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	 > 電源與新能源 > 設計應用 > 高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設計與應用指南
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設計與應用指南
          
						
          
				作者：
				時間：2007-07-26
				來源：網(wǎng)絡

				
				
				
				
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          摘要 

          本文將展示一個用來設計高速開關應用所需的高性能柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)性方案。它綜合了各方面的信息，可一次性解決一些最常見的設計問題。因此，各個層面的電力電子工程師都值得一讀。 

          文中分析了一些最流行的電路方案及其性能，包括寄生元件、瞬間和極端工作條件的影響。首先，文章對MOSFET技術(shù)和開關操作進行了大致討論，從簡單問題逐漸轉(zhuǎn)向復雜問題，并詳細講述了低端和高端柵極驅(qū)動電路以及交流耦合和變壓器隔離式方案的設計程序。另外，文章還專門用一個章節(jié)的內(nèi)容來討論同步整流器應用中MOSFET的柵極驅(qū)動要求。 

          最后，本文還提供了多個分步驟的設計案例。 

          簡介 

          MOSFET，全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管，是電子產(chǎn)品領域各種高頻高效開關應用的關鍵元器件。FET技術(shù)發(fā)明于1930年，比雙極晶體管還要早大約20年，這一點令人感到意外。最早的信號級FET晶體管出現(xiàn)在20世紀50年代末，而功率MOSFET則是在70年代中期問世的。如今，數(shù)百萬的MOSFET晶體管被集成到了各種電子元器件中，從微控制器到“離散式”功率晶體管。 

          本話題的重點在于各種開關模式電源轉(zhuǎn)換應用中功率MOSFET的柵極驅(qū)動要求。 
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/258786.htm
          作者：Laszlo Balogh，德州儀器
          高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設計與應用指南 
                      
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            MOSFET
                        德州儀器
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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