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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用
          
						
          
				作者：電子設(shè)計應(yīng)用
				時間：2004-06-14
				來源：電子設(shè)計應(yīng)用

				
				
				
				
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			電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)   推出IRF7842 40V N溝道HEXFET功率MOSFET，優(yōu)化了電信系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器。
          IRF7842的額定電壓為40V，若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路，則有助于增強系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬，一般在36V到75V之間，因而會在副邊產(chǎn)生5V至12V的電壓波動。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓，所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對電信系統(tǒng)的副邊電源管理開關(guān)器件陣營更加充實。
          當(dāng)IRF7842用于配備IR2085S原邊脈寬調(diào)制 (PWM) 集成電路的隔離式直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中的副邊同步整流時，可在150W全負載條件下效率達到95.2%；在相同直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中，IRF7842的效率要比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的40V器件高出0.5%。
          IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“IRF7842采用了IR的溝槽式MOSFET技術(shù)，能優(yōu)化通態(tài)電阻及總體柵電荷，把損耗減至最低。其標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝提供簡易產(chǎn)品升級到現(xiàn)有其它設(shè)計?！?/P>
          IRF7842現(xiàn)已投入應(yīng)用。有關(guān)芯片產(chǎn)品的供貨資料，可瀏覽http://die.irf.com。數(shù)據(jù)表詳載于www.irf.com，基本規(guī)格如下：
          產(chǎn)品型號	BVDSS	VGS	10V下最大RDS(on)	4.5V下最大RDS(on)	50% VDS 下典型Qg	典型QGD	封裝
          IRF7842	40V	+/-20V	5mOhm	5.9mOhm	33nC	10nC	SO-8
          
				
            
          
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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