PCB印制電路板信號(hào)損耗測(cè)試技術(shù)

2.2 有效帶寬法

有效帶寬法（Effective Bandwidth,簡稱EBW）從嚴(yán)格意義來說是一個(gè)定性的傳輸線損耗α的測(cè)量，無法提供定量的插入損耗值，但是提供一個(gè)稱之為EBW的參數(shù)。有效帶寬 法是通過TDR將特定上升時(shí)間的階躍信號(hào)發(fā)射到傳輸線上，測(cè)量TDR儀器和被測(cè)件連接后的上升時(shí)間的最大斜率，確定為損耗因子，單位MV/s.更確切地 說，它確定的是一個(gè)相對(duì)的總損耗因子，可以用來識(shí)別損耗在面與面或?qū)优c層之間傳輸線的變化.由于最大斜率可以直接從儀器測(cè)得，有效帶寬法常用于印制 電路板的批量生產(chǎn)測(cè)試。EBW測(cè)試示意圖如圖4所示。

2.3 根脈沖能量法

根脈沖能量法（Root ImPulse Energy,簡稱RIE）通常使用TDR儀器分別獲得參考損耗線與測(cè)試傳輸線的TDR波形，然后對(duì)TDR波形進(jìn)行信號(hào)處理。RIE測(cè)試流程如圖5所示：

2.4 短脈沖傳播法

短脈沖傳播法（Short Pulse Propagation,簡稱SPP）測(cè)試原理為利用測(cè)量兩條不同長度的傳輸線，如30 mm和100 mm,通過測(cè)量這兩個(gè)傳輸線線長之間的差異來提取參數(shù)衰減系數(shù) 和相位常數(shù) ,如圖6所示。使用這種方法可以將連接器、線纜、探針和示波器精度的影響降到最小。若使用高性能的TDR儀器和IFN（Impulse Forming Network），測(cè)試頻率可高達(dá)40 GHz.

2.5 單端TDR差分插入損耗法

單端TDR差分插入損耗法（Single-Ended TDRto Differential Insertion Loss,簡稱SET2DIL）有別于采用4端口VNA的差分插損測(cè)試，該方法使用兩端口TDR儀器，將TDR階躍響應(yīng)發(fā)射到差分傳輸線上，差分傳輸線末 端短接，如圖7所示。SET2DIL法測(cè)量典型的測(cè)量頻率范圍為2 GHz ~ 12 GHz,測(cè)量準(zhǔn)確度主要受測(cè)試電纜的時(shí)延不一致和被測(cè)件阻抗不匹配的影響。SET2DIL法優(yōu)勢(shì)在于無需使用昂貴的4端口VNA及其校準(zhǔn)件，被測(cè)件的傳輸 線的長度僅為VNA方法的一半，校準(zhǔn)件結(jié)構(gòu)簡單，校準(zhǔn)耗時(shí)也大幅度降低，非常適合用于PCB制造的批量測(cè)試，如圖8所示。