LDO環(huán)路穩(wěn)定性及其對(duì)射頻頻綜相噪的影響
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第一章中我們已經(jīng)討論了LDO加一個(gè)前饋電容可以有效的提高電源的環(huán)路穩(wěn)定性，從而降低LDO的輸出噪聲頻譜密度。基于此，我們?cè)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/TPS7A8101">TPS7A8101輸出加一個(gè)0.47 ？F的前饋電容，修改后的原理圖如下圖12所示。
針對(duì)修改前后的設(shè)計(jì)，我們對(duì)比測(cè)試了相應(yīng)的TRF3765相噪曲線，如圖13所示，由圖可見，增加0.47 ？F輸出電容后，1KHz到10MHz的RMS抖動(dòng)由0.62ps提高到0.49ps.
4結(jié)論
綜合以上兩組測(cè)試的測(cè)試結(jié)果，可以得到下表
由表1可以看到，由于TPS74401的噪聲頻譜密度最小，在給頻綜供電的時(shí)候可以取得最好的相噪性能；TPS7A8101噪聲頻譜密度相對(duì)較大，在給頻綜供電的時(shí)候取得的相噪性能相對(duì)較差；但是通過優(yōu)化TPS7A8101的輸出電路設(shè)計(jì)，頻綜的相位噪聲得到了明顯的改善。
實(shí)測(cè)結(jié)果很好的驗(yàn)證了前文的理論分析，即：LDO的噪聲頻譜密度參數(shù)（NSD）決定了由電源噪聲引起的VCO相噪惡化；通過提高LDO的環(huán)路穩(wěn)定性可以達(dá)到降低噪聲頻譜密度的目的，從而改善頻綜的輸出相噪。
5、參考文獻(xiàn)[1] LDO Noise Examined In Detail （SLAA412）
[2] LDO Noise Demystified （SLYT489）
[3] Externally Inducted VCO Phase Noise， DENNIS COLIN， Mica Microwave
[4] TPS74401 Datasheet （SBVS066M）
[5] TPS7A8101 Datasheet （SBVS179A）
評(píng)論