半導(dǎo)體明日之“芯”：華為海思攜國(guó)內(nèi)IC廠商崛起

　　中國(guó)大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模近4000億元

　　全球半導(dǎo)體行業(yè)高景氣周期將持續(xù)。同時(shí)國(guó)內(nèi)政策支持力度不斷加大，由過(guò)去單一政策支持轉(zhuǎn)變?yōu)檎吆唾Y金共同支持，扶持重點(diǎn)將向制造環(huán)節(jié)傾斜，利好全產(chǎn)業(yè)鏈。

　　封測(cè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘較低、人力成本要求高，有利于國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈切入。在過(guò)去十多年發(fā)展中，封測(cè)環(huán)節(jié)一直占據(jù)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)，不過(guò)主要被海外IDM廠商的封測(cè)廠占據(jù)。目前A股封測(cè)上市企業(yè)已完成先進(jìn)封裝技術(shù)布局。IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域，在政策支持和終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁的推動(dòng)下，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上發(fā)展最快的一環(huán)。晶圓制造環(huán)節(jié)具有極高的資本壁壘和技術(shù)壁壘，盈利能力豐厚。過(guò)去國(guó)內(nèi)晶圓制造環(huán)節(jié)發(fā)展嚴(yán)重滯后，直接影響國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。未來(lái)，國(guó)家將加大對(duì)晶圓制造環(huán)節(jié)的政策和資金支持力度。

　　半導(dǎo)體種類非常多 行業(yè)高景氣延續(xù)

　　半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代科技的象征。伴隨著近幾十年現(xiàn)代科技行業(yè)的日新月異，以集成電路(IC)為主的半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，并成為全球經(jīng)濟(jì)的重要支柱。據(jù)世界貿(mào)易半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(WSTS)統(tǒng)計(jì)，2013年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3043億美元，首次突破3000億美元大關(guān)，較2012年的2916億美元增長(zhǎng)4.4%。這也是半導(dǎo)體行業(yè)繼2011年和2012年連續(xù)兩年疲軟之后再次恢復(fù)正增長(zhǎng)。

　　半導(dǎo)體行業(yè)處于整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈的最上游，也是電子行業(yè)中受經(jīng)濟(jì)波動(dòng)影響最大的行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)值增速與全球GDP的增長(zhǎng)速度高度相關(guān)，整體周期性較為顯著。

　　半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品種類繁多，被廣泛運(yùn)用于各行各業(yè)。產(chǎn)品主要包括集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器四個(gè)大類。其中，集成電路為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心，可以進(jìn)一步分為微處理器、邏輯IC、存儲(chǔ)器、模擬電路四個(gè)子領(lǐng)域。

　　2013年全球集成電路、分立器件、光電子器件、傳感器市場(chǎng)規(guī)模分別為2507億、182億、275億和80億美元，占比分別為82%、6%、9%和3%。在集成電路行業(yè)中，微處理器、邏輯IC、存儲(chǔ)器、模擬電路市場(chǎng)規(guī)模分別為587億、848億、673億和399億美元，分別占半導(dǎo)體行業(yè)的19%、28%、22%和13%。

　　中國(guó)大陸半導(dǎo)體行業(yè)總體起步較晚，基數(shù)相對(duì)較低。不過(guò)，在人力成本優(yōu)勢(shì)和政策紅利的雙重推動(dòng)下，海外半導(dǎo)體大廠紛紛來(lái)大陸投資建廠，同時(shí)本土廠商快速崛起，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

　　據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(CSIA)統(tǒng)計(jì)，2013年中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為3974億元，較2012年的3548億元增長(zhǎng)12%。過(guò)去十年，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率為19.2%，顯著高于全球6.2%的增長(zhǎng)速度。

　　隨著中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域結(jié)構(gòu)發(fā)生了巨大變化。中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過(guò)去五年市場(chǎng)占比大幅提升8個(gè)百分點(diǎn)，從2008年的18%上升到了2013年的26%;美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為全球行業(yè)領(lǐng)軍者，市場(chǎng)占比也不斷提升，過(guò)去五年上升了5個(gè)百分點(diǎn)到20%。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則呈沒(méi)落態(tài)勢(shì)，從2008年的市場(chǎng)占比20%大幅下降到2013年的11%。

