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          基于ARM7軟中斷程序的設計

          作者:馮瑞明 時間:2014-08-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:  摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時,采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子,詳細講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。   1 背景描述   筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在

            4 實現(xiàn)方案

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/262221.htm

            4.1 實現(xiàn)接口程序

            如圖1所示,內(nèi)部的存放boot程序,外部的存放應用程序。在需要擦寫外部時,由應用程序產(chǎn)生一個軟中斷,使程序跳到內(nèi)部FLASH中運行。不再從片外FLASH中取指令,因此可擦寫片外FLASH。當軟中斷程序運行完畢后,程序又跳回片外FLASH中。

            由于軟中斷中傳送參數(shù)比較麻煩,我們的軟中斷程序僅返回處理函數(shù)的地址,獲得地址后,重定義為函數(shù)地址指針的方法簡化處理,使程序的可讀性和維護性增強。

            我們以FLASH的寫函數(shù)舉例說明采用SWI方式的流程。

            //定義函數(shù)指針類型
            typedef unsigned long (*FuncWR_t)(unsigned long, void *, unsigned long);
            //定義寫FLASH函數(shù),調(diào)用軟中斷
            unsigned long Write_Flash(unsigned long StartAddr, unsigned short* DataPtr, unsigned long Count)
            {
            Extern unsigned long __swi(3) Get_Write_Addr(void);
            FuncWR_t Func; //定義一個函數(shù)指針
            Func = (FuncWR_t)Get_Write_Addr();
            return Func(StartAddr, DataPtr, Count);
            }
            unsigned long __swi(3)Get_Write_Addr(void);
            unsigned long __swi_3(void) //Get Write Flash Function Address
            {
            return (unsigned long)NorFlash_Write;
            }

            NorFlash_Write函數(shù)接口定義如下:

            unsigned long NorFlash_Write(unsigned long StartAddr, unsigned short * DataPtr, unsigned long Count);

            4.2 CFI接口實現(xiàn)

            對于FLASH中采用CFI接口的編程實現(xiàn),在網(wǎng)上有很多的源碼可以參考,本文不再對此詳述。以寫FLASH為例,函數(shù)如下:

            unsigned long NorFlash_Write(unsigned long StartAddr, unsigned short * DataPtr, unsigned long Count)
            {
            ……..
            ……..
            WRITE_CMD(0X5555,0XAAAA);
            WRITE_CMD(0X2AAA,0X5555);
            WRITE_CMD(0X5555,0XA0A0);
            ……..
            ……..
            }

            5 總結

            本文以內(nèi)核的 ,采用軟中斷的方法實現(xiàn)片外FLASH在運行程序時,同時實現(xiàn)對此FLASH的寫操作例程。詳細描述了內(nèi)核的軟中斷程序的設計方法。希望能對使用內(nèi)核、Cortex-M3/M4內(nèi)核的,實現(xiàn)軟中斷程序起到一個參考的作用。

            參考文獻:
            [1]S29GL-N_00.pdf[R/OL].百度文庫[2013-1-17].http://wenku.baidu.com/link?url=uIBbmLbL0OkLtOKPZScgd1Pdc0BfBgwwklmKxNfW5ai8YWEl00BOGuZM3ZZMp6stRW4DWEWJZsvIBRDMU1W2kVLpaVul8loAlKsKQFq7CZ3
            [2]杜春雷.ARM體系架構與編程.清華大學出版社
            [3] datasheet.pdf[R/OL]. (2008-8-24).http://www.elecfans.com/soft/39/2008/200808247525.html
            [4]SWI軟中斷[R/OL].百度文庫[2012-5-5]. http://wenku.baidu.com/link?url=bzr8t4KV2YQPXVCQC41uZzaEEZLke4yYmBhnToZGGoEqbk_eAmTI-qi4DCs8wgr7RBntegBxj_lP3u3cBmfwmdAhe8B31BxHcDfHba42bp_
            [5]SWI的具體分析[R/OL]. 百度文庫[2011-3-28]. http://wenku.baidu.com/view/f002e5ffc8d376eeaeaa313c.html


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