SAW、BAW和無(wú)線的未來(lái)

雖然BAW和FBAR濾波器的制造成本更高，其性能優(yōu)勢(shì)非常適合極具挑戰(zhàn)性的LTE頻帶以及PCS頻帶，后者的發(fā)送和接收路徑間只有20MHz的狹 窄過(guò)渡范圍。 BAW和FBAR濾波器的IDT可做得足夠大，以支持4W@2GHz的更高射頻功率。BAW器件對(duì)靜電放電有固有的高阻抗，其BAW-SMR變體具有約 -17ppm/℃ @2GHz的TCF 。

隨著頻譜擁擠導(dǎo)致縮窄甚至舍棄保護(hù)頻帶的趨勢(shì)，對(duì)于高性能濾波器的需求顯著增加。 BAW技術(shù)使人們有可能設(shè)計(jì)出具有非常陡峭濾波器裙邊、高抑制性能以及溫漂很小的窄帶濾波器，它非常適合處理相鄰頻段之間非常棘手的干擾抑制問(wèn)題。 TriQuint及其它濾波器制造商的工程師正在努力實(shí)現(xiàn)4％或更高帶寬、損耗更低、TCF基本為零的BAW-SMR濾波器。

BAW 器件所需的制造工藝步驟是SAW的10倍，但因它們是在更大晶圓上制造的，每片晶圓產(chǎn)出的BAW器件也多了約4倍。即便如此，BAW的成本仍高于SAW。 然而，對(duì)一些分配在2GHz以上極具挑戰(zhàn)性的頻段來(lái)說(shuō)，BAW是唯一可用方案。因此，BAW濾波器在3G/4G智能手機(jī)內(nèi)所占的份額在迅速增長(zhǎng)。

我 們TriQuint的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)專注于優(yōu)化BAW和 BAW-SMR架構(gòu)，而非FBAR架構(gòu) 。在BAW-SMR濾波器底部電極下方使用的聲反射器使其在FBAR面臨挑戰(zhàn)的頻段擁有優(yōu)化的帶寬性能。反射器使用的二氧化硅還顯著減少了BAW的整體溫 漂，該指標(biāo)遠(yuǎn)好于BAW甚至FBAR所能達(dá)到的水平。由于諧振器位于結(jié)實(shí)的材料塊上，其散熱比FBAR好得多，后者采用一個(gè)膜，僅能通過(guò)邊緣散熱。這使得 BAW器件可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，不久就會(huì)有可用于小蜂窩基站應(yīng)用10W級(jí)器件的問(wèn)世。

總結(jié)

未來(lái)幾年，SAW、TC-SAW和BAW濾波器及雙工器的各種選擇將成為各類無(wú)線設(shè)備更重要的組成部分。隨著各類發(fā)射器的增加、更高頻率內(nèi)更多無(wú)線頻段的分配、加之全球頻譜管理依然各自為政，射頻干擾抑制將變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。