　　半導(dǎo)體作為典型的周期性行業(yè)，與全球宏觀經(jīng)濟(jì)基本保持一致。全球最重要的半導(dǎo)體行業(yè)指標(biāo)，美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)從2008年底的最低167點(diǎn)大幅反彈到現(xiàn)在的接近650點(diǎn)，超過(guò)了2007年的高點(diǎn)，并在近期屢創(chuàng)新高。臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)近期也上漲到125點(diǎn)，超過(guò)了2007年的高點(diǎn)，同樣不斷創(chuàng)出歷史新高，進(jìn)一步驗(yàn)證了全球半導(dǎo)體行業(yè)處于高景氣度。

　　政策支持力度進(jìn)一步加大

　　半導(dǎo)體集成電路行業(yè)作為整個(gè)電子信息技術(shù)行業(yè)的基礎(chǔ)，在過(guò)去十多年時(shí)間里一直受到政策支持。而近期受到棱鏡門事件的刺激，國(guó)家更是把集成電路發(fā)展上升到國(guó)家安全戰(zhàn)略的高度。

　　2000年，國(guó)務(wù)院出臺(tái)18號(hào)文《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，在審批程序、稅收支持、進(jìn)出口等方面給予了集成電路行業(yè)重點(diǎn)扶持。不過(guò)，關(guān)于集成電路增值稅優(yōu)惠的政策在2005年后由于美國(guó)抗議有違世貿(mào)規(guī)則而停止執(zhí)行。

　　2008年，國(guó)家在863計(jì)劃、973計(jì)劃和《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》中通過(guò)重大科技專項(xiàng)的方式，對(duì)集成電路行業(yè)研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展給予重點(diǎn)支持。其中最重要的是01、02專項(xiàng)，01專項(xiàng)提出到2020年，我國(guó)在高端通用芯片、基礎(chǔ)軟件和核心電子器件領(lǐng)域基本形成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的高新技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新體系;02專項(xiàng)提出在“十二五”期間重點(diǎn)進(jìn)行45-22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)，開發(fā)32-22納米CMOS工藝、90-65納米特色工藝，開展20-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈，進(jìn)一步縮小與世界先進(jìn)水平差距，裝備和材料占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額分別達(dá)到10%和20%，開拓國(guó)際市場(chǎng)。

　　2011年，國(guó)務(wù)院再次出臺(tái)4號(hào)文《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，在原有18號(hào)文的基礎(chǔ)上再次強(qiáng)調(diào)了對(duì)集成電路行業(yè)的重點(diǎn)支持，提出了從財(cái)稅政策、投融資、研究開發(fā)、進(jìn)出口、人才政策、知識(shí)產(chǎn)權(quán)等八個(gè)方面給予集成電路系統(tǒng)性扶持。并修正了原18號(hào)文中因外力影響導(dǎo)致的2005年后集成電路行業(yè)優(yōu)惠力度減小，以及原支持力度偏向前道工序(設(shè)計(jì)、制造)而輕后道工序(封裝測(cè)試)。

　　2012年我國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口金額超過(guò)2000億美元，現(xiàn)在每年半導(dǎo)體進(jìn)口金額已經(jīng)超過(guò)石油進(jìn)口金額，提高半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化比例迫在眉睫。

　　在棱鏡門事件爆發(fā)之后，在軟件領(lǐng)域提出要去IOE，而在硬件領(lǐng)域也提出了要快速提高國(guó)產(chǎn)芯片市場(chǎng)占比。工信部電子司副司長(zhǎng)彭紅兵表示，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視，近期要密集出臺(tái)一系列扶持集成電路行業(yè)發(fā)展的政策，并透露了政策扶持的四大方向。具體包括：建立中央和各地方政府扶持政策的協(xié)調(diào)長(zhǎng)效機(jī)制;解決長(zhǎng)期困擾集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投融資瓶頸問(wèn)題，從資本市場(chǎng)尋找更多資源，用政策引導(dǎo)社會(huì)資金投入;鼓勵(lì)創(chuàng)新;加強(qiáng)對(duì)外開放，鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)外企業(yè)積極合作，用政策引導(dǎo)提高合作質(zhì)量。

　　6月24日，工信部正式公布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)給出了明確的發(fā)展目標(biāo)、重點(diǎn)任務(wù)，表明了國(guó)家將更加注重我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的均衡發(fā)展。

