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          基于DSP片外高速海置SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-04-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/257579.htm

          3.2 06201 EMIF 寄存器設(shè)置
          表4列出了配置需要設(shè)置的EMIF寄存器名稱及相應(yīng)的位或位段。


          EMIF全局控制寄存器中的SDCEN位(位6)設(shè)置為1,用來(lái)使能同步時(shí)鐘SDCLK的輸出。EMIFCE2空間控制寄存器中的MTYPE位段(位6~4)設(shè)置為011b,用來(lái)配置CE2為32位寬的SDRAM空間。由IS42S16400數(shù)據(jù)手冊(cè)可查得tRC=70 ns、tRp=18 ns、tRCD=18 ns,故而EMIF SDRAM控制寄存器中的TRC位段(位15~12)應(yīng)設(shè)置為0110b,TRP位段(位19~16)應(yīng)設(shè)置為0001b,TRCD位段(位23~20)應(yīng)設(shè)置為0001b。INIT位(位24)置1,用來(lái)強(qiáng)制對(duì)SDRAM進(jìn)行上電初始化。RFEN位(位25)置1,用來(lái)使能EMIF對(duì)SDRAM的刷新。SDWID位(位26)置1,用來(lái)向EMIF表明所使用的SDRAM芯片的字寬為16位。由于IS42S16400的刷新頻率為每64 ms 4096次,故根據(jù)公式PERIOD=trefesh/tcyc,EMIF SDRAM時(shí)序控制寄存器中的PERIOD位段(位11~O)被設(shè)置為0x61A。

          3.3 CCS開(kāi)發(fā)環(huán)境中SDRAM配置程序源代碼
          TI公司的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境CCS(Code Composer Studio)中,IS42S16400SDRAM芯片的配置程序C代碼如下:


          結(jié) 語(yǔ)
          以上介紹了TMS320C6201 芯片與SDRAM(IS42S16400)的具體硬件接口實(shí)現(xiàn)。由于SDRAM具有的大容量、高速度和低價(jià)格的優(yōu)勢(shì),使用SDRAM構(gòu)建嵌入式應(yīng)用海量會(huì)成為一種行之有效的方法。目前該系統(tǒng)已調(diào)試完畢。使用SDRAM作為系統(tǒng)外接高速、大容量主存儲(chǔ)器具有非常明顯的優(yōu)勢(shì),充分顯示了SDRAM在嵌人式系統(tǒng)中的良好應(yīng)用前景。


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          關(guān)鍵詞: DSP 存儲(chǔ)系統(tǒng) SDRAM

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