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          FL7730應(yīng)用:TRIAC調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)指南(獨(dú)家收錄)

          作者: 時(shí)間:2013-08-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/258543.htm

          3. 有源阻尼設(shè)計(jì)

          在調(diào)光器觸發(fā)時(shí),有必要采用與輸入濾波電容串聯(lián)的阻性阻尼。在調(diào)光器觸發(fā)時(shí),引起較大的電流尖峰,通過(guò)電源線路,為電容CIN快速充電。如果沒(méi)有阻性阻尼, 該電流尖峰將引起電源電流振蕩,大電流將引起調(diào)光器誤觸發(fā),破壞器。采用阻尼電阻可以抑制尖峰電流,阻尼電阻的功耗也會(huì)較高。阻尼電阻不僅能夠阻尼尖峰電流,而且也能夠處理來(lái)自反激變換器的輸入電流。

          鑒于此,提出了一種有源阻尼電路的專利線路,可以降低功耗,而且所需外圍器件最少。在圖14 中,RAD 為有源阻尼電阻,QAD為有源MOSFET,用以降低RAD的功耗。RD 和 CD 為延時(shí)電路元件。DD 為復(fù)位二極管,用于泄放CD。

          圖15給出了有源阻尼的工作波形。按照順序,給出不同模式分析如下:

          M1:調(diào)光器關(guān)斷時(shí)間;QAD 關(guān)斷.

          M2:調(diào)光器觸發(fā),出現(xiàn)尖峰電流.

          在延時(shí)電路(RD 和 CD)作用下,VGATE逐漸增加.

          M3: 在充電VGATE 作用下,QAD開(kāi)通. VAD 被調(diào)節(jié)為QAD的閾值電壓VTH

          M4: 在DD 作用下,CD 放電。VGATE 得到復(fù)位,為下一個(gè)電源周期做好準(zhǔn)備。放電電流的路徑為DD - RAD - CD.

          在M3階段,QAD 將VAD 電壓調(diào)節(jié)成為其閾值電壓(VTH),由此顯著地降低RAD的功耗。表3 給出了無(wú)源和有源阻尼電路的功耗比較。有源阻尼電路的功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于無(wú)源阻尼電路的電阻功耗。在低電源電壓(110VAC) 時(shí),輸入電流較高,阻尼電阻需要處理較大的電流。因此,在低電源電壓(110VAC)時(shí),強(qiáng)烈推薦采用有源阻尼電路。

          3.1 有源阻尼電阻(RAD)的選擇

          應(yīng)該首先校驗(yàn)電壓與電流尖峰。超過(guò)額定電壓時(shí),電壓尖峰能夠破壞MOSFET和濾波電容。在調(diào)光器觸發(fā)時(shí), 電流尖峰引起電流振蕩。如圖16所示,在觸發(fā)時(shí),如果RAD較小,出現(xiàn)IIN 振蕩。該振蕩電流使IIN下降,進(jìn)而下降的IIN導(dǎo)致出現(xiàn)誤觸發(fā)和可見(jiàn)閃爍。另外,采用較小RAD時(shí),過(guò)大的峰值電流尖峰,將會(huì)破壞TRIAC的調(diào)光器,尤其當(dāng)調(diào)光LED燈泡并聯(lián)時(shí)更為如此。因此,在選取RAD時(shí),應(yīng)該注意幾個(gè)要點(diǎn):。

          • 電壓尖峰(應(yīng)該低于器件的擊穿電壓)
          • 電流尖峰(應(yīng)該低于器的額定電流。如果考慮LED燈泡并聯(lián),電流尖峰的降低應(yīng)與LED燈泡數(shù)量成反比)
          • 電流振蕩(校驗(yàn)觸發(fā)時(shí)IIN的降低程度,判定是否足夠高于TRIAC的維持電流)

          完成上述事項(xiàng)的校驗(yàn)后,為了獲得最大效率,選擇最小的RAD值。

          3.2 有源阻尼MOSFET (QAD)的選擇

          最大VAD 應(yīng)該低于QAD的擊穿電壓。選擇RAD之后,可以在90º調(diào)光角下校驗(yàn)最大VAD 。然后,選擇擊穿電壓裕量合適的QAD。對(duì)于8W LED燈泡,選擇1~2A的額定電流,電流裕量充足。如表3所示,具有較低閾值電壓的邏輯電平MOSFET能夠額外地降低損耗,原因是VAD已經(jīng)被調(diào)節(jié)成QAD 的閾值電壓。

          3.3 有源阻尼二極管(DD)的選擇

          有源阻尼二極管對(duì)CD放電,用來(lái)復(fù)位VGATE。額定正向電流1A的二極管足夠用來(lái)對(duì)CD放電。對(duì)QAD 的選擇同樣如此,在選擇DD反向電壓時(shí),應(yīng)該首先在90°調(diào)光角和最高輸入電源電壓時(shí)檢驗(yàn)最大VAD。

          3.4 有源阻尼延時(shí)電路(RD, CD)的選擇

          在QAD 開(kāi)通之前,延時(shí)電路(RD, CD)應(yīng)該產(chǎn)生一個(gè)足夠長(zhǎng)的延時(shí)時(shí)間,用于RAD 阻尼電流尖峰。對(duì)于尖峰電流,最壞的情況是調(diào)光角為90°。應(yīng)該首先在調(diào)光角為90°時(shí),對(duì)尖峰電流振蕩進(jìn)行校驗(yàn),以便確定阻尼尖峰電流需要多長(zhǎng)時(shí)間。然后,調(diào)節(jié)RD和 CD,保證足夠的阻尼時(shí)間。推薦的RD和 CD值為幾百nF和幾十kΩ。如果CD過(guò)大和RD 非常小,在M4階段,DD 不能完全對(duì)CD放電,如圖15所示。

          設(shè)計(jì)范例

          圖17給出了一個(gè)8W LED燈泡系統(tǒng)有源阻尼的設(shè)計(jì)范例。如圖18和圖19所示,80kΩ RD 與 100nF CD產(chǎn)生的延時(shí)大約為1ms。在延時(shí)期間,220Ω RAD 阻尼電壓和電流尖峰時(shí),沒(méi)有出現(xiàn)電流振蕩或調(diào)光器誤觸發(fā)。

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