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          EEPW首頁(yè) > 安全與國(guó)防 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)中的電子標(biāo)簽天線

          射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)中的電子標(biāo)簽天線

          作者: 時(shí)間:2008-03-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            【提要】采用傳統(tǒng)的條形碼進(jìn)行物品標(biāo)識(shí)將會(huì)帶來(lái)一系列的不便:無(wú)法進(jìn)行較遠(yuǎn)距離的識(shí)別,需要人工干預(yù)、許多物品無(wú)法標(biāo)識(shí)等等。相反,由于射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)采用具有穿透性的電磁波進(jìn)行識(shí)別,所以可以進(jìn)行較遠(yuǎn)距離的識(shí)別,無(wú)須人工干預(yù),可以標(biāo)識(shí)多種多樣的物品。

            1 引言

            現(xiàn)代社會(huì)產(chǎn)品越來(lái)越豐富,數(shù)據(jù)管理需求也越來(lái)越高,人們需要將多種多樣處于生產(chǎn)、銷售、流通過(guò)程中的物品進(jìn)行標(biāo)識(shí)、管理和定位。采用傳統(tǒng)的條形碼進(jìn)行物品標(biāo)識(shí)將會(huì)帶來(lái)一系列的不便:無(wú)法進(jìn)行較遠(yuǎn)距離的識(shí)別,需要人工干預(yù)、許多物品無(wú)法標(biāo)識(shí)等等。相反,由于射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)采用具有穿透性的電磁波進(jìn)行識(shí)別,所以可以進(jìn)行較遠(yuǎn)距離的識(shí)別,無(wú)須人工干預(yù),可以標(biāo)識(shí)多種多樣的物品。

            射頻識(shí)別技術(shù)是一種非接觸的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)。它是由(Tag/Transponder)、讀寫器(Reader/Interrogator)及中間件(Middle-Ware)三部分組成的一種短距離無(wú)線通信系統(tǒng)。射頻識(shí)別中的標(biāo)簽是射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片和標(biāo)簽天線的結(jié)合體。標(biāo)簽根據(jù)其工作模式不同而分為主動(dòng)標(biāo)簽和被動(dòng)標(biāo)簽。主動(dòng)標(biāo)簽自身攜帶電池為其提供讀寫器通信所需的能量;被動(dòng)標(biāo)簽則采用感應(yīng)耦合或反向散射工作模式,即通過(guò)標(biāo)簽天線從讀寫器中發(fā)出的電磁場(chǎng)或者電磁波獲得能量激活芯片,并調(diào)節(jié)射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片與標(biāo)簽天線的匹配程度,將儲(chǔ)存在標(biāo)簽芯片中的信息反饋給讀寫器。因此,射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的阻抗必須與標(biāo)簽芯片的輸入阻抗共軛匹配,以使得標(biāo)簽芯片能夠最大限度地獲得射頻識(shí)別讀寫器所發(fā)出的電磁能量。此外,標(biāo)簽時(shí)還必須考慮所應(yīng)用的場(chǎng)合,如應(yīng)用在金屬物體表面的標(biāo)簽天線和應(yīng)用在普通物體表面的標(biāo)簽天線在天線的結(jié)構(gòu)和選材上存有很大的差別。適合于多種芯片、低成本、多用途的標(biāo)簽天線是射頻識(shí)別在我國(guó)得到廣泛普及的關(guān)鍵技術(shù)之一。

            2 與天線的分類

            對(duì)于采用被動(dòng)式標(biāo)簽的而言,根據(jù)工作頻段的不同具有兩種工作模式。一種是感應(yīng)耦合(Inductive Coupling)工作模式,這種模式也稱為近場(chǎng)工作模式,它主要適用用于低頻和高頻RFID系統(tǒng);另一種則是反向散射(Back scattering)工作模式,這種模式也稱為遠(yuǎn)場(chǎng)工作模式,主要適用于超高頻和微波RFID系統(tǒng)。

