.3V。寬壓可提高系統(tǒng)地電位公差,簡(jiǎn)化接地設(shè)計(jì)。

            與市面上同類器件相比,意法半導(dǎo)體的新LVDS器件縮短了傳播時(shí)間和通道間延遲差,因此通道間同步更快,芯片功耗更低,可支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。此外,電源電壓的最大絕對(duì)額定值(AMR)高達(dá)4.8V,確保器件符合太空局元器件降額設(shè)計(jì)規(guī)則,無(wú)需任何免責(zé)聲明。LVDS I/O引腳提供8kV (HBM) ESD保護(hù)功能,所有引腳都有冷備用緩沖器和失效保護(hù)功能。

            如需了解更多詳情,請(qǐng)瀏覽 www.st.com/radhard-lvds-pr

            [1]美國(guó)認(rèn)證制造商名錄(QML,United States’ Qualified Manufacturer)5級(jí)和歐洲航天元器件委員會(huì)(ESCC,European Space Components Coordination)均為公認(rèn)的等級(jí)最高的航天IC質(zhì)量認(rèn)證測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

            [2] 低壓差分信號(hào)(LVDS,Low-Voltage Differential Signaling)是差分串行通信協(xié)議電特性技術(shù)規(guī)范。



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