TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器（P30）升級(jí)
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時(shí)間：2007-05-25
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器可滿足新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30)的需求。英特爾公司正從第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)向第四代130nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30)過(guò)渡。從J3 到 P30存儲(chǔ)器的轉(zhuǎn)變可以減少系統(tǒng)在運(yùn)行中消耗的總電流，因?yàn)镻30 VCC所需電壓降低到1.8伏。英特爾推薦采用一個(gè)LDO線性調(diào)節(jié)器來(lái)提供新的1.8伏電壓軌。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/258868.htm
TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器（P30）升級(jí)
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