MIT設(shè)計出特別的二維電子系統(tǒng) 相對?，F(xiàn)系統(tǒng)可多儲40%的電荷

　　通過電子相關(guān)效應的實驗，研究人員提高了一個特別的二維電子系統(tǒng)的能力，使其可儲存多出40%的電荷。 據(jù)研究人員披露，這一改良對增加場效應晶體管的速度、限制其功率的消耗并同時限制其熱量的產(chǎn)生有幫助。

　　在正常情況下，一個平界面的保有電子負荷的能力受到其幾何性質(zhì)的限制，盡管有效地降低庫倫排斥的電子-電子間的相互作用迄今只能增加這一能力的數(shù)量級的幾 個百分點。 Lu Li及其同事如今證明，這種電子相關(guān)效應可降低化學勢能，并能相當顯著地在兩個金屬氧化物的界面提高電荷保持能力。 負壓縮效應可導致電容增長40%；在一個二維電子系統(tǒng)中的電子間能量的交換和關(guān)聯(lián)可在電子密度增加的時候通過這一增長而降低該系統(tǒng)中的化學勢能。