通過(guò)改變電源開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低EMI干擾

你是否曾有過(guò)這樣的經(jīng)歷？在測(cè)試EMI時(shí)不管采用何種濾波方式仍有少許超標(biāo)的情況。本文介紹的技術(shù)將有助于你通過(guò)EMI測(cè)試，或簡(jiǎn)化你的濾波器設(shè)計(jì)。該技術(shù)通過(guò)調(diào)制電源開(kāi)關(guān)頻率引入邊帶能量，并將信號(hào)輻射特征從窄帶噪聲變?yōu)閷拵г肼?，從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是，總的EMI能量并沒(méi)有減少，只是得到了重新分布。

在正弦波調(diào)制情況下，有兩個(gè)變量可以控制，即調(diào)制頻率(fm)和電源開(kāi)關(guān)頻率的變化幅度(Δf)。調(diào)制指數(shù)(B)就是這兩個(gè)變量的比值，即：

Β=Δf/ fm

圖1給出了采用正弦波調(diào)制技術(shù)的情況下改變調(diào)制指數(shù)帶來(lái)的影響。當(dāng)B=0時(shí)，沒(méi)有頻率偏移，只有一根譜線。當(dāng)B=1時(shí)，信號(hào)的頻率特征開(kāi)始展寬，中心頻率分量下降了20%。當(dāng)B=2時(shí)，頻率特征展得更寬，最大頻率分量是B=0時(shí)的60%。我們可以用頻率調(diào)制理論來(lái)量化這個(gè)頻譜中的能量?？ㄉ芍赋?，在2*(Δf + fm)帶寬內(nèi)包含了絕大部分能量。

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/261262.htm

圖1：調(diào)制電源開(kāi)關(guān)頻率可展寬EMI特征。

圖2顯示了更大的調(diào)制指數(shù)，從圖中可以看出峰值EMI可降低12dB以上。

圖2：更大的調(diào)制指數(shù)可以進(jìn)一步降低峰值EMI。

選擇調(diào)制頻率和頻率偏移非常重要。首先，調(diào)制頻率應(yīng)高于EMI接收機(jī)帶寬，以便接收機(jī)不會(huì)同時(shí)測(cè)量到兩側(cè)的邊帶。不過(guò)如果頻率太高，電源控制環(huán)路可能無(wú)法充分抑制電壓變化，從而導(dǎo)致輸出電壓以同樣的速率變化。另外，調(diào)制可能在電源中產(chǎn)生可聞噪聲。因此典型的做法是調(diào)制頻率不要超出接收機(jī)帶寬太多，但要在可聞?lì)l率范圍以外。從圖2可以明顯看出，工作頻率的高度變化更加可取。然而需要注意的是，這將對(duì)電源設(shè)計(jì)造成影響，也即需要針對(duì)最低工作頻率認(rèn)真選擇磁性元件。由于在較低頻率下工作，因此輸出電容也需要處理更大的紋波電流。

圖3對(duì)采用頻率調(diào)制和未采用頻率調(diào)制這兩種情況下測(cè)得的EMI性能作了比較。這里的調(diào)制指數(shù)是4，正如預(yù)期的那樣，EMI在基頻基礎(chǔ)上降低了8dB左右。其它方面的效果也非常顯著。諧波被展寬到頻帶內(nèi)，并且展寬結(jié)果與諧波次數(shù)有關(guān)，比如三次諧波可以被展寬至基頻的3倍。展寬過(guò)程在更高的頻率下不斷重復(fù)，使得噪聲基底與固定頻率情況相比有了較大的提高。因此這種技術(shù)并不適合低噪聲系統(tǒng)，但許多系統(tǒng)可以從中受益，它不僅能增加設(shè)計(jì)余量，還能顯著降低EMI的濾波器成本。

圖3：改變電源開(kāi)關(guān)頻率可降低基頻信號(hào)幅度，但會(huì)增加噪音基底。