階梯收費(fèi)加速水/氣表智能化，引發(fā)FRAM強(qiáng)勁增長(zhǎng)

　　王朔的小說(shuō)《一半是火焰，一半是海水》擁有一個(gè)極富想象力的書名，可借用來(lái)關(guān)聯(lián)下我們關(guān)注的水和氣表計(jì)量。一方面海水和火焰從自然形態(tài)上很形象地代表著這兩個(gè)行業(yè)，另一方面也暗喻著水表/氣表在智能化發(fā)展道路上的激情澎湃和暗流涌動(dòng)。有了這樣的想象空間，我們將目光聚焦剛剛閉幕的智能水/氣計(jì)量及管網(wǎng)前行力論壇。

　　此次論壇的重點(diǎn)是探討在邁向水表/氣表智能化過(guò)程中所遇到的挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)方法。富士通半導(dǎo)體作為此次論壇的主要贊助商，除了展出非常適合水表/氣表應(yīng)用的FRAM產(chǎn)品方案外，其系統(tǒng)存儲(chǔ)器事業(yè)部副總裁松宮正人先生還在論壇上做了題為“FRAM(鐵電非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器)——智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案”的精彩演講。

　　圖1. 富士通展出的FRAM產(chǎn)品方案吸引眾多觀眾駐足

　　“富士通半導(dǎo)體很高興能夠支持并在這次2014智能水/氣計(jì)量及管網(wǎng)前行力論壇發(fā)言，我們每年向電力儀表客戶交貨接近一千萬(wàn)片，全球電力儀表知名企業(yè)top10當(dāng)中的6家電表廠商采用富士通半導(dǎo)體 FRAM!而我們的FRAM的超低功耗特性亦非常適合應(yīng)用在智能水表、氣表等領(lǐng)域，希望通過(guò)這次展示而讓更多的業(yè)內(nèi)專家了解我們?cè)谥悄芩?氣表上的應(yīng)對(duì)之道。”富士通半導(dǎo)體FRAM產(chǎn)品中國(guó)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人蔡振宇先生表示。

　　階梯收費(fèi)加速水表/氣表智能化

　　智能三表(水、電、氣)是與我們的日常生活息息相關(guān)的，一般有電表的地方就有水表/氣表。然而，相比電表的智能化程度，水表/氣表的電氣化的能力和電表相比還有相當(dāng)大的差距。電表經(jīng)過(guò)近10年的快速發(fā)展，其智能化的程度已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)階梯收費(fèi)，而現(xiàn)在的大多數(shù)水表/氣表還不具備階梯收費(fèi)的能力。

　　因?yàn)槿蛩Y源的短缺迫使政府重視節(jié)水和水量控制，而能滿足階梯計(jì)價(jià)的智能式水表將會(huì)成為建設(shè)節(jié)水型社會(huì)一大利器!智能水表計(jì)量精準(zhǔn)、利于抄測(cè)，在“階梯水價(jià)”全面推廣背景下，發(fā)改委和住建部出臺(tái)意見，要求2015年底前所有設(shè)市城市原則上全面實(shí)行居民階梯水價(jià)制度，地方應(yīng)制定方案完成“一戶一表”改造。

　　階梯收費(fèi)必將加速水表/氣表的智能化步伐，“現(xiàn)在的水表/氣表的智能化程度大約只相當(dāng)于10年前的電表，而隨著階梯水價(jià)政策的提出，我國(guó)的水/氣在漲價(jià)，漲價(jià)的原因在于階梯收費(fèi)會(huì)增加水表/氣表的成本，因?yàn)殡A梯收費(fèi)會(huì)要求水表/氣表存儲(chǔ)更加多的信息，而且還要低功耗，這對(duì)于水表/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的器件就提出更高的要求，這也正是富士通半導(dǎo)體FRAM的巨大機(jī)遇。” 蔡振宇先生指出。

　　三大特點(diǎn)提升FRAM人氣

　　富士通半導(dǎo)體FRAM在智能電表的應(yīng)用中有著不俗的表現(xiàn)，這與FRAM自身的優(yōu)勢(shì)(非易失性、低功耗、高速讀寫)密不可分，如下圖2所示。

　　圖2. FRAM三大特點(diǎn)——非易失性、低功耗、高速讀寫。

　　與傳統(tǒng)的非揮發(fā)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM的功耗要小很多，而且寫入速度更快。對(duì)于類似的寫入，F(xiàn)RAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EEPROM的1/40000，達(dá)到SRAM和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲(chǔ)器的級(jí)別。而且，F(xiàn)RAM的讀/寫耐久性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于EEPROM和Flash存儲(chǔ)器。EEPROM和Flash存儲(chǔ)器能寫入大約100萬(wàn)次(10^ 6次)，F(xiàn)RAM最高可寫入1萬(wàn)億次，或者說(shuō)寫入次數(shù)可以達(dá)到前兩種存儲(chǔ)器的100萬(wàn)倍以上。