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          RFID標簽天線的設(shè)計與測量

          作者: 時間:2013-09-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/259696.htm

          1引言

          RFID標簽是RFID應(yīng)用技術(shù)的主要組成部分,RFID標簽的性能通常決定整個應(yīng)用技術(shù)方案的有效性和實施性,因此RFID技術(shù)的實施中大多 以解決RFID標簽性能為主導。標簽的組成可分為芯片和天線兩大組成部分,標簽的性能及其性能分析也是從這兩個組成部分展開。然而在芯片型號定型后,天線 的性能及與芯片的匹配性也就決定了標簽的性能,因此天線的設(shè)計為標簽設(shè)計主題部分。

          目前關(guān)于的設(shè)計已有較多的文獻,但很少關(guān)于標簽實際應(yīng)用中復(fù)雜材料環(huán)境下的設(shè)計與測量的文獻。本文著重介紹了復(fù)雜材料環(huán)境條件下進行天線的設(shè)計與測量方法,并結(jié)合工程實施例加以說明。

          2 設(shè)計理論

          的設(shè)計通常指在給定天線工藝條件下,針對具體應(yīng)用要求,在規(guī)定尺寸范圍內(nèi)進行設(shè)計與芯片相匹配的天線。在實際設(shè)計工程中主要解 決規(guī)定的尺寸范圍及工作環(huán)境件下天線的輸入阻抗與芯片在工作頻段達到共軛匹配。除了天線設(shè)計外,還要關(guān)注天線輻射效率、極化方向及輻射方向圖等參 數(shù)。

          2.1天線的基礎(chǔ)知識

          天線是一種能量轉(zhuǎn)換裝置,即把導行波與空間輻射波相互轉(zhuǎn)換的裝置。天線周圍的場強分布一般都是離開天線距離和角坐標的函數(shù),通常根據(jù)離開天線距離的不同,將天線周圍的場區(qū)劃分為感應(yīng)場區(qū)、輻射近場區(qū)和輻射遠場區(qū)。

            

          圖2.1天線周圍的場區(qū)

          圖2.1(a)所示電尺寸小的偶極子天線其感應(yīng)場區(qū)的外邊界是λ/2π。這里,λ是指工作波長。圖2.1(b)所示電尺寸大的孔徑天線的輻射場區(qū)又分為近場區(qū)和遠場區(qū)。

          天線一般都有兩方面的特性:電路特性(輸入阻抗、效率、頻帶寬度、匹配程度等)和輻射特性(方向圖、增益、極化、相位等)。天線的測量就是用實驗方法測定和檢驗天線這些參數(shù)特性。

          2.2標簽天線設(shè)計的一般步驟

          根據(jù)設(shè)計要求(標簽尺寸、工作頻帶、 匹配芯片、應(yīng)用條件等由要求提出),確定設(shè)計方案及目標參數(shù),建立天線模型,并對天線模型進行仿真計算。再根據(jù)仿真計算結(jié)果進行調(diào)整設(shè)計模型,以達到預(yù)期 目標參數(shù)。天線的設(shè)計通常是條件確定的,即各類材料參數(shù)、結(jié)構(gòu)分布均為已知,否則設(shè)計無從入手。RFID標簽應(yīng)用范圍廣,通常材料的介電常數(shù)等不能確定, 天線在此環(huán)境下的輸入阻抗及其他參數(shù)成為未知,這就需要通過測試確定其參數(shù)。

          2.3標簽天線的等效測量

          從標簽天線的一般設(shè)計方法可見,設(shè)計之關(guān)鍵是測試。 RFID標簽天線分為HF和UHF,HF的天線通??珊雎越殡娪绊?,可直接通過電橋或阻抗分析儀測量其電感及分布電容。天線的精確測量較難實 現(xiàn),通常以等效測量方式以實現(xiàn)。下面就介紹兩種適用于UHF RFID標簽設(shè)計的測量方法:

          2.3.1.諧振法測量

          天線輸入阻抗對材料比較敏感,當貼附在不同材料上時,其阻抗變化量通常存在較大差異。是指把復(fù)合材料等效成一均質(zhì)材料,把復(fù)合材料對天線的綜合影響等效成均質(zhì)材料影響。

          如圖2.2(a)一款通用型UHF RFID標簽天線,其空氣介質(zhì)條件下仿真計算輸入阻抗頻率曲線如圖2.2(b),使用磁探針實測空氣介質(zhì)條件下天線耦合功率曲線如圖2.2(C)。

            圖2.2(a)

            圖2.2(b)

            圖2.2(c)


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