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          微帶Ku波段功率合成電路設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-06-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            隨著半導(dǎo)體材料和工藝的不斷發(fā)展,微波/毫米波功率半導(dǎo)體器件的輸出功率量級(jí)越來(lái)越大, L 波段功率晶體管的脈沖功率已達(dá)千瓦量級(jí); X波段功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管連續(xù)波達(dá)到幾十瓦,脈沖功率達(dá)到500。但限于半導(dǎo)體的物理特性,單個(gè)固態(tài)器件的輸出功率仍是有限的。采用芯片合成、電路合成及空間合成等功率合成技術(shù)將多路固態(tài)器件輸出功率進(jìn)行同相疊加,是獲得更高輸出功率的有效途徑之一。

            1968年Josenhans最先提出芯片級(jí)功率合成的概念。隨后, 20世紀(jì)70年代末期, Rucker先在X波段實(shí)現(xiàn)了多芯片的電路功率合成,再將其擴(kuò)展到40 GHz。1999年, KohjiMatsunag、IkuoMiura和Naotaka lwata用MM IC多芯片合成技術(shù),通過(guò)4個(gè)獨(dú)立的MM IC設(shè)計(jì)制作了Ka頻段的功放芯片,在26. 5~28. 5 GHz的頻率范圍內(nèi)獲得了3 的連續(xù)波輸出功率。

            本文開(kāi)展了基于微帶 ilkinson功分器的的研究,實(shí)現(xiàn)了一種的1 W 功率放大器。在衛(wèi)星通信等應(yīng)用中,所需的功率放大器的功率量級(jí)在數(shù)十瓦到數(shù)百瓦之間。顯然,本文這種功率水平的放大器尚不能直接作為衛(wèi)星通信等的功率放大器,但可以作為行波管等大功率放大器的驅(qū)動(dòng)器而得到廣泛應(yīng)用。而作為2n 路功率合成的基礎(chǔ),本文所涉及的功率合成技術(shù)更可以為相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域提供重要的參考價(jià)值。

            1 總體結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)目標(biāo)

            本文采用的的原理框圖如圖1所示。圖1中的WPD1是作為輸入功率分配器的一個(gè)Wilkinson功分器,而WPD2是作為輸出功率合成器的另一個(gè)W ilkinson功分器。他們的結(jié)構(gòu)選用了本文首次提出的新型結(jié)構(gòu),并采用下面所述的同樣的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖1中的SPS是Schiffman正交移相器。圖1中的TGF2508 - SM是美國(guó)Triquint公司的功率放大器芯片,其1 dB功率壓縮點(diǎn)功率為28 dBm,小信號(hào)增益為25 dB,工作帶寬為12~17 GHz。本文選用該器件作為兩路功率合成的基礎(chǔ)元件。理論上最高合成功率為31 dBm。本文的設(shè)計(jì)目標(biāo)是盡可能利用TGF2508 - SM的帶寬,實(shí)現(xiàn)盡量寬的頻帶,頻帶內(nèi)合成效率大于70 %。為了這個(gè)目的,Wilkinson功分器和Schiffman正交移相器都必須具備與TGF2508 - SM相當(dāng)?shù)膸?。本文的下屬研究?shí)現(xiàn)了這個(gè)目標(biāo)。

          圖1 本文實(shí)現(xiàn)的的原理框圖

            2 Wilkinson功分器的改進(jìn)

            圖2大體示出了W ilkinson功分器的改進(jìn)情況。

            圖2a是Wilkinson功分器的基本形式,由于兩個(gè)輸出端之間需連接一個(gè)隔離電阻,而這個(gè)電阻的體積很小,因此要求電路中的兩段λ/4傳輸線之間的距離很近,造成相互之間的耦合,從而影響電路的帶寬性質(zhì)。由于基本形式的W ilkinson功分器的這些固有缺點(diǎn),它在工作高于X頻段的頻率時(shí),帶寬等性能已經(jīng)不能滿足要求。圖2b所示的改進(jìn)型就是為避免基本型的上述缺點(diǎn)而提出的,但是,同樣由于隔離電阻的原因,其兩個(gè)輸出端口之間的距離依然很近,不能避免相互之間的耦合。圖2c所示的電路克服了上述缺點(diǎn),但由于引入了更長(zhǎng)的傳輸線段,因此帶寬性能有所下降。