　　集成電路收入方面，《綱要》提出到2015年超3500億元，對(duì)應(yīng)兩年復(fù)合增長(zhǎng)率為18.1%;到2020年集成電路行業(yè)收入復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)20%，增速進(jìn)一步加快。IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域，2015年接近世界一流水平、2020年達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。晶圓制造環(huán)節(jié)，2015年實(shí)現(xiàn)32/28nm量產(chǎn)，2020年16/14nm量產(chǎn)。過(guò)去制造環(huán)節(jié)是國(guó)內(nèi)集成電路發(fā)展最薄弱環(huán)節(jié)，本次《綱要》提出了具體發(fā)展目標(biāo)有利于產(chǎn)業(yè)鏈的均衡發(fā)展。封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，2015年中高端占30%，2020年達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　此外，政府開始直接在資金層面上給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持。繼去年年底北京成立規(guī)模300億元的集成電路發(fā)展股權(quán)基金之后，據(jù)接近工信部的手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)王艷輝透露，國(guó)家還將成立總額度達(dá)1200億元的集成電路扶持基金，時(shí)間區(qū)間為2014年-2017年。按照目前擬定的細(xì)則，扶持基金由財(cái)政撥款300億元、社?；?50億元、其他450億元組成，國(guó)開行負(fù)責(zé)組建基金公司統(tǒng)籌，其中40%投入芯片制造，30%投入芯片設(shè)計(jì)。

　　封測(cè)環(huán)節(jié)最易實(shí)現(xiàn)突破

　　在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上，芯片封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)相對(duì)技術(shù)壁壘較低，對(duì)人力成本要求較高，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商在這個(gè)環(huán)節(jié)最易實(shí)現(xiàn)突破。半導(dǎo)體封裝技術(shù)演進(jìn)上，Bumping、WLCSP和TSV是當(dāng)前主流先進(jìn)封裝技術(shù)，市場(chǎng)前景廣闊。這三項(xiàng)技術(shù)的融合也是未來(lái)向3D SiP封裝發(fā)展的技術(shù)基礎(chǔ)。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代新技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，一直處于高科技領(lǐng)域發(fā)展的前沿。從半導(dǎo)體整條產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，上游IP供應(yīng)和IC設(shè)計(jì)兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘最高，半導(dǎo)體設(shè)備和晶圓制造環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘次之，封測(cè)行業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈上相對(duì)最低。IP供應(yīng)龍頭ARM和Fabless、IC設(shè)計(jì)龍頭高通每年研發(fā)費(fèi)用占收入比重分別高達(dá)30%和20%;半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML 和Foundry龍頭臺(tái)積電每年研發(fā)費(fèi)用率則分別為11%和8%。而封測(cè)龍頭日月光每年的研發(fā)費(fèi)用占收入比例僅為4%左右。

　　不過(guò)，封測(cè)環(huán)節(jié)在資本投入上有較高的壁壘，僅低于晶圓制造環(huán)節(jié)，需要大量資金投入修建廠房和購(gòu)買設(shè)備。日月光近三年平均資本支出占到公司收入的22.1%。

　　封測(cè)環(huán)節(jié)屬于勞動(dòng)力密集型，對(duì)人力成本有很高的要求。日月光的直接人工成本占收入的比例為8.9%，較臺(tái)積電高1.9個(gè)百分點(diǎn)。員工比例上，日月光制造人員占公司總員工人數(shù)的57.2%，遠(yuǎn)高于臺(tái)積電的41.1%。

　　綜合來(lái)看，封測(cè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘最低，中國(guó)廠商最易切入并追趕行業(yè)龍頭企業(yè);人力成本要求高，中國(guó)廠商相對(duì)于歐美廠商具有巨大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì);資本壁壘較高，這一點(diǎn)正好符合政府成立產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金，通過(guò)直接的資金支持能夠快速推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。

　　在過(guò)去十年時(shí)間里，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)中封裝環(huán)節(jié)一直占據(jù)主導(dǎo)地位，占比始終保持在40%以上的高水平，遠(yuǎn)高于全球16%的占比。2013年，全國(guó)集成電路封測(cè)行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模為1099億元，較2012年的1036億元增長(zhǎng)6.1%。

　　不過(guò)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體封測(cè)企業(yè)數(shù)量眾多，行業(yè)集中度不高。并且大的封裝測(cè)試企業(yè)以外資半導(dǎo)體廠商為主，在前十中有8家為外資公司，僅英特爾一家市占率就接近20%。內(nèi)資廠商只有江蘇新潮科技(長(zhǎng)電科技母公司)和南通華達(dá)微電子兩家。

