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          拉絲張力是決定光纖性質(zhì)的關(guān)鍵因素

          作者: 時(shí)間:2010-09-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          拉絲張力受玻璃粘滯流動(dòng)影響,而粘滯流動(dòng)受溫度控制。所以拉絲張力主要受拉絲爐溫控制,因此拉絲張力(F)可用拉絲溫度(T)表示為:

          F=A+B/T (1)

          式中A和B分別為表面張力和粘滯流動(dòng)常數(shù)。

          但是玻璃是一種近程有序、遠(yuǎn)程無序的無定形“過冷液體”。玻璃的粘度、離子擴(kuò)散速度等一類性質(zhì),在高溫熔體冷卻過程中是逐漸變化的。在轉(zhuǎn)變溫度以下主要取決于玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和網(wǎng)絡(luò)外離子的配位狀態(tài)的統(tǒng)計(jì)規(guī)則。光纖以非常高的冷卻速度(2000-8000℃/s)迅速從2000℃左右冷卻至室溫,使其高溫結(jié)構(gòu)迅速凍結(jié)。熔體在冷卻過程中質(zhì)點(diǎn)或原子團(tuán)重新排列,玻璃結(jié)構(gòu)也隨外界條件而變化,這就是拉絲張力對(duì)光纖性能起重大作用的根本原因。

          拉絲張力與光纖衰減的平衡點(diǎn)

          由于拉絲張力的大小是通過拉絲爐溫度來控制的,拉絲爐溫度越高,玻璃軟化程度越大,拉絲張力就越小。

          從圖1中可以看出,對(duì)于1310nm窗口衰減,隨著拉絲張力的增加,光纖的衰減會(huì)發(fā)生先降后升,呈拋物線形,而1550nm窗口處衰減在一點(diǎn)的拉絲張力范圍內(nèi)并沒有隨拉絲張力發(fā)生明顯變化的現(xiàn)象。

          這是由于在高溫下,容易誘發(fā)石英玻璃內(nèi)部點(diǎn)缺陷的形成,造成光纖衰減的增大。在高溫下,石英內(nèi)部容易發(fā)生下面的反應(yīng)式(2):

          Si?O:O?Si+H2→Si?O?H+H?O?Si (2)

          Si?O?H的吸收峰正是在1380nm附近,這會(huì)帶動(dòng)光纖在1310nm窗口處衰減一同增大。同時(shí),拉絲過程是高溫預(yù)制棒體積急劇變化的過程,預(yù)制棒在高溫下經(jīng)過拉伸,其本身的化學(xué)鍵可能被破壞,且光纖又經(jīng)過迅速冷卻降溫,更容易造成光纖本身缺陷的增加和原有缺陷的發(fā)展,而這些缺陷會(huì)造成光纖瑞利散射衰減增大,溫度差越大,這種破壞越強(qiáng)。而瑞利散射是與波長的四次方成反比的,所以在1550nm處衰減隨溫度的變化沒有1310nm波長處明顯。

          隨著溫度的降低,上述兩種作用機(jī)制共同作用,使得光纖的衰減變小,但是隨著溫度的進(jìn)一步降低,光纖所受的張力越來越大,材料的粘度分布將逐漸由均勻分布到不均勻分布。在此種條件下拉絲,會(huì)在石英材料中間形成不同程度的應(yīng)力集中,這會(huì)抵消溫度降低帶來的光纖衰減減小的效果。如果進(jìn)一步降低拉絲溫度,光纖中應(yīng)力集中占到更重要因素,使得光纖的衰減重新增加。

          單模光纖的兩大重要性能

          截止波長和模場直徑是單模光纖的兩個(gè)極為重要的性能參數(shù),拉絲張力是拉絲工藝中重要的控制參數(shù)之一。

          截止波長指的是, 單模光纖通常存在某一波長,當(dāng)所傳輸?shù)墓獠ㄩL超過該波長時(shí),光纖只能傳播一種模式基模的光,這一波長便稱為截止波長。截止波長大小由光棒的結(jié)構(gòu)參數(shù),如光纖的芯徑以及芯、包層間的相對(duì)折射率差△決定。模場直徑,因?yàn)閱文9饫w中關(guān)能量并不是完全集中在纖芯中, 而是有相當(dāng)部分的能量存在包層中,所以對(duì)單模光纖不宜用芯徑作為其特征參數(shù),而是用模場直徑作為描述單模光纖中光能集中的范圍,一般以光強(qiáng)分布最大值的1/e2所對(duì)應(yīng)的光斑大小作為模場直徑。拉絲張力為光纖成形區(qū)因石英粘度所產(chǎn)生的阻力與光纖涂覆時(shí)所受的阻力之和。拉絲張力是由加熱爐工作溫度和拉絲速度共同決定的。

          溫度是光纖特性改變的關(guān)鍵

          截止波長的理論計(jì)算公式為:

          λc=2πα(n12-n22)1/2 / 2.405 (3)

          其中,α為纖芯半徑,n1為芯層折射率,n2為包層折射率。由公式可以看出,λc由α、n1 和n2 決定,通常α和n2 在拉絲中是不會(huì)變化的。然后當(dāng)加熱爐的工作溫度變化時(shí),光纖纖芯的折射率n1也會(huì)隨之改變。在拉絲生產(chǎn)中,通常根據(jù)拉絲張力來確定加熱爐工作溫度,從而改變纖芯折射率n1 的分布,使 n12-n22 在一定范圍內(nèi)變化,進(jìn)而改變光纖截止波長和模場直徑。

          為增大拉絲張力,加熱爐功率減小,爐內(nèi)溫度降低,同時(shí)拉絲過程中,光棒芯層中的GeO2存在以下熱分解平衡:

          GeO2=GeO+1/2O2 (4)

          當(dāng)溫度降低時(shí),以上化學(xué)反應(yīng)向左移動(dòng),造成GeO2的濃度增加,由于GeO2的折射率大于GeO的折射率,所以芯層折射率n1增大,由截止波長計(jì)算公式(3)可知芯層折射率n1增大,截止波長增大。同理,當(dāng)拉絲張力減小時(shí),加熱爐內(nèi)溫度升高,以上分解反應(yīng)向右移動(dòng),使GeO2的濃度減小,芯層折射率n1減小,故截止波長減小。

          通過以上分析可知,在拉絲過程中張力增大,必須使加熱爐內(nèi)溫度降低,從而使得光棒芯層中存在的熱分解化學(xué)反應(yīng)向左移動(dòng),造成GeO2的濃度增大,由于的GeO2折射率大于GeO的折射率,所以芯層折射率n1增大,同時(shí)由于包層折射率n2在拉絲中是不變量,所以芯層、包層折射率差Δn=n1-n2增大,因此折射至包層匯總的光能量減少,集中在纖芯中的光能量增強(qiáng),纖芯中心所對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)最大值增大,即光斑的大小—模場直徑減小。反之,升高拉絲爐溫使得拉絲張力減小,上面的反應(yīng)式向右方向移動(dòng),芯層折射率就會(huì)變小,相對(duì)折射率差也變小,折射到包層中的光能量會(huì)增加,這樣模場直徑就會(huì)變大。


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