基于LabVIEW的單結(jié)晶體管伏安特性測試

　　2.2 單結(jié)晶體管伏安特性參數(shù)的讀取

　　游標(biāo)是圖形的特殊個性化特征，利用圖形的游標(biāo)能夠準(zhǔn)確地讀出曲線上任何一點的數(shù)據(jù)，如圖7所示。這里增加了兩個游標(biāo)，分別命名為P：VPIP和V：VV＆IV，且可以設(shè)置成在圖中顯示，這樣既可直觀地看出具體點的標(biāo)記。名稱后面的數(shù)據(jù)分別表示橫坐標(biāo)電壓和縱坐標(biāo)電流的數(shù)值，且數(shù)據(jù)精度可以根據(jù)需要設(shè)置。因單結(jié)晶體管的反向漏電流很小，只是微安級，所以應(yīng)將精度設(shè)置大些，才能體現(xiàn)出數(shù)據(jù)的變化。移動游標(biāo)，可以讀出任意點的坐標(biāo)，這樣方便于讀數(shù)，游標(biāo)的形狀、顏色均可以改變，增加了使用的靈活性。

　　2.3 單結(jié)晶體管伏安特性分析

　　截止區(qū) 當(dāng)加在第二基極與第一基極間的電壓VBB固定時，等效電路中A點對B1的電壓UA=ηVBB為定值；當(dāng)VE較小，且VEA時，PN結(jié)反偏，此時只有很小的反向漏電流IEO(幾微安)，如前面板中顯示的前幾個電壓值很小時，電流值為負，即圖中曲線的起始段；當(dāng)VE增大，且VE=VA時，PN結(jié)處于零偏，IE=0。當(dāng)VE繼續(xù)增大，且VE>VA時，IE開始大于零。由于硅二極管的正向壓降為0.7 V，所以IE不會顯著的增加，該電壓稱為峰值電壓VP，圖中顯示為VP=6.538 54 V，對應(yīng)的電流稱為峰值電流IP，圖中顯示為IP=0.00 249 A=0.25 mA，這一區(qū)域稱為截止區(qū)，即P點前區(qū)。因為數(shù)值太小，從曲線上看不出來變化趨勢。

　　負阻區(qū) 當(dāng)VE繼續(xù)增加，且VE>VA時，管子轉(zhuǎn)向?qū)?，PN結(jié)電流開始顯著增加，這時將有大量的空穴進入基區(qū)，使E，B1間的載流子大量增加，Re1迅速減小，而RB1的減小又使VA降低，導(dǎo)致IE又進一步加大，這種正反饋的過程，使IE急劇增加，VA下降，此時單結(jié)晶體管呈現(xiàn)了負阻特性，如圖中曲線的P～V段。到了“V”點，負阻特性結(jié)束，V點電壓Vv稱為谷點電壓。前面板中V點坐標(biāo)顯示為Vv=0.867 417 V，對應(yīng)的電流稱為谷點電流Iv(Iv=0.057 295 A=57.29 mA)。

　　飽和區(qū) 過了谷點V之后，繼續(xù)增加VE，IE～VE曲線的形狀接近二極管導(dǎo)通時的正向特性曲線，如曲線“V”點向上段，此時稱為飽和區(qū)。

　　當(dāng)改變VBB電壓時，即改變了閾值電壓VA，此時曲線的峰點電壓也隨之改變。

　　3 結(jié) 語

　　Muhisim 10與LabVIEW相結(jié)合，利用子程序做成測試單結(jié)晶體管弛張振蕩電路中電容器的充放電尖脈沖波形，可以彌補普通示波器測試頻帶窄而不能顯示這些波形的缺陷。這種方法還可以推廣到測試并顯示任何電路中任意兩個量之間的關(guān)系，這對分析電路的伏安特性、傳輸特性等具有很大的意義。