用于輔助電路分析的示波器數(shù)學(xué)功能

如果你的示波器數(shù)學(xué)功能中包含了積分，則可以做進(jìn)一步的波形計(jì)算。積分運(yùn)算可以顯示出在一個事件中MOSFET耗散掉的總能量。圖4對MOSFET功率信息使用了積分函數(shù)。由于在上電的約2ms內(nèi)，功率波形有一個三角形，因此可以預(yù)測出約24W/2×2ms=24mJ的能量，它會在MOSFET上轉(zhuǎn)化為熱量。在上電事件結(jié)束時，數(shù)學(xué)通道的功率積分達(dá)到了幾乎精確的24mJ能量。

這種方法可以用于影響MOSFET的其它瞬態(tài)情況，如斷電、短路或過載事件。在檢查MOSFET的安全工作區(qū)間和熱特性時，用這個詳細(xì)的功率-能量信息，可以對脈沖周期和“單脈沖功率”做出精確的計(jì)算。

測量負(fù)載電容

另外，還可以使用示波器的積分功能，測量熱插拔負(fù)載電容，前提是上電期間有小的阻性負(fù)載電流。電容是每伏特存儲的電荷量，而電荷不過是電流對時間的積分。因此，通過對熱插拔浪涌電流的積分，并除以輸出電壓，示波器的數(shù)學(xué)功能就可以精確地測量出總負(fù)載電容。

圖5中的熱插拔控制器連接到三只陶瓷輸出電容，每個標(biāo)稱值為10μF。電容的跡線(紅色)開始沒有意義，因?yàn)樵谳敵鲭妷荷仙坝谐銌栴}。但當(dāng)輸出電壓超過0V時，數(shù)學(xué)功能快速地收斂到一個大約27μF的測定電容。標(biāo)尺為10μF/刻度。

圖4，對功耗的積分可得到MOSFET的總能耗

圖6重復(fù)了圖5的實(shí)驗(yàn)，但在輸出端增加了標(biāo)稱值為330μF的鋁電解電容。當(dāng)起動事件結(jié)束時，數(shù)學(xué)跡線顯示測得的輸出電容約為350μF—這幾乎與預(yù)期的完全一樣，標(biāo)尺為100μF/刻度。

圖5，對輸出電容的測量表明COUT為30μF。

圖6，增加一只330μF電容，測得的輸出電容為350μF。

記住，一個阻性負(fù)載會拉入并不存儲在電容中的電流，從而降低這些電容測量的精度。但對簡短的測量，結(jié)果還是有用的。