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          賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的高容量F-RAM產(chǎn)品線增添新的封裝方式和溫度范圍選項

          作者: 時間:2014-09-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            半導(dǎo)體公司日前宣布,其鐵電隨機存取存儲器(™)產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口增加44-pin TSOPII封裝方式,其2 Mb串行外設(shè)接口(SPI)的溫度范圍擴展為-40?C 至 +105?C。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/263520.htm

            新封裝方式可在替代標準的電池供電的時實現(xiàn)管腳兼容,應(yīng)用于工業(yè)自動化、計算、網(wǎng)絡(luò)和汽車電子應(yīng)用中的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲,無需電池即可實現(xiàn)長達百年的保存時間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。2 Mb SPI F-RAM擴展溫度范圍則是為了適應(yīng)很多高性能應(yīng)用中的嚴苛工作條件。

            非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說:“可提供業(yè)界最快、能效最高的非易失性RAM解決方案,并且我們致力于不斷擴充我們的產(chǎn)品線。我們很高興為我們的F-RAM客戶提供這些新的封裝和擴展溫度范圍的產(chǎn)品。”

            供貨情況

            44-pin TSOPII 封裝的1 Mb并行異步接口F-RAM器件,以及-40?C 至 +105?C擴展溫度范圍、8-pin TDFN 封裝的2 Mb SPI F-RAM均將于2014年9月供貨。



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