雙向射頻收發(fā)器NCV53480在下一代RKE中的應(yīng)用
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（2）Wake on Pattern 模式
NCV53480 可以設(shè)定一個(gè)sniff interval值，確定每隔多長(zhǎng)時(shí)間自動(dòng)檢測(cè)一次是否接收到wake up pattern。如果沒有則返回到睡眠模式，如果接收到wake up pattern則開始檢測(cè)Chip ID, 當(dāng)Chip ID也檢測(cè)到之后會(huì)產(chǎn)生一個(gè)Xint 中斷信號(hào)喚醒外部MCU接收數(shù)據(jù)包，或者從接收Buffer中讀取數(shù)據(jù)包。數(shù)據(jù)包接收完成后，MCU通過I2C總線發(fā)送指令使NCV53480再次進(jìn)入 Sniff模式，然后MCU自己再進(jìn)入深度睡眠。如此循環(huán)。
在實(shí)際應(yīng)用中， NCV53480在Sniff模式下實(shí)現(xiàn)自己輪詢，從而解放MCU，使MCU以及其他部件進(jìn)入深度睡眠狀態(tài)，降低系統(tǒng)待機(jī)功耗。當(dāng)NCV53480接收到高頻喚醒信號(hào)后，發(fā)送中斷信號(hào)給MCU，從而喚醒整個(gè)系統(tǒng)。
待機(jī)過程中只有NCV53480需要活動(dòng)，所以其在Sniff 模式下待機(jī)功耗的評(píng)估就顯得非常重要。我們以Wake On Pattern 模式為例詳細(xì)說明一下。
在Wake On Pattern模式中評(píng)估NCV53480功耗的幾個(gè)重要參數(shù)如下：
●Sniff interval time (Tsi) ---既每Tsi秒查詢一次是否有Wake Pattern。
●在Sniff interval 時(shí)間內(nèi)大部分時(shí)間都處于睡眠狀態(tài)。除掉Receive Dwell time 以及Code Dwell time。
●Receive Dwell time (Trd) ---每次Sniff后用Trd的時(shí)間來檢測(cè)是否有wake pattern，這段時(shí)間屬于基本接收狀態(tài)。
●Code Dwell time (Tcd) ---每次確定有wake pattern后用Tcd時(shí)間來確認(rèn)Chip ID是否正確，這段時(shí)間屬于基本接收狀態(tài)
●Wake Pattern誤判斷概率 (Pm)---待機(jī)狀態(tài)下由于應(yīng)用環(huán)境中的同頻噪聲導(dǎo)致Wake Pattern誤判斷而進(jìn)入Code Dwell time.
基本接收狀態(tài)下電流Ir為10mA, 睡眠狀態(tài)下電流Is最大為1μA.
這樣在待機(jī)狀態(tài)下NCV53480的平均電流為：
Iave=(Tsi*Is+Trd*Ir+Tcd*Ir*Pm)/Tsi (方程式1)
舉個(gè)例子：
當(dāng)通訊速率設(shè)置為8kbps, 既0.125ms/bit;
每隔10秒（最大25.6秒）輪詢一次，(Tsi) =10s ；
每次用10ms的時(shí)間搜索16位（最大16位）的wake pattern, (Trd)=10ms；
搜索到wake pattern后用3ms的時(shí)間搜索16位（最大16位）的Chip ID, (Tcd)=3ms。
Wake Pattern誤判斷概率為0.1%, (Pm)=0.1%
根據(jù)方程1：Iave=(Tsi*Is+Trd*Ir+Tcd*Ir*Pm)/Tsi =10.1μA。
這樣整個(gè)系統(tǒng)就可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)非常低功耗的待機(jī)模式。 既使用250mAh的電池也可以待機(jī)2年以上。
評(píng)論