　　半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)的演進(jìn)主要體現(xiàn)在兩個(gè)維度：一是IC的I/O引腳數(shù)不斷增多，二是IC的內(nèi)核面積與封裝面積之比越來(lái)越高。最初的DIP(雙列直插式封裝)芯片封裝技術(shù)I/O引腳數(shù)量很少，一般不超過(guò)100個(gè)，Intel早期的CPU都采用DIP封裝。而到了BGA(球形觸點(diǎn)陳列)封裝技術(shù)不僅大大增加了芯片的I/O引腳數(shù)，可以達(dá)到1000個(gè)，還提高了引腳之間的間距，能夠提高最終產(chǎn)品生產(chǎn)的良率，Intel集成度很高的CPU Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ都選擇這一技術(shù)。

　　當(dāng)芯片制程來(lái)到40nm及以下時(shí)，傳統(tǒng)的Wire Bonding和Flip Chip技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)芯片與外部的連接。而Copper Bumping技術(shù)則能將原來(lái)100-200um的Pitch降低到50-100um的Pitch，成為了先進(jìn)制程的唯一選擇，也是全球封測(cè)大廠必爭(zhēng)之地。

　　據(jù)Yole Developpement預(yù)計(jì)，2017年全球Copper Bumping市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2300萬(wàn)片/年(12英寸晶圓折算)，對(duì)應(yīng)2012年不到500萬(wàn)片/年的市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)38%，占比將從2012年的37%提升到69%。按12英寸Copper Bumping芯片250美元價(jià)格估計(jì)，屆時(shí)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)近60億美元。

　　在Copper Bumping領(lǐng)域，全球IDM大廠Intel技術(shù)最為領(lǐng)先，產(chǎn)能近300萬(wàn)片/年，占全球一半以上;專業(yè)代工封測(cè)大廠中Amkor技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，基本能夠做到直徑40-50um水平，產(chǎn)能近90萬(wàn)片/年;日月光近兩年產(chǎn)能快速上量。國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商中長(zhǎng)電先進(jìn)領(lǐng)跑，年產(chǎn)能約為48萬(wàn)片/年，華天西鈦緊隨其后，預(yù)計(jì)今年年底產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)片/年。

　　另外，隨著芯片體積不斷縮小，對(duì)IC封裝的內(nèi)核面積與封裝面積之比也提出了越來(lái)越高的要求。最初的DIP封裝后產(chǎn)品大約是裸芯片面積的100倍。而后來(lái)提出了CSP 封裝標(biāo)準(zhǔn)，即產(chǎn)品面積不大于裸芯片面積的1.2倍，這樣能夠大大提高PCB上的集成度，減小電子器件的體積和重量。一些較為先進(jìn)的BGA封裝技術(shù)已經(jīng)能夠達(dá)到這一標(biāo)準(zhǔn)，IC封裝技術(shù)也開始由原來(lái)的平面封裝向2.5D和3D封裝技術(shù)演進(jìn)。在過(guò)去幾年，3D封裝技術(shù)快速演進(jìn)，從最初比較單一的圖像傳感器和記憶體逐漸向具有系統(tǒng)性功能的邏輯電路和微處理器發(fā)展。

　　據(jù)Yole Developpement估計(jì)，2012年全球3D TSV晶圓產(chǎn)值為39億美元，滲透率僅為1%左右。未來(lái)五年受益于記憶體和邏輯IC對(duì)3D TSV技術(shù)的大量應(yīng)用，預(yù)計(jì)3D TSV滲透率將從1%左右提高到9%，產(chǎn)值達(dá)到近400億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為58%。

　　目前長(zhǎng)電科技、華天科技、晶方科技等國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體封測(cè)廠商在這些先進(jìn)封裝技術(shù)上都已經(jīng)完成了布局。預(yù)計(jì)在2013-2014年，這些先進(jìn)封裝技術(shù)開始進(jìn)入高速滲透期，市場(chǎng)規(guī)?？焖偬嵘?。

　　IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域快速崛起

　　國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中增速最快的一個(gè)領(lǐng)域。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2013年國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到809億元，較2004年增長(zhǎng)近10倍，年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)增速的2.5倍。近幾年在智能機(jī)滲透率快速提升的刺激下，國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模更是一路高奏凱歌。

　　在國(guó)內(nèi)集成電路三個(gè)環(huán)節(jié)中，2004年IC設(shè)計(jì)占比最少僅有15%，市場(chǎng)規(guī)模只有制造環(huán)節(jié)的45%。不過(guò)經(jīng)過(guò)這十年的高速發(fā)展，2013年IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)占比已經(jīng)上升到了32%，市場(chǎng)規(guī)模比制造環(huán)節(jié)高出35%。

