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          基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關(guān)電源的方案

          作者: 時(shí)間:2014-04-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏



          設(shè)計(jì)考慮:

          的最大占空比為0.7,為了合理利用占空比以覆蓋超寬的電壓范圍,取反射電壓為150V.根據(jù)最低輸入電壓,滿載條件可知最大占空比為0.62.因此電感為:1.024mH


          選原邊匝數(shù)Np=72,副邊主5V匝數(shù)Ns1=3,芯片Vcc匝數(shù)Nvcc=8;考慮到輸出采用直流層疊的方式,故12V繞組圈數(shù)取4(12V繞組疊加于主5V輸出,而非5V繞組端)。變壓器結(jié)構(gòu)如下:




          測(cè)試結(jié)果:

          負(fù)載調(diào)整率及輸入調(diào)整率:



          上下的開關(guān)波形及輸出紋波:

          結(jié)語(yǔ):

          通過(guò)測(cè)試可以看出:當(dāng)CoolSET內(nèi)部的Vds電壓達(dá)到550V左右時(shí),電壓被TVS所鉗位;通過(guò)原邊電流的續(xù)流將外置徹底關(guān)斷,從而使得整個(gè)關(guān)斷的電壓應(yīng)力由兩個(gè)MOSFET串聯(lián)分擔(dān)。采用二級(jí)LC濾波后,輸出紋波為:24mV(5V),79mV(12V),20mV(隔離5V);交叉調(diào)整率方面可以在輸出不外加線性穩(wěn)壓器情況下實(shí)現(xiàn)10%以內(nèi)的交叉調(diào)整(》10%負(fù)載)。對(duì)于更高壓的設(shè)計(jì),可以采用多個(gè)方式,以800VCoolSET和800VCoolMOS為例,最高耐壓可達(dá)1600V.可以完全適應(yīng)高壓輸入應(yīng)用的要求。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/258376.htm

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