SK海力士擴(kuò)大HBM供應(yīng)量搶占次世代半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績(jī)告捷，在次世代存儲(chǔ)器技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中也占據(jù)優(yōu)勢(shì)，未來(lái)可望帶動(dòng)版圖變化。

　　SK海力士的次世代存儲(chǔ)器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進(jìn)行性能測(cè)試，未來(lái)將有機(jī)會(huì)超越三星電子(SamsungElectronics)和美國(guó)美光(Micron)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中也將居優(yōu)勢(shì)。

　　據(jù)韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士的次世代超高速存儲(chǔ)器(HBM)將優(yōu)先供應(yīng)給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進(jìn)行測(cè)試。

　　SK海力士的次世代DRAM存儲(chǔ)器HBM是將DRAM4層堆疊的產(chǎn)品。與現(xiàn)有的DRAM相比，資訊處理速度快4倍，且耗電量減少約40%。

　　SK海力士計(jì)劃2014年底或2015年第1季，于京畿道利川廠中量產(chǎn)該產(chǎn)品，2015年應(yīng)用在繪圖處理器(GPU)、2016年起優(yōu)先供應(yīng)給伺服器、超級(jí)電腦、網(wǎng)路、高性能電腦等產(chǎn)品使用。之后將擴(kuò)大應(yīng)用范圍到電視游戲機(jī)(gameconsole)、數(shù)位消費(fèi)性產(chǎn)品等。

　　SK海力士的成果來(lái)自于完全改變PC的中央處理器(CPU)設(shè)置模式。目前PC業(yè)者是各自取得CPU和存儲(chǔ)器的供貨，但未來(lái)可能會(huì)以一顆CPU上搭載多顆存儲(chǔ)器的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)形態(tài)進(jìn)行采購(gòu)。裝置往小型、輕量化的方向發(fā)展，芯片也往整合為一的方向發(fā)展。

　　SK海力士2013年底采用直通矽穿孔(TSV)技術(shù)研發(fā)出HBM，目前向固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)申請(qǐng)標(biāo)準(zhǔn)化，全力推動(dòng)商用化。

　　HBMDRAM是可以取代DDR的技術(shù)。智能型手機(jī)時(shí)代來(lái)臨后，電腦和電腦運(yùn)算的DRAM性能和容量也隨之提升，耗電量也要求要縮減。但現(xiàn)有的DDR系列DRAM在降低耗電量同時(shí)提升資訊處理速度方面仍有技術(shù)上限，目前存儲(chǔ)器芯片性能最好的產(chǎn)品為GDDR5，每秒可處理6GB資訊。

　　SK海力士的HBM采TSV技術(shù)，將20納米級(jí)DRAM4層堆疊，克服技術(shù)瓶頸。所謂TSV是將2顆以上芯片垂直堆疊穿孔并形成電極，讓芯片間可傳輸訊號(hào)的尖端封裝技術(shù)。

　　在1.2V電壓下，處理速度為1Gbps，共有1,024個(gè)輸出、輸入口，每秒可處理128GB資訊量。即資訊處理速度快4倍以上，且耗電量較低。

　　韓國(guó)業(yè)界認(rèn)為，存儲(chǔ)器市場(chǎng)版圖將自然而然出現(xiàn)變化。三星在次世代DRAM研發(fā)上也絕對(duì)不遜于SK海力士，但以封裝方式供貨的SK海力??士，在2016年后，可望撼動(dòng)三星電子DRAM強(qiáng)者地位。

　　三星電子強(qiáng)化移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)、晶圓代工等系統(tǒng)芯片事業(yè)，英特爾(Intel)、高通(Qualcomm)等大廠也都出手牽制三星等，對(duì)存儲(chǔ)器事業(yè)也將帶來(lái)影響。