分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽(yù)世界。其實(shí)，東芝的分立器件也在市場(chǎng)上占有重要位置，其光耦保持著世界第一的份額，此外，功率器件、小信號(hào)器件、白光LED等產(chǎn)品也以高品質(zhì)、高性?xún)r(jià)比在業(yè)內(nèi)著稱(chēng)。

　　“分立器件的技術(shù)創(chuàng)新體現(xiàn)在提高產(chǎn)品性能和效率的同時(shí)，追求成本的控制。”東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁指出。“因此，東芝力圖開(kāi)發(fā)高附加值的產(chǎn)品，包括更高效率所要求的功率器件和白光LED。通過(guò)持續(xù)開(kāi)發(fā)更高性?xún)r(jià)比的新產(chǎn)品以及改善生產(chǎn)效率來(lái)對(duì)應(yīng)。”

　　白光LED：硅基8英寸晶圓

　　東芝2012年才投產(chǎn)白光LED，但上升很快。原因是其工藝高起點(diǎn)：在200mm/8英寸硅基板上生長(zhǎng)氮化鎵(GaN)，而目前業(yè)界主流還是用2英寸或4英寸晶圓的藍(lán)寶石基板。可見(jiàn)東芝采用的晶圓尺寸更大，這樣在單個(gè)晶圓上可切割出更多的LED芯片，從而降低單位成本;另一方面，硅材料也比藍(lán)寶石便宜。因此，東芝估計(jì)這種硅基氮化鎵產(chǎn)品比市場(chǎng)上藍(lán)寶石基板的LED芯片便宜30%左右。同時(shí)，該公司還在開(kāi)發(fā)0.2W LED的CSP(芯片尺寸封裝)的產(chǎn)品，尺寸只有0.65×0.65mm，比目前市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品面積減少96%。

　　白光LED的市場(chǎng)潛力巨大，預(yù)計(jì)2015年全球會(huì)有1萬(wàn)億日元左右的市場(chǎng)規(guī)模，其中會(huì)有一大部分需求來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)。品牌名稱(chēng)為L(zhǎng)ETERAS的東芝LED主要用于普通照明、背光和車(chē)載照明，產(chǎn)品分為大功率--1W，中功率--0.6W，低功率--0.2W。流行的6450/3535型產(chǎn)品中，145 lm/W產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，今年九或十月量產(chǎn)170 lm/W產(chǎn)品(如圖1)。

　　功率器件：匯聚尖端技術(shù)和材料

　　功率器件方面，東芝主要有三大產(chǎn)品線：MOS管;大功率開(kāi)關(guān)器件;碳化硅(SiC)和GaN功率器件。

　　MOSFET分為高壓(HV-MOS)和低壓(LV-MOS)，HV-MOS目前最先進(jìn)的是平面MOS第八代和超結(jié)MOS第四代、第五代產(chǎn)品。東芝超結(jié)MOS第四代產(chǎn)品絕大部分已經(jīng)推向市場(chǎng)。LV- MOS里，東芝主要做溝槽MOS，目前90%的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，主要應(yīng)用于家電、汽車(chē)、工業(yè)等。

　　東芝超結(jié)MOS管的優(yōu)勢(shì)是：競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一般使用多次外延工藝——Multi Epi，東芝是一次外延成型的Single Epi。即競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是在硅基板上多次成長(zhǎng)，生產(chǎn)的周期較長(zhǎng)。而東芝是一次外延成型，可以大幅降低成本。