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          MCP6N11:Microchip儀表放大器應(yīng)用案例分析(獨(dú)家)

          作者: 時(shí)間:2013-09-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          (Instrumentation Amplifier,INA)具有使能/VOS 校準(zhǔn)引腳(EN/CAL)和幾個(gè)最小增益選項(xiàng)。它針對(duì)單電源操作進(jìn)行了優(yōu)化,支持軌到軌輸入(無共模交越失真)和輸出性能。兩個(gè)外部電阻可用于設(shè)置增益,從而最大程度降低增益誤差和溫度漂移。參考電壓(VREF)可以對(duì)輸出電壓(VOUT)電平移位。供電電壓范圍(1.8V 至5.5V)足夠低,可以支持許多便攜式應(yīng)用。所有器件在-40°C 至+125°C 的溫度范圍內(nèi)完全滿足電氣規(guī)范。這些器件具有5個(gè)最小增益選項(xiàng)(1、2、5、10 或100 V/V)。這使用戶可以針對(duì)不同應(yīng)用來優(yōu)化輸入失調(diào)電壓和輸入噪聲。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/258515.htm

          應(yīng)用:

          (INA)采用 最先進(jìn)的CMOS 工藝制造。它具有低成本、低功耗和高速等特性,使其成為電池供電應(yīng)用的理想選擇。

          典型情況下的時(shí)序圖

          基本性能標(biāo)準(zhǔn)電路

          圖1顯示了這些INA 的標(biāo)準(zhǔn)電路配置。當(dāng)輸入和輸出處于其規(guī)定范圍內(nèi)時(shí),輸出電壓約為:圖一為了正常工作,請(qǐng)保持:

          • VIP、VIM、VREF 和VFG 介于VIVL 和VIVH 之間

          • VIP – VIM (即, VDM)介于VDML 和VDMH 之間

          • VOUT 介于VOL 和VOH 之間輸入失調(diào)電壓(VOS)通過電壓VTR 進(jìn)行修正。

          每次發(fā)生VOS 校準(zhǔn)事件時(shí),VTR 都會(huì)更新為最佳值(當(dāng)時(shí))。這些事件通過上電(通過POR 進(jìn)行監(jiān)視)或通過將EN/CAL 引腳翻轉(zhuǎn)為高電平進(jìn)行觸發(fā)。GM3(I3)的電流輸出是恒定的,并且極?。ㄔ谝韵掠懻撝袑⒓俣?)。輸入信號(hào)施加到GM1。

          圖1 顯示了這些INA 的標(biāo)準(zhǔn)電路配置。當(dāng)輸入和輸出處于其規(guī)定范圍內(nèi)時(shí),輸出電壓約為:

          圖1

          架構(gòu)
          圖2 給出了這些INA 的框圖。

          圖2

          輸入失調(diào)電壓(VOS)通過電壓VTR 進(jìn)行修正。每次發(fā)生VOS 校準(zhǔn)事件時(shí),VTR 都會(huì)更新為最佳值(當(dāng)時(shí))。這些事件通過上電(通過POR 進(jìn)行監(jiān)視)或通過將EN/CAL 引腳翻轉(zhuǎn)為高電平進(jìn)行觸發(fā)。GM3(I3)的電流輸出是恒定的,并且極?。ㄔ谝韵掠懻撝袑⒓俣?)。輸入信號(hào)施加到GM1。公式4-2 顯示了輸入電壓(VIP和VIM)以及共模和差分電壓(VCM 和VDM)之間的關(guān)系。

          應(yīng)用技巧最小穩(wěn)定增益

          對(duì)于不同的最小穩(wěn)定增益(1、2、5、10 和100 V/V ;請(qǐng)參見表1-1),提供了不同的選項(xiàng)。為了保持穩(wěn)定,差分增益(GDM)需要大于等于GMIN。挑選器件時(shí), GMIN 較高的器件具有輸入噪聲電壓密度(eni)較低、輸入失調(diào)電壓(VOS)較低和增益帶寬積(Gain Bandwidth Product,GBWP)較高的優(yōu)點(diǎn);請(qǐng)參見表1。GMIN 較高時(shí),差分輸入電壓范圍(VDMR)較低;但在GDM ≥ 2 時(shí),輸出電壓范圍總是會(huì)限制VDMR。

          容性負(fù)載

          驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載會(huì)使放大器產(chǎn)生穩(wěn)定性問題。當(dāng)負(fù)載電容增大時(shí),反饋環(huán)路的相位裕度會(huì)減小,閉環(huán)帶寬也會(huì)變窄。這會(huì)使頻率響應(yīng)產(chǎn)生增益尖峰,并使階躍響應(yīng)中產(chǎn)生過沖和振鈴。增益(GDM)較低時(shí),對(duì)容性負(fù)載會(huì)更為敏感。使用這些驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載(例如,> 100 pF)時(shí),在輸出端上串聯(lián)一個(gè)小電阻(圖4-8 中的RISO),可使輸出負(fù)載在較高頻率時(shí)呈阻性,從而改善反饋環(huán)路的相位裕度(穩(wěn)定性)。然而,其帶寬通常會(huì)低于無容性負(fù)載時(shí)的帶寬。

          推薦閱讀:

          儀表放大器概述

          摘要:MCP6N11 儀表放大器(Instrumentation Amplifier,INA)具有使能/VOS 校準(zhǔn)引腳(EN/CAL)和幾個(gè)最小增益選項(xiàng)。它針對(duì)單電源操作進(jìn)行了優(yōu)化,支持軌到軌輸入(無共模交越失真)和輸出性能。本文就MCP6N11一些基本 參數(shù)及應(yīng)用做了詳細(xì)介紹。



          關(guān)鍵詞: MCP6N11 儀表放大器 Microchip

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