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          無增益折衷的CMOS LNA輸入匹配網(wǎng)絡(luò)

          作者: 時間:2013-10-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/259682.htm

          提出的增加了一個并聯(lián)電容器Cg,如圖3所示前述的柵極電感創(chuàng)建了一個Л。它顯示了用于提出的(b)的輸入阻抗計算的小信號電路。如上所述,Rf和Cf是由電容反饋機制形成的。電感Lg可分為兩個較小的部分:L1和Lf。這兩個電感與Cg和Cf諧振。共振頻率的輸入阻抗為:

          提出的輸入的有效增益是:

          方程13顯示,提出的的有效增益可以通過減小Rf值來增加,而不像電容反饋LNA和L-CSLNA,其有效增益受到50 Ω匹配條件的限制。當減小Rf時,根據(jù)方程12,LNA的輸入阻抗可以通過減小L1匹配到50 Ω。電容Cg和電感L1為LNA設(shè)計增加了額外的自由度。

          有效增益不再受到輸入匹配條件的限制。因此,提出的LNA將能夠?qū)崿F(xiàn)比L-CSLNA和電容反饋LNA高得多的增益。圖4顯 示了在同樣功耗水平和輸出負載條件下,提出的LNA和L-CSLNA的S21和S11的響應(yīng)情況。在要測試的頻率下,兩個LNA的設(shè)計具有相同的輸入匹 配。提出的LNA顯示了更好的增益性能。LNA的增益為3 dB,高于L-CSLNA。帶寬(BW)隨著的有效增益而增加。但是,如下所示,這個仿真中的LNA的帶寬對所需標準來說仍然足夠大。提出的 LNA的噪聲系數(shù)是:

          方程11相比,由于Л網(wǎng)絡(luò)的緣故,RLg的噪聲貢獻增加了。不過,當LNA設(shè)計的Geff_?高于Geff_no_L時,來自 的噪聲貢獻可以減少。因此,它可以彌補由RLg造成的損耗。此外,當Geff_??增加時,級聯(lián)級的噪聲貢獻也會減少。對于頻率f0條件下的窄帶LNA,設(shè)計步驟總結(jié)如下。

          為實現(xiàn)最好的晶體管性能,要采用最小的通道長度。

          為了實現(xiàn)高增益和低噪聲,Rf的值要設(shè)計得盡可能小。不過,正如上面所討論的,所需應(yīng)用的帶寬必須保持足夠。此外,當Rf下降時,所需的L1減小,但所需的Cg增加。由于Cg的負極板直接連接到地,其值應(yīng)該不會太大。

          Cg和L1的值來自于方程12。

          根據(jù)所需的增益和可用芯片面積確定Lf的值。Lf越大,得到的增益越高。在f0,Cf與Lf諧振。

          鑒于特定漏電流和所需的Rf和Cf值,可根據(jù)方程6-9設(shè)計晶體管的尺寸和偏置。

          為了驗證這一理論,采用IBM的0.13 μm RF CMOS技術(shù)設(shè)計和制作了一個LNA。其原理如圖3(a)所示。所有電感器均在片上。在要測試頻率,電感LL將與晶體管M2的漏極節(jié)點的總電容產(chǎn)生諧振。電感Lg和電容Cg的設(shè)計可以滿足匹配條件。該LNA的第二級是輸出緩沖區(qū)。輸出緩沖區(qū)的目的是要將輸出端口匹配在測設(shè)備的50 ?負載。緩沖區(qū)的負載效應(yīng)與LNA級的混頻器加載效果大致相同。

          測量結(jié)果

          LNA的芯片顯微照片如5所示??偯娣e包括輸出緩沖區(qū)0.74×0.84 mm的焊盤(pad)。圖6顯 示了提出的LNA的電壓增益、S11和S22。還制作了一個與提出的LNA相同功耗水平和輸出負載條件的L-CSLNA。在2.4 GHz時LNA的電壓增益為21.5 dB,而L-CSLNA的電壓增益為18.8 dB。測得的LNA的增益是2.7 dB,高于L-CSLNA。提出的LNA具有良好的輸入和輸出匹配。在2.4 GHz條件下,S11的值是?12 dB,S22的值是-16 dB。如圖7所示,相應(yīng)的NF為4.9 dB。實測的NF超過了仿真的NF,達1 dB。這個大的差異歸因于惡劣的噪聲建模和工藝變化。IEEE.802.15.4接收器可以容許LNA和混頻器的噪聲系數(shù)為11.2或10.5 dB1。如果我們的LNA用在接收器前端,就需要一個NF小于19.8 dB的混頻器。這樣一個寬松的NF要求用目前的CMOS混頻器設(shè)計不難實現(xiàn)。LNA的IIP3為-12 dBm。核心LNA從1 V電源電壓汲?。╠raw)0.6 mA。總功耗僅為0.6 mW。

          這個LNA與文獻中公布結(jié)果的比較列于表1。雖然幾個LNA11-14 都有較好的NF,但比提出的LNA消耗的功率更多。此外,這種低NF對應(yīng)用是沒有必要的1,與提出的LNA相比性能相當類似。不過,該LNA采用了一個大電阻負載來實現(xiàn)高增益。因此,它不能在1 V的低電源電壓下操作。部分LNA13,14 顯示了增益和線性度之間的折衷。它們的IIP3較高,但功耗要高得多,增益比提出的LNA低得多。根據(jù)表1計算的FOM,該LNA具有最好的FOM1和可接受FOM2。

          結(jié)論

          本文提出了一個新的輸入匹配拓撲結(jié)構(gòu),無需對CSLNA增益進行折衷。輸入網(wǎng)絡(luò)使用電容反饋和?網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)?;谶@種方法,CSLNA能夠?qū)崿F(xiàn)更高的增益,同時保持良好的輸入匹配和低功耗。本文解釋了LNA的設(shè)計和制作的設(shè)計方法。與L-CSLNA相比,淘汰了源電感Ls,并獲得了較高的增益。提出的LNA僅消耗0.6 mW,同時提供了非常高的增益、良好的輸入匹配和適中的NF。


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