　　在巨大需求刺激和政策的大力支持下，中國(guó)本土IC設(shè)計(jì)廠商快速崛起，甚至對(duì)國(guó)際大廠直接造成威脅。據(jù)IC insights統(tǒng)計(jì)，2013年全球前25大Fabless IC設(shè)計(jì)公司中，中國(guó)廠商華為海思和展訊占據(jù)兩席。其中華為海思以13.55億美元的銷售額排在第12位，展訊以10.7億美元的營(yíng)收排在行業(yè)第二位，并以48%的同比增速成為增長(zhǎng)最快的公司。

　　華為海思已成長(zhǎng)為一家具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的IC設(shè)計(jì)廠商。2009年，華為推出K3處理器試水智能手機(jī)，這也是國(guó)內(nèi)第一款智能手機(jī)處理器。不過(guò)，當(dāng)年華為同MTK一樣押錯(cuò)了寶，選擇支持WM操作系統(tǒng)。同時(shí)，這款處理器性能平平，主要被用在一些山寨智能機(jī)上。海思處理器真正為眾人所知是在2012年成功推出海思K3V2，搭載K3V2的華為D1成為世界上第一款發(fā)布的4核手機(jī)，躋身頂級(jí)智能手機(jī)處理器行列。

　　6月6日，海思成功發(fā)布八核處理器芯片麒麟Kirin920，再次成為手機(jī)芯片舞臺(tái)的焦點(diǎn)。麒麟Kirin 920內(nèi)置了4個(gè)Cortex-A15核心和4個(gè)Cortex-A7核心，搭配Mali-T628 的GPU，并且支持LTE Cat 6全球頻段和HIFI音質(zhì)以及2560×1600的分辨率屏。這一配置使得麒麟Kirin 920超越聯(lián)發(fā)科MTK6595，性能水平直指高通驍龍800的水平。配置該芯片的華為手機(jī)將于三季度推出，直接與MTK6595正面對(duì)決。

　　根據(jù)IC Insights的統(tǒng)計(jì)，2013年華為海思實(shí)現(xiàn)銷售收入13.6億美元，較2012年增長(zhǎng)了15%，近五年年復(fù)合增長(zhǎng)率為24%。隨著華為智能終端出貨量的高速增長(zhǎng)以及海思芯片在內(nèi)部占比的快速提高，華為海思銷售收入有望迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。

　　展訊和銳迪科是中國(guó)本土最優(yōu)秀的兩家IC設(shè)計(jì)廠商，展訊在TD-SCDMA基帶芯片技術(shù)領(lǐng)先，銳迪科則在射頻IC上有優(yōu)勢(shì)。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2012年展訊和銳迪科分別以43.8億元和24.6億元排在中國(guó)十大IC設(shè)計(jì)廠商中第2位和第3位。展訊和銳迪科分別于2007年和2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市公司。

　　2013年7月和11月，清華紫光集團(tuán)分別發(fā)布公告以17.8億美元和9.1億美元收購(gòu)展訊和銳迪科。如果展訊和銳迪科完成合并，將超越華為海思成為國(guó)內(nèi)最大IC設(shè)計(jì)廠商，在全球排到第11位。更為重要的是，展訊和銳迪科的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)形成協(xié)同效應(yīng)。目前，展訊已經(jīng)完成私有化在納斯達(dá)克退市，銳迪科還在私有化進(jìn)程中，兩家公司有望在紫光集團(tuán)下完成合并。

　　晶圓代工寡頭格局形成

　　晶圓制造環(huán)節(jié)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中至關(guān)重要的一環(huán)，制造工藝高低直接決定了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)程度。過(guò)去15年國(guó)內(nèi)晶圓制造環(huán)節(jié)發(fā)展滯后，未來(lái)在政府資金直接支持之下有望快速追趕。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上各環(huán)節(jié)的盈利情況與其他制造行業(yè)存在巨大差異。一般的制造行業(yè)符合微笑曲線，上游設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)盈利能力最高，中游制造環(huán)節(jié)次之，下游組裝環(huán)節(jié)盈利能力最低。但是IC產(chǎn)業(yè)鏈卻不相同，中游制造環(huán)節(jié)盈利能力高于上游設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中最高的一環(huán)。