            感應(yīng)耦合模式主要是指讀寫器天線和標(biāo)簽天線都采用線圈形式。當(dāng)讀寫器在閱讀標(biāo)簽時(shí),發(fā)出未經(jīng)調(diào)制的信號(hào),處于讀寫器天線近場(chǎng)的天線接收到該信號(hào)并激活標(biāo)簽芯片之后,由標(biāo)簽芯片根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)的全球唯一的識(shí)別號(hào)(ID)控制標(biāo)簽天線中的電流大小。這個(gè)電流的大小進(jìn)一步增強(qiáng)或者減小閱讀器天線發(fā)出的磁場(chǎng)。這時(shí),讀寫器的近場(chǎng)分量展現(xiàn)出被調(diào)制的特性,讀寫器內(nèi)部電路檢測(cè)到這個(gè)由于標(biāo)簽而產(chǎn)生的調(diào)制量并解調(diào)并得到標(biāo)簽信息。

            在反向散射工作模式中,讀寫器和電子標(biāo)簽之間采用電磁波來(lái)進(jìn)行信息的傳輸。當(dāng)讀寫器對(duì)標(biāo)簽進(jìn)行閱讀識(shí)別時(shí),首先發(fā)出未經(jīng)調(diào)制的電磁波,此時(shí)位于遠(yuǎn)場(chǎng)的電子標(biāo)簽天線接收到電磁波信號(hào)并在天線上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,電子標(biāo)簽內(nèi)部電路將這個(gè)感應(yīng)電壓進(jìn)行整流并放大用于激活標(biāo)簽芯片。當(dāng)標(biāo)簽芯片激活之后,用自身的全球唯一標(biāo)識(shí)號(hào)對(duì)標(biāo)簽芯片阻抗進(jìn)行變化,當(dāng)電子標(biāo)簽芯片的阻抗和標(biāo)簽芯片之間的阻抗匹配較好時(shí)則基本不反射信號(hào),而阻抗匹配不好時(shí)則將幾乎全部反射信號(hào),這樣反射信號(hào)就出現(xiàn)了振幅的變化,這種情況類似于對(duì)反射信號(hào)進(jìn)行幅度調(diào)制處理。讀寫器通過(guò)接收到經(jīng)過(guò)調(diào)制的反射信號(hào)判斷該電子標(biāo)簽的標(biāo)識(shí)號(hào)并進(jìn)行識(shí)別。這類天線主要包括微帶天線、平面。圖二是我們研制的能工作于多種識(shí)別環(huán)境下的UHF電子標(biāo)簽天線。

            3 電子標(biāo)簽天線的設(shè)計(jì)與測(cè)試

            如前所述,由于工作于低頻與高頻的采用感應(yīng)耦合模式進(jìn)行通信,所以工作于這兩個(gè)頻段的讀寫器與電子標(biāo)簽都采用線圈形式的天線。工作在這兩個(gè)頻段的射頻識(shí)別系統(tǒng)都受制于近場(chǎng)作用的范圍,從而導(dǎo)致其識(shí)別距離較短。根據(jù)目前的情況來(lái)看,采用近場(chǎng)通信的射頻識(shí)別系統(tǒng)最大的識(shí)別距離小于1米。

            由于低頻和高頻頻段的射頻識(shí)別系統(tǒng)采用的是電磁場(chǎng)耦合模式,所以系統(tǒng)中的天線都采用線圈形式。采用這種形式的主要原因如下:1. 電磁場(chǎng)的耦合在線圈之間比較緊密;2. 天線采用線圈的形式進(jìn)一步減小了天線的體積進(jìn)而減小了標(biāo)簽的體積;3. 標(biāo)簽芯片的特性要求標(biāo)簽天線具有一定的電抗。

            在超高頻和微波波段時(shí),電子標(biāo)簽和讀寫器之間的通信采用反向散射工作方式。這時(shí)候,連接電子標(biāo)簽和讀寫器之間的橋梁不再是近磁場(chǎng)而是電磁波。此時(shí),被動(dòng)型電子標(biāo)簽處于讀寫器的電磁波遠(yuǎn)場(chǎng)中。根據(jù)頻帶的波長(zhǎng)和天線的口徑可以計(jì)算出該頻帶內(nèi)射頻識(shí)別系統(tǒng)的遠(yuǎn)場(chǎng)和讀寫器之間的距離。一般來(lái)說(shuō),被動(dòng)性標(biāo)簽在超高頻范圍內(nèi)的工作距離可達(dá)10米左右,根據(jù)現(xiàn)有資料來(lái)看,工作于微波波段(主要指2.45GHz)的被動(dòng)標(biāo)簽工作距離僅為1米左右。所以目前采用反向散射工作模式的射頻識(shí)別系統(tǒng)主要使用位于860~960 MHz的超高頻頻段。

