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          40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 組件的光電特性及其測試

          作者: 時(shí)間:2012-11-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          3.1光電流和暗電流

          光電流是探測器中作用區(qū)(又稱有源區(qū))吸收光產(chǎn)生載流子、通過高場下漂移或擴(kuò)散,進(jìn)而在PIN耗盡區(qū)產(chǎn)生附加電勢,并在外電路流過的電流。該電流與入射光功率、光耦合效率、入射面反射系數(shù)、探測器光敏面面積、探測器中吸收層材料的光吸收系數(shù)以及內(nèi)量子效率等因素緊密相關(guān)。根據(jù)連續(xù)性方程和邊界條件,光電流Iopt可以表示為:

          Iopt = (1- R) Iopt (x) d x = (1-R) Iopt (0) e(-α(λ)x) d x (1)

          這里,R為反射系數(shù);α(λ)為光吸收系數(shù),對(duì)InGaAs ,α(λ)≈ (2-4) ×103 cm-1 ;

          e-α(λ)反映入射光的利用率,當(dāng)作用區(qū)長度L> 1/α(λ) 時(shí),光的利用率可達(dá)95%以上;Iopt (0) 為起始光電流。它與探測器作用區(qū)中的內(nèi)量子效率緊密相關(guān),是材料結(jié)構(gòu)參數(shù)的靈敏函數(shù)。

          暗電流是指探測器在規(guī)定反向電壓下無光照時(shí)的電流。它對(duì)探測器光接收靈敏度是一種噪聲限制。也是衡量光探測器制作技術(shù)優(yōu)劣的主要指標(biāo)。該電流主要由PIN結(jié)耗盡區(qū)的產(chǎn)生電流、PIN結(jié)鄰近區(qū)域的擴(kuò)散電流、I區(qū)的隧道電流以及表面漏電流組成。對(duì)臺(tái)面型器件,重要的是裸露的PIN臺(tái)面周邊保護(hù)問題。如果臺(tái)面周邊裸露的PIN結(jié)保護(hù)不佳,將導(dǎo)致表面漏電流較大,甚至成為暗電流的主要成分。通常,光敏面直徑為45μm的平面型PIN-PD,暗電流一般小于1nA,而相同面積的臺(tái)面型PIN-PD,暗電流一般大于10nA。我們制作的40Gb/s WD-PIN-PD,-3.3V下暗電流在0.2 nA至20nA范圍。

          3.2 光響應(yīng)速率和-3dB帶寬

          數(shù)字通信光纖中傳輸?shù)男盘?hào)是數(shù)字式光信號(hào),對(duì)40Gb/s光信號(hào)接受來說,光探測器必須具有高速跟蹤信號(hào)的能力,其跟蹤能力就是光響應(yīng)速率。根據(jù)付立葉時(shí)域-頻域變換,光響應(yīng)速率可以用-3dB帶寬來表征。

          光響應(yīng)速率受到載流子渡越時(shí)間,RC時(shí)間等因素的限制。
          載流子渡越時(shí)間與反向偏壓大小、載流子飽和漂移速度、渡越區(qū)厚度有關(guān)。光生載流子有兩種——電子和空穴,它們的飽和漂移速度是不一樣的。In0.53Ga0.47As中穩(wěn)態(tài)電子、空穴飽和漂移速度與電場關(guān)系如圖3所示。


          圖3 穩(wěn)態(tài)電子、空穴漂移速度與電場關(guān)系

          圖3表明,當(dāng)電場強(qiáng)度達(dá)5× 104 V/cm以上時(shí),電子、空穴分別達(dá)到穩(wěn)態(tài)飽和漂移速度2×106 Cm/s。 若渡越區(qū)厚度為0.58μm,電場強(qiáng)度為E = 5× 104 V/cm ,則這時(shí)所需外加反向偏置電壓為2.9 v ,這時(shí)空穴渡越時(shí)間τP少于29ps,電子渡越時(shí)間τn少于10 ps。

          40Gb/s WD-PIN-PD的RC時(shí)間可用其小信號(hào)等效電路的參數(shù)值RC來表示。40Gb/s WD-PIN-PD小信號(hào)等效電路如圖4表示:


          圖4 40Gb/s WD-PIN-PD小信號(hào)等效電路

          圖4中,Iph 為40Gb/s WD-PIN-PD等效電流源,RJ為PD反向便置下的等效內(nèi)阻,通常在50 MΩ以上;Cj 為PIN結(jié)電容,一般小于80f F;CP 為雜散電容,通常把它略去;Rs為PD等效串連接觸電阻,一般小于15Ω;RL為負(fù)載電組;Ls為互連線等效電感。對(duì)40Gb/s WD-PIN-PD,RC可表示為:

          RC ≈(Rs + RL +jωLs)Cj = ε0εr(Rs + RL+jωLs )A / w(2)

          這里,A為PD的PN結(jié)面積,w為光作用區(qū)厚度。(2)式表明,要減小RC時(shí)間,就要盡量減小Rs 、RL和A;采用側(cè)面進(jìn)光的PIN-PD,目的就是減小A和w。

          需要注意的是,對(duì)40Gb/s WD-PIN-PD 來說,Ls對(duì)傳輸特性和帶寬影響極大。100μm長的連線,阻抗將達(dá)20-30(它與連線粗度和形狀有關(guān)),電感將達(dá)30-40nH。因此,盡力減少互連線的長度對(duì)帶寬和傳輸損耗都是非常重要的。

          40Gb/s WD-PIN-PD的帶寬Δf-3dB可通過測量其脈沖前沿上升時(shí)間t r來估算。

          Δf-3dB與t r有如下近似關(guān)系:

          Δf-3dB (GHz) ≈ 0.35 / t r (ns) (3)

          如果t r 11 ps,則Δf-3dB > ≈31 GHz.。
          這里 ,Δf-3dB 又可表示為:

          Δf-3dB ≈ 1/[2π( RC)2 + τn2 ]]-2 (4)

          這里τn為電子的渡越時(shí)間。值得注意的是,RC和τn都與載流子渡越區(qū)厚度w有關(guān)。W越大,PIN結(jié)電容越小,而載流子的渡越時(shí)間則越大。這是相互矛盾的。因此W的選取應(yīng)折衷考慮。


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