電源測(cè)試之-MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

同樣的方法，可以觀察到MOSFET的關(guān)斷軌跡線。關(guān)斷前，漏極電流正處于峰值電流出(此時(shí)，MOSFET的狀態(tài)正處于開(kāi)關(guān)軌跡線的C點(diǎn))。關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流下降的同時(shí)，漏源極電壓上升，從圖5.b上看，表現(xiàn)為關(guān)斷軌跡線位置很高。MOSFET是硬關(guān)斷，關(guān)斷損耗很大。并且，變壓器原邊漏感中的能量對(duì) MOSFET造成很大的電壓沖擊。

利用開(kāi)關(guān)軌跡線減小開(kāi)關(guān)損耗

由以上分析可知，開(kāi)關(guān)軌跡線可以直觀地反映MOSFET地開(kāi)關(guān)損耗。我們總是希望MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗盡可能減小，為此，我們常常在MOSFET周圍添加一些輔助電路，開(kāi)關(guān)軌跡線可以幫助我們?cè)u(píng)估改善的效果。

以圖示的回掃電路為例，為了改善MOSFET的關(guān)斷軌跡，在變壓器原邊繞組兩端并聯(lián)RC緩沖支路(如圖6)，限制MOSFET關(guān)斷時(shí)漏極電壓的上升速度。

圖6中所示，R=1kΩ，C=200pF，圖7a~d為加入RC電路后的開(kāi)關(guān)軌跡線。與之前的開(kāi)關(guān)軌跡線相比，加入RC電路后，MOSFET的關(guān)斷軌跡更靠近坐標(biāo)軸了(圖7.d)。這是因?yàn)樵贛OSFET關(guān)斷瞬間，由于電容電壓不能突變，依然保持輸入電壓，使得MOSFET上電壓保持為零。隨著電容C的放電，MOSFET的電壓才逐漸升高。這樣，就限制了MOSFET漏源極電壓的上升速度，關(guān)斷損耗得到減小，不過(guò)關(guān)斷損耗的減小是以開(kāi)通損耗的增加為代價(jià)的。這是由于MOSFET關(guān)斷期間，電容C上電壓為零，MOSFET開(kāi)通瞬間，電容C通過(guò)電阻R和MOSFET充電引起的。從圖7.c開(kāi)通軌跡線上可以看出，MOSFET的開(kāi)通軌跡線向“上”移動(dòng)了，也就是說(shuō)，漏源極電壓還沒(méi)下降到零時(shí)就有漏極電流流過(guò)了。

應(yīng)該權(quán)衡考慮開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，選擇適當(dāng)?shù)腞C值。利用開(kāi)關(guān)軌跡線可以方便地找到這個(gè)平衡點(diǎn)，以確?？倱p耗降至最低。