          圖2 WPD結(jié)構(gòu)的演變

            本文把圖2b所示電路改進(jìn)為圖3a所示的電路。

            從而克服了上述基本型和改進(jìn)型的上述缺點(diǎn),同時(shí)保留了較好的寬帶特性。該電路的微帶布局如圖3b所示。本文用ADS對(duì)上述電路進(jìn)行模擬的結(jié)果示于圖4,結(jié)果表明該電路在12~18 GHz內(nèi)具有良好的3 dB分工器性能,滿足了上面提出的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

          圖3 本文采用的Wilkinson功分器的原理圖及微帶結(jié)構(gòu)

          圖4 Wilkinson功分器的ADS協(xié)同仿真結(jié)果

            3 Schiffman正交移相器

            本文還實(shí)現(xiàn)了功率合成所需的正交移相器。本文采用的移相器類型為雙Schiffman正交移相器。雙Schiffman移相器具有比標(biāo)準(zhǔn)Schiffman移相器略小的帶寬,但是對(duì)耦合系數(shù)的要求大大降低了。用ADS對(duì)雙Schiffman正交移相器進(jìn)行模擬的結(jié)果示于圖5。由圖5可知,兩個(gè)輸出段口之間的相位差在70°~95°之間。把最大相位差代入文獻(xiàn)[ 9 ]中的公式:


          可以計(jì)算得出理論合成效率大于90 % ,滿足了上面提出的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

          圖5 Ku波段雙Schiffman移相器模擬結(jié)果

            4 電路裝配與測(cè)試

            分別對(duì)上述部件進(jìn)行了模擬設(shè)計(jì)以后,我們?cè)O(shè)計(jì)制備了以微帶為基礎(chǔ)的功率合成電路。本文的微帶選擇了RTDuriod 6002作為基底。制作好以后的電路板如圖6所示。基底介電常數(shù)2. 94,損耗角正切0. 001 2,板材厚度0. 254 mm ( 10 mil) 。常用的板材除了Rogers公司的RT Duriod 5880, 6002系列外,還有Arlon公司的DiClad、CuClad、AD等系列。


          圖6 Ku波段雙路功率合成電路電路板

            配上屏蔽合,并裝配上具有SMA接頭的微帶-同軸連接器后,獲得了一個(gè)Ku波段放大器。我們對(duì)該放大器進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試時(shí),放大器被安裝在一塊散熱器上,放大器的輸出端接入了一個(gè)大功率衰減器,如圖7所示。由Agilent 8510C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得的放大器的小信號(hào)增益如圖8所示,圖中曲線包含連接于輸出端的30 dB衰減器,因此實(shí)際增益應(yīng)為圖中的圖線對(duì)應(yīng)值加上30 dB。由圖8可知,在13~16GHz之間,放大器的增益大于20 dB,且較為平坦。

          圖7 被測(cè)放大器及測(cè)試裝置

          圖8 被測(cè)放大器小信號(hào)增益

            此外,本文用Agilent E8257D信號(hào)源和AgilentE4418B EPM功率計(jì)相配合,測(cè)量了放大器的飽和功率,結(jié)果示于表1。表中第2行為放大器飽和功率的實(shí)測(cè)值,第3行的數(shù)據(jù)從單片TGF2508 - SM芯片的廠方Datasheet數(shù)據(jù)中獲取,并減去了輸出接頭的衰減值。第4行的合成效率由第2、3行的數(shù)據(jù)計(jì)算而得。

          表1 被測(cè)放大器飽和功率

            5 結(jié)論

            本論文提出并詳細(xì)研究了一種新型結(jié)構(gòu)的W 。在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步結(jié)合雙Schiff2man正交移相器和MM ,設(shè)計(jì)了Ku波段平衡式功率合成電路。本文還完成電路的加工與裝配,獲得了一個(gè)Ku波段1 W級(jí)功率放大器,在13~16GHz的飽和功率大于1 W,小信號(hào)增益大于20 dB,合成效率大于80 %。總之,本文實(shí)現(xiàn)了一種基于2路功率合成的Ku波段功率放大器。所涉及的相關(guān)技術(shù)在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域具有重要的參考價(jià)值,所獲得的器件具有一定的應(yīng)用前景。



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