            在由被動(dòng)型標(biāo)簽天線組成的射頻識(shí)別系統(tǒng)中,標(biāo)簽需要從讀寫器產(chǎn)生的電磁場(chǎng)或者電磁波中獲取能量激活標(biāo)簽芯片,所以在電子標(biāo)簽中有一部分電路專門用于檢測(cè)標(biāo)簽天線上的感生電動(dòng)勢(shì)或者感應(yīng)電壓,并通過(guò)二極管電路進(jìn)行整流并經(jīng)過(guò)其他電路進(jìn)行等等。這些電路被集成在標(biāo)簽芯片內(nèi)部。當(dāng)芯片進(jìn)行封裝時(shí)通常還會(huì)引入一部分分布式電容。但是,本身并不需要知道芯片中的具體電路而只需要掌握芯片和經(jīng)過(guò)封裝之后的芯片阻抗,并利用最大能量傳遞的法則設(shè)計(jì)天線的輸入阻抗。

            由于電子標(biāo)簽芯片的輸出阻抗具有電抗分量,為了達(dá)到能量的最大傳遞,需要將天線的輸入阻抗設(shè)計(jì)為標(biāo)簽芯片阻抗的共軛[1]。一般而言,電子標(biāo)簽芯片的輸入阻抗為Z=R-jX形式,為了獲得共軛形式的阻抗,電子標(biāo)簽天線的阻抗應(yīng)為Z=R+jX形式。

            如前文所述,工作在低頻與高頻的射頻識(shí)別系統(tǒng)中的被動(dòng)標(biāo)簽天線采用了線圈形式,這種線圈形式即可引入用于抵消中的容抗從而實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽芯片和天線之間的最大能量傳遞。

            而對(duì)于工作于超高頻和微波頻段的標(biāo)簽天線而言,為了引入以抵消芯片的容抗,需要在中加入環(huán)形結(jié)構(gòu)進(jìn)行感性饋電[2],或者加入T型匹配[3]等結(jié)構(gòu)。另外,為了在規(guī)定的(EIRP)下獲得更遠(yuǎn)的閱讀距離,除了要求電子標(biāo)簽天線也具有高增益,還要求電子標(biāo)簽天線和標(biāo)簽芯片之間能夠有足夠好的匹配[4]。

            在標(biāo)簽天線進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真并獲得理想結(jié)果之后,需要將天線加工并進(jìn)行測(cè)試以驗(yàn)證設(shè)計(jì)和仿真的正確性。也正因?yàn)榍拔闹兴榻B的標(biāo)簽天線具有復(fù)數(shù)阻抗的特性,其測(cè)試方法和具有實(shí)數(shù)阻抗天線的測(cè)試方法有所區(qū)別。另外,在同一個(gè)標(biāo)簽天線的測(cè)試過(guò)程中,根據(jù)所需數(shù)據(jù)的不同其測(cè)試方法也有所不同。

            通常,測(cè)試天線的過(guò)程中并不需要專門測(cè)試天線的輸入阻抗。但標(biāo)簽天線的阻抗為負(fù)數(shù)阻抗,且其虛部與實(shí)部之比較大(通常X/R>10),這樣的阻抗曲線在smith圓圖中靠近短路圓,不易通過(guò)smith圓圖觀察天線的阻抗帶寬。為了獲得標(biāo)簽天線的輸入阻抗,可以將測(cè)試設(shè)備的輸出端口直接與天線的輸入端口相連。由于這種方式并未考慮標(biāo)簽天線本身具有復(fù)數(shù)阻抗這一特性,天線和測(cè)試設(shè)備之間并沒有取得共軛匹配,此時(shí)只能得到天線的阻抗參數(shù),諸如散射矩陣參數(shù)和駐波比等常用來(lái)衡量天線的不能直接獲得。

            為了獲得是散射參數(shù)和駐波比等,以便對(duì)天線的阻抗帶寬特性進(jìn)行評(píng)價(jià),可將實(shí)測(cè)的阻抗參數(shù)帶入相關(guān)公式進(jìn)行計(jì)算或者采用阻抗匹配的方法在測(cè)試設(shè)備和天線之間加入匹配電路。匹配電路可用兩種方法構(gòu)成,一是采用工作頻率較高的分立元件構(gòu)成,二是采用微波電路


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