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          光伏電池電氣性能的評測

          作者: 時間:2011-06-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            電容測量

            與I-V測量類似,電容測量也用于太陽能的特征分析。根據(jù)所需測量的參數(shù),我們可以測出電容與直流電壓、頻率、時間或交流電壓的關(guān)系。例如,測量PV的電容與電壓的關(guān)系有助于我們研究電池的摻雜濃度或者半導(dǎo)體結(jié)的內(nèi)建電壓。電容-頻率掃描則能夠為我們尋找PV襯底耗盡區(qū)中的電荷陷阱提供信息。電池的電容與器件的面積直接相關(guān),因此對測量而言具有較大面積的器件將具有較大的電容。

            C-V測量測得的是待測電池的電容與所加載的直流電壓的函數(shù)關(guān)系。與I-V測量一樣,電容測量也采用四線技術(shù)以補償引線電阻。電池必須保持四線連接。測試配置應(yīng)該包含帶屏蔽的同軸線纜,其屏蔽層連接要盡可能靠近PV電池以最大限度減少線纜的誤差。基于開路和短路測量的校正技術(shù)能夠減少線纜電容對測量精度的影響。C-V測量可以在正偏也可以在反偏情況下進行。反偏情況下電容與掃描電壓的典型曲線(如圖6所示)表明在向擊穿電壓掃描時電容會迅速增大。

          PV電池電容與電壓關(guān)系的典型曲線

          圖6.PV電池電容與電壓關(guān)系的典型曲線。

            另外一種基于電容的測量是激勵電平電容壓型(DLCP),可在某些薄膜太陽能電池(例如CIGS)上用于判斷PV電池缺陷密度與深度的關(guān)系。這種測量要加載一個掃描峰-峰交流電壓并改變直流電壓,同時進行電容測量。必須調(diào)整這兩種電壓使得即使在掃描交流電壓時也保持總加載電壓(交流+直流)不變。通過這種方式,材料內(nèi)部一定區(qū)域中暴露的電荷密度將保持不變,我們就可以得到缺陷密度與距離的函數(shù)關(guān)系。

            電阻率與霍爾電壓的測量

            PV電池材料的電阻率可以采用四針探測的方式3,通過加載電流源并測量電壓進行測量,其中可以采用四點共線探測技術(shù)或者范德堡方法。

            在使用四點共線探測技術(shù)進行測量時,其中兩個探針用于連接電流源,另兩個探針用于測量材料上電壓降。在已知PV材料厚度的情況下,體積電阻率(ρ)可以根據(jù)下列公式計算得到:

            ρ=(π/ln2)(V/I)(tk)

            其中,ρ=體積電阻率,單位是Ωcm,V=測得的電壓,單位是V,I=源電流,單位是A,t=樣本厚度,單位是cm,k=校正系數(shù),取決于探針與晶圓直徑的比例以及晶圓厚度與探針間距的比例。

            測量PV材料電阻率的另外一種技術(shù)是范德堡方法。這種方法利用平板四周四個小觸點加載電流并測量產(chǎn)生的電壓,待測平板可以是厚度均勻任意形狀的PV材料樣本。

            范德堡電阻率測量方法需要測量8個電壓。測量V1到V8是圍繞材料樣本的四周進行的,如圖7所示。

          范德堡電阻率常用測量方法

          圖7.范德堡電阻率常用測量方法

            按照下列公式可以利用上述8個測量結(jié)果計算出兩個電阻率的值:

          ρA=(π/ln2)(fAts)[(V1–V2+V3–V4)/4I]
          ρB=(π/ln2)(fBts)[(V5–V6+V7–V8)/4I]

          其中,ρA和ρB分別是兩個體積電阻率的值,ts=樣本厚度,單位是cm,V1–V8是測得的電壓,單位是V,I=流過材料樣品的電流,單位是A,fA和fB是基于樣本對稱性的幾何系數(shù),它們與兩個電阻比值QA和QB相關(guān),如下所示:

          QA=(V1–V2)/(V3–V4)
          QB=(V5–V6)/(V7–V8)

            當(dāng)已知ρA和ρB的值時,可以根據(jù)下列公式計算出平均電阻率(ρAVG):
          ρAVG=(ρA+ρB)/2

            高電阻率測量中的誤差可能來源于多個方面,包括靜電干擾、漏電流、溫度和載流子注入。當(dāng)把某個帶電的物理拿到樣本附近時就會產(chǎn)生靜電干擾。要想最大限度減少這些影響,應(yīng)該對樣本進行適當(dāng)?shù)钠帘我员苊馔獠侩姾?。這種屏蔽可以采用導(dǎo)電材料制作,應(yīng)該通過將屏蔽層連接到測量儀器的低電勢端進行正確的接地。電壓測量中還應(yīng)該使用低噪聲屏蔽線纜。漏電流會影響高電阻樣本的測量精度。漏電流來源于線纜、探針和測試夾具,通過使用高質(zhì)量絕緣體,最大限度降低濕度,啟用防護式測量,包括使用三軸線纜等方式可以盡量減少漏電流。

            脈沖式I-V測量

            除了直流I-V和電容測量,脈沖式I-V測量也可用于得出太陽能電池的某些參數(shù)。特別是,脈沖式I-V測量在判斷轉(zhuǎn)換效率、最短載流子壽命和電池電容的影響時一直非常有用。

            本文詳細介紹的這些PV測量操作都可以利用針對半導(dǎo)體評測設(shè)計的自動化測試系統(tǒng)快速而簡便地實現(xiàn),例如來自吉時利儀器公司的4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)4。該系統(tǒng)能夠采用四針探測方式提供并吸收電流,并支持軟件控制的電流、電壓和電容測量。該系統(tǒng)可以配置各種源和測量模塊,進行連續(xù)式的和脈沖式的I-V與C-V測量,得到一些重要的PV電池參數(shù)。例如,該系統(tǒng)可以利用4225-PMU模塊連接到PV電池上進行脈沖式I-V掃描(如圖8所示)5。除了提供脈沖電壓源,該PMU還能夠吸收電流,從而測出太陽能電池的輸出電流,如圖9所示。4200-SCS系統(tǒng)支持各種硬件模塊和軟件測量函數(shù)庫。

          太陽能電池/SMA同軸線連接公共端

          4225-PMU模塊可用于PV電池的脈沖式I-V測量

          圖8.4225-PMU模塊可用于PV電池的脈沖式I-V測量

          硅PV電池脈沖式I-V測量的繪圖表示曲線

          圖9.硅PV電池脈沖式I-V測量的繪圖表示曲線


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