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          DDR測(cè)試--SDRAM時(shí)鐘分析案例

          作者: 時(shí)間:2012-04-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          下圖5所示為只串聯(lián)100歐電阻時(shí)測(cè)量到的波形,信號(hào)有過沖,峰峰值為5.35V,偏大,對(duì)比圖4的端接方法,串聯(lián)電阻加上并聯(lián)電容是較好的解決方法。

          總結(jié):在這個(gè)案例中,我們得到的以下經(jīng)驗(yàn):
          1、串聯(lián)匹配是較好的的時(shí)鐘端接策略,在原理圖設(shè)計(jì)中,需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容,如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)能力弱,可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。
          2、準(zhǔn)確的測(cè)量?jī)?nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭,無源探頭在高頻時(shí)阻抗太小,不能準(zhǔn)確的測(cè)量波形,需要使用高帶寬的有源探頭。


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