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          AGC中頻放大器設(shè)計(jì)(下)

          作者: 時(shí)間:2006-11-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          設(shè)計(jì)技術(shù)難點(diǎn)及解決措施

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/259079.htm

            

            ◇采用微波二極管提高電路精度  

            該中頻放大器的三級電壓增益放大均有三只PIN微波二極管 (2K4D)整形緩沖,它對輸出增益的一致性和增益控制電壓值尤其重要,該二極管的參數(shù)為:反向電壓VB≥200 V、正向微分電阻Rr≤1Ω、結(jié)電容CP≤0.40PF、耗散功率PW≥0.3w。開始組裝時(shí),只注意到滿足軍品二極管的通用特性,但產(chǎn)品的一致性(相對控制電壓值各對應(yīng)的各輸出幅值)都沒有引起足夠的重視,無法按用戶要求的四個(gè)一組進(jìn)行配套,即容易造成生產(chǎn)成本的浪費(fèi)。在初次問題分析中始終沒有找到問題所在,只是認(rèn)為三個(gè)中放電路的不一致。經(jīng)與用戶探討和試驗(yàn)摸索發(fā)現(xiàn):微波二極管的正向微分電阻和結(jié)電容直接影響其輸出一致性。事實(shí)上,二項(xiàng)參數(shù)一起配對并且一塊三只,四塊一組共12支要求一樣也比較困難,組裝前的篩選配對很難進(jìn)行。之后經(jīng)過逐級分析、微調(diào)試驗(yàn),才能總結(jié)出它的變化規(guī)律。實(shí)際上,只要控制好三級中頻放大對應(yīng)位置的二極管的一致性,即可達(dá)到輸出對應(yīng)。至此,便可采用精分微波二極管的結(jié)電容,將其參數(shù)一致性的結(jié)電容(精確到0.01PF)裝在一起,以減少配套的工作量。在組裝時(shí),將一致的二極管焊在同一級的位置上,從而提高了產(chǎn)品的合格率,達(dá)到了用戶要求。但針對各批次的一致性精度,還需掌握其規(guī)律進(jìn)行控制,故要繼續(xù)統(tǒng)計(jì)分類,保證用戶放心使用和更換。

            產(chǎn)品特點(diǎn)  

            因?yàn)樵摲糯笃鳘?dú)特的通用性,與同類產(chǎn)品相比,針對原分立器件組裝的中頻放大器專用模塊,該產(chǎn)品除保證了原有的電特性有所提高以外,還有如下一些特點(diǎn):

            (1)模塊尺寸小,引出端采用標(biāo)準(zhǔn)28線平行封焊,插拔更換比較方便。

            (2)重量輕,機(jī)械可靠性好。由于采用全表面貼裝結(jié)構(gòu),元器件全部小型化、微型化,使之重量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于分立器件,同時(shí)抗振動沖擊能力增強(qiáng),不會出現(xiàn)引線振動沖斷。

            (3)采用全金屬接地屏蔽、調(diào)諧方便。由于備份調(diào)整端子多,帶通濾波器外接,故可根椐需求很容易改變中心頻率和增益范圍等。

            (4)模塊產(chǎn)品尺寸如圖4所示。



            (5)該放大器的引出端排列符合圖5規(guī)定。表1所列是其引出端功能。





            結(jié)論  

            表2給出了該放大器的實(shí)測數(shù)據(jù)與要求指標(biāo)的比較。



            該產(chǎn)品在生產(chǎn)和調(diào)試過程中,嚴(yán)格按照制定好的工藝流程和質(zhì)量控制進(jìn)行。加之表面組裝的厚膜工藝和殼體封裝工藝都比較成熟,因而其實(shí)測數(shù)據(jù)完全滿足要求,且已通過設(shè)計(jì)定型。本中頻放大器模塊可取代由分立器件組裝的電路形式。該模塊是中頻放大器專用模塊的一個(gè)新品種,為今后同類產(chǎn)品的研制提供了相對很好的經(jīng)驗(yàn)。





            ◇結(jié)構(gòu)布局  

            該AGC中頻放大器的中心頻率為70 MHz(屬高頻范圍),其結(jié)構(gòu)布局非常重要。在電路設(shè)計(jì)初期,雖然根據(jù)引線尺寸結(jié)構(gòu)和電路流程進(jìn)行了精細(xì)布局,縮短走線,靠近各引線端,控制線寬和線間距。但電路仍不理想,在信號衰減60dB時(shí)就被埋沒,信號為0dB、10dB時(shí)就有自激振蕩,通過大量的實(shí)驗(yàn)和消自激電容的調(diào)整以及穿插接地,使之勉強(qiáng)在寬增益下達(dá)到輸出要求。但在殼體尺寸進(jìn)一步降低時(shí),根據(jù)這些數(shù)據(jù)整理和前后級屏蔽地線分級隔離,重新布局繪制平面厚膜電路,尤其是相鄰強(qiáng)弱信號的地線屏蔽使其對微弱信號的干擾減少。另外,輸入、輸出分別設(shè)計(jì)在陶瓷基板的兩頭對角,內(nèi)部電路流程設(shè)計(jì)成S走線,并如圖3所示分別隔離,最終才達(dá)到指標(biāo)要求,即使這樣,在高低溫實(shí)驗(yàn)時(shí)仍有不穩(wěn)定現(xiàn)象。通過微調(diào)電容和殼體接地點(diǎn)實(shí)驗(yàn),終于發(fā)現(xiàn)殼體的影響和端口駐波反射、內(nèi)部功率電阻對射頻放大器的干擾影響。經(jīng)過再次改進(jìn)電路布局,將多余端線接口引線直接焊到基板,輸入、輸出端口采用高頻插頭以及殼體大面積接地,包括基背面導(dǎo)電帶接地,并調(diào)大功率電阻的面積,減小發(fā)熱,才使之能在高低溫下穩(wěn)定可靠的工作,同時(shí)還使其以自身來補(bǔ)償輸出自激。


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