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          基于功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2014-10-31 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn),因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高,鉛酸電池的使用會(huì)越來(lái)越受到限制。磷酸鐵作為一種新型的環(huán)保電池,開始逐步的應(yīng)用到電動(dòng)車中,并且將成為發(fā)展趨勢(shì)。通常,由于磷酸鐵的特性,在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過程進(jìn)行保護(hù),以免過充過放或過熱,以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過程中一種極端惡劣的工作條件,本文將介紹功率在這種工作狀態(tài)的特點(diǎn),以及如何選取功率型號(hào)和設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/264713.htm

            電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用特點(diǎn)

            電動(dòng)自行車的磷酸鐵保護(hù)板的放電電路的簡(jiǎn)化模型如圖1所示。Q1為放電管,使用N溝道增強(qiáng)型,實(shí)際的工作中,根據(jù)不同的應(yīng)用,會(huì)使用多個(gè)功率MOSFET并聯(lián)工作,以減小導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)散熱性能。RS為電池等效內(nèi)阻,LP為電池引線電感。

            

           

            正常工作時(shí),控制信號(hào)控制MOSFET打開,電池組的端子P+和P-輸出電壓,供負(fù)載使用。此時(shí),功率MOSFET一直處于導(dǎo)通狀態(tài),功率損耗只有導(dǎo)通損耗,沒有開關(guān)損耗,功率MOSFET的總的功率損耗并不高,溫升小,因此功率MOSFET可以安全工作。

            但是,當(dāng)負(fù)載發(fā)生短路時(shí),由于回路電阻很小,電池的放電能力很強(qiáng),所以短路電流從正常工作的幾十安培突然增加到幾百安培, 在這種情況下,功率MOSFET容易損壞。

            磷酸鐵鋰電池短路保護(hù)的難點(diǎn)

            (1)短路電流大

            在電動(dòng)車中,磷酸鐵鋰電池的電壓一般為36V或48V,短路電流隨電池的容量、內(nèi)阻、線路的寄生電感、短路時(shí)的接觸電阻變化而變化,通常為幾百甚至上千安培。

            (2)短路保護(hù)時(shí)間不能太短

            在應(yīng)用過程中,為了防止瞬態(tài)的過載使短路保護(hù)電路誤動(dòng)作,因此,短路保護(hù)電路具有一定的延時(shí)。而且,由于電流檢測(cè)電阻的誤差、電流檢測(cè)信號(hào)和系統(tǒng)響應(yīng)的延時(shí),通常,根據(jù)不同的應(yīng)用,將短路保護(hù)時(shí)間設(shè)置在200μS至1000μS,這要求功率MOSFET在高的短路電流下,能夠在此時(shí)間內(nèi)安全的工作,這也提高了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)難度。

            短路保護(hù)

            當(dāng)短路保護(hù)工作時(shí),功率MOSFET一般經(jīng)過三個(gè)工作階段:完全導(dǎo)通、關(guān)斷、雪崩,如圖2所示,其中VGS為MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓,VDS為MOSFET漏極電壓,ISC為短路電流,圖2(b)為圖2(a)中關(guān)斷期間的放大圖。

            

           

            圖2:短路過程。(a) 完全導(dǎo)通階段;(b) 關(guān)斷和雪崩階段。

            (1) 完全導(dǎo)通階段

            如圖2(a)所示,短路剛發(fā)生時(shí),MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài),電流迅速上升至最大電流,在這個(gè)過程,功率MOSFET承受的功耗為PON= ISC2 * RDS(on),所以具有較小RDS(on)的MOSFET功耗較低。

            功率MOSFET的跨導(dǎo)Gfs也會(huì)影響功率MOSFET的導(dǎo)通損耗。當(dāng)MOSFET的Gfs較小且短路電流很大時(shí),MOSFET將工作在飽和區(qū),其飽和導(dǎo)通壓降很大,如圖3所示,MOSFET的VDS(ON)在短路時(shí)達(dá)到14.8V,MOSFET功耗會(huì)很大,從而導(dǎo)致MOSFET因過功耗而失效。如果MOSFET沒有工作在飽和區(qū),則其導(dǎo)通壓降應(yīng)該只有幾伏,如圖2(a) 中的VDS所示。

            

           

            圖3:低跨導(dǎo)MOSFET的導(dǎo)通階段


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          關(guān)鍵詞: MOSFET 鋰電池 MOSFET

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