　　晶圓制造環(huán)節(jié)能獲得如此高的盈利，主要得益于晶圓制造廠具有極高的資本壁壘和技術(shù)壁壘。晶圓制造企業(yè)為了能夠緊跟技術(shù)的發(fā)展每年都需要投入巨資，臺(tái)積電近兩年的資本支出金額高達(dá)近百億美元，占公司營(yíng)收的近50%。另外兩家IDM大廠Intel和三星半導(dǎo)體每年的資本支出也都是在百億美元以上，其中絕大部分都是投到了制造環(huán)節(jié)。此外，晶圓制造環(huán)節(jié)也是高技術(shù)密集型，臺(tái)積電2013年研發(fā)費(fèi)用支出達(dá)到16億美元。

　　在極高的資本壁壘和技術(shù)壁壘雙重作用下，全球晶圓代工行業(yè)已經(jīng)形成寡頭壟斷格局。行業(yè)龍頭臺(tái)積電2013年?duì)I收為199億美元，占據(jù)晶圓代工行業(yè)半壁江山，市占率高達(dá)46%。全球其他主要代工廠還有GlobalFoundries、聯(lián)電、三星半導(dǎo)體、中芯國(guó)際等廠商，前五大廠商合計(jì)市占率高達(dá)79%。

　　過(guò)去，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不均勻，大力支持IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)發(fā)展，而過(guò)度輕視IC制造環(huán)節(jié)。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，晶圓制造占整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中產(chǎn)值最高，占比高達(dá)58%。而在國(guó)內(nèi)，晶圓制造在三個(gè)環(huán)節(jié)中占比卻最小，僅有24%。這一產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的不均勻嚴(yán)重影響了國(guó)內(nèi)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的健康發(fā)展。

　　以華為海思最近發(fā)布的Kirin920芯片為例，該芯片才首次采用28nm制程。而聯(lián)發(fā)科在2013年3月發(fā)布的MT6572就已經(jīng)開始采用28nm制程，高通最新發(fā)布的驍龍810/808 更是采用了下一代20nm制程。中國(guó)大陸制造環(huán)節(jié)發(fā)展的滯后也直接影響了IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的發(fā)展，使得本土IC廠商與世界龍頭IC廠商競(jìng)爭(zhēng)不再同一條起跑線上。

　　不過(guò)，政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持方式已由原來(lái)的單純政策支持轉(zhuǎn)變?yōu)檎吆唾Y金共同支持。晶圓制造環(huán)節(jié)有望成為政府后續(xù)扶持的重點(diǎn)領(lǐng)域，本次成立的1200億元國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)扶持基金中40%投入芯片制造與封裝，其中絕大部分資金可能會(huì)分配到晶圓制造領(lǐng)域，有利于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的健康發(fā)展。

　　中芯國(guó)際作為國(guó)內(nèi)唯一具有全球競(jìng)爭(zhēng)力的晶圓制造龍頭，未來(lái)將挑起國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)崛起重任。過(guò)去三年，中芯國(guó)際收入和利潤(rùn)都實(shí)現(xiàn)了持續(xù)快速增長(zhǎng)，2013年?duì)I業(yè)收入和凈利潤(rùn)分別達(dá)到20.7億和1.7億美元，同比分別增長(zhǎng)21.6%和660%。這主要受益于國(guó)內(nèi)對(duì)芯片的持續(xù)強(qiáng)勁需求和中芯國(guó)際45nm制程工藝在2012年三季度成功大規(guī)模量產(chǎn)。中國(guó)區(qū)域貢獻(xiàn)銷售收入8.3億美元，同比增長(zhǎng)43%，占比由2012年的34%大幅提升到2013年的40%。

　　隨著制程的縮小和晶圓尺寸的增大，晶圓制造廠投資金額呈指數(shù)式增長(zhǎng)。8英寸工廠需要10億美元，12英寸工廠需要25億-30億美元，未來(lái)到18英寸工廠投資額將高達(dá)100億-120億美元，這將是大部分晶圓廠無(wú)法承受的金額。我們認(rèn)為，為支持國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)家將給予中芯國(guó)際更多政策和資金方面的支持。去年，中芯國(guó)際在北京政府的大力支持之下與中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)和北京工業(yè)發(fā)展投資管理有限公司合資成立中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，注冊(cè)資本12億美元，中芯國(guó)際占55%。預(yù)計(jì)到今年年底，中芯國(guó)際北京和深圳Fab都將投產(chǎn)，產(chǎn)能將分別達(dá)到6k/月和10k/月。