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          設(shè)計(jì)自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)電壓開關(guān)中的常見挑戰(zhàn)

          作者: 時(shí)間:2010-08-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            一個(gè)電壓源到多個(gè)負(fù)載的開關(guān)

            圖2給出了單個(gè)電壓源連接多個(gè)負(fù)載的情形。如果兩個(gè)或多個(gè)負(fù)載連接電源,那么由于流過(guò)公共阻抗(R)(例如引線和線路電阻)的電流影響,每個(gè)負(fù)載上的電壓可能會(huì)小于期望值。隨著額外負(fù)載的接入,總電流將會(huì)增大,從而提高了公共阻抗(R)上的電壓降。

          圖2.一個(gè)電壓源到多個(gè)負(fù)載的開關(guān)

            開關(guān)電阻

            當(dāng)把一個(gè)電壓源切換到多個(gè)器件時(shí),可能必須對(duì)開關(guān)電阻產(chǎn)生的電壓降進(jìn)行補(bǔ)償。特別地,如果器件具有較低的電阻,流過(guò)開關(guān)的電流可能會(huì)產(chǎn)生較大的電壓降。在遠(yuǎn)程檢測(cè)中,負(fù)載上跨接了外部檢測(cè)電路,這種方式有助于校正開關(guān)和布線上的所有電壓降。

            低壓開關(guān)

            當(dāng)開關(guān)控制的信號(hào)電平為毫伏甚至更低時(shí),采用特殊的技術(shù)有助于防止電壓誤差。這些誤差可能來(lái)自于卡上或者連接線中的熱電偏移電壓、開關(guān)膜污染、磁場(chǎng)干擾或接地環(huán)路。

            熱電偏移電壓

            低電壓卡的一項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)是它的接觸電位,即熱電偏移電壓。熱電電壓是不同金屬構(gòu)成的結(jié)點(diǎn)上的溫度差產(chǎn)生的電壓,例如鎳鐵笛簧繼電器與它們連接的銅導(dǎo)體之間。這種溫度梯度主要由激勵(lì)線圈的功耗引起的。這一偏移電壓直接疊加到信號(hào)電壓上,可以建模為一個(gè)不需要的電壓源與目標(biāo)信號(hào)串聯(lián)。偏移電壓會(huì)給待測(cè)器件(DUT)所施加的激勵(lì)或伏特計(jì)測(cè)量的結(jié)果造成誤差。

            多種因素都會(huì)影響熱電電壓導(dǎo)致的卡的漂移電平,包括所采用的繼電器類型(笛簧式、固態(tài)式或機(jī)電式)、線圈驅(qū)動(dòng)技術(shù)(閂鎖或非閂鎖)以及用于觸點(diǎn)電鍍的材料(例如,鎳合金或金)。

            在笛簧繼電器通電之后,它線圈上的功耗將使其溫度上升幾分鐘,因此在觸點(diǎn)閉合之后的幾秒鐘內(nèi)完成低壓測(cè)量是非常重要的。如果在閉合之后的幾分鐘時(shí)間內(nèi)進(jìn)行了很多測(cè)量,那么讀數(shù)中將會(huì)加入不斷增大的熱電電壓。熱時(shí)間常數(shù)的大小可以從幾秒到幾小時(shí)不等。即使固態(tài)繼電器沒(méi)有線圈損耗,內(nèi)部IR壓降產(chǎn)生的熱量仍然會(huì)產(chǎn)生熱電漂移。閂鎖繼電器采用電流脈沖進(jìn)行激勵(lì),因此具有很低的熱電漂移。

            與開關(guān)卡的連接也是一個(gè)產(chǎn)生發(fā)熱電壓的來(lái)源。我們應(yīng)該盡量采用沒(méi)有鍍錫的銅線連接開關(guān)卡,并且保持所有引線處于相同的溫度??梢圆捎靡粋€(gè)短路通道構(gòu)建零基值的方式對(duì)偏移電壓進(jìn)行補(bǔ)償。但是,這種補(bǔ)償方式并不理想,因?yàn)橛捎谧詿岷铜h(huán)境溫度的變化,偏移電壓會(huì)隨著時(shí)間發(fā)生變化。

            在切換低電壓同時(shí)又進(jìn)行低電阻測(cè)量時(shí),可以采用偏移補(bǔ)償?shù)姆绞降窒麩犭娖齐妷?,這需要利用兩個(gè)不同的電流值進(jìn)行兩次電壓測(cè)量。用兩次電壓測(cè)量結(jié)果的差除以兩次電流的差,即可計(jì)算機(jī)出電阻的值



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