E波段和F波段波導(dǎo)H面T型縫隙耦合器
5 耦合器實(shí)物樣品制作
實(shí)際腔體加工時(shí)把耦合體部分和蓋板分開加工,最后裝配組合而成,如圖5所示。在毫米波段,腔體內(nèi)表面的粗糙不平會(huì)引起很大的衰減,因此加工時(shí)內(nèi)表面光潔度一般要求優(yōu)于▽12,實(shí)際制作時(shí)在腔體內(nèi)表面鍍金。為了保證腔體不變形,要選擇合理的工藝方案,并盡可能提高加工精度。
圖5 耦合器實(shí)物樣品
6 結(jié)論
在傳統(tǒng)H面T型耦合器的基礎(chǔ)上,采用了耦合槽縫緊靠波導(dǎo)寬面的非對(duì)稱結(jié)構(gòu),應(yīng)用HFSS軟件分別進(jìn)行了E和F波段耦合器的仿真分析和設(shè)計(jì),并制作了實(shí)物樣品。仿真得到的E波段耦合器在72-78 GHz 內(nèi)耦合度18dB,輸入端反射系數(shù)-23dB,平坦度為±0.5dB;F波段耦合器在106-114 GHz內(nèi)耦合度13dB,輸入端反射系數(shù)-17dB;平坦度為±0.5dB。
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