英特爾新技術(shù)：存儲器耗電至少降低25倍

　　英特爾副總裁暨實驗室執(zhí)行總監(jiān)王文漢展示與工研院合作開發(fā)的新陣列記憶體原型。

　　英特爾在臺舉辦亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會，展示和工研院合作開發(fā)的新記憶體技術(shù)，較現(xiàn)有DDR DRAM記憶體更省電，耗電降低至少25倍，未來可望為行動運算裝置延長電池使用時間。

　　英特爾是在2011年宣布將分5年投入500萬美元，由英特爾實驗室和工研院共同開發(fā)新的記憶體技術(shù)，以改善現(xiàn)有記憶體速度與耗電?？蛇\用于手機、平板電腦、PC，到超級運算或大型資料中心。今天的亞洲區(qū)創(chuàng)新高峰會上英特爾則宣布和臺灣產(chǎn)官學(xué)界合作的初步研發(fā)成果。

　　英特爾副總裁暨實驗室執(zhí)行總監(jiān)王文漢現(xiàn)場展示了和工研院合作開發(fā)的陣列式記憶體原型，新記憶體技術(shù)較現(xiàn)有DRAM傳輸延遲減少4倍，耗電上降低至少25倍，傳輸頻寬則比DDR3記憶體提升3到4倍。

　　新的陣列記憶體運用3-D堆疊技術(shù)，以矽穿孔(through silicon via, TSV)在邏輯元件晶粒上堆疊出3D結(jié)構(gòu)，達到提升頻寬、降低耗電的目的。英特爾指出，陣列記憶體的原型技術(shù)未來可用在行動裝置的SoC系統(tǒng)單晶片或資料中心大型陣列記憶體的控制器。

　　對于該技術(shù)何時步入商品化，王文漢表示，這項技術(shù)現(xiàn)階段仍在實驗階段，距離商品化仍有段距離，希望進一步優(yōu)化技術(shù)，降低生產(chǎn)的成本，在適當(dāng)時機商品化。

　　英特爾實驗室為英特爾內(nèi)部的研究單位，過去孕育許多技術(shù)并已推向市場，例如高速傳輸介面Thunderbolt、低功耗處理器Atom、Wireless Display無線顯示技術(shù)，還有今年在CES發(fā)表的小型晶片Edison，大小與郵票相當(dāng)，內(nèi)建Atom處理器及簡單的I/O、通訊功能，希望催生出更多物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置的創(chuàng)新產(chǎn)品。

　　英特爾今天也展示人機互動介面、IoT物聯(lián)網(wǎng)、無線充電等領(lǐng)域與各方合作的研究成果。

　　↓英特爾以Quark處理器推出的Galileo開發(fā)板，以推動各界開發(fā)低功耗的裝置，現(xiàn)場展示一臺自動調(diào)酒機器，機器連結(jié)了果汁、汽水等多種飲科，使用者只要在前方平板電腦上選擇想要的飲料后，機器就會自動制作調(diào)配。

　　↓具有心跳偵測功能的耳機。

　　↓穿戴裝置市場正快速發(fā)展，英特爾并購專門推出個人健康、保健產(chǎn)品的BASIS，現(xiàn)場展出BASIS的智慧表，可測量使用者心跳、步行距離。

　　↓無線充電未來可能大舉走入人們生活，現(xiàn)場展示一款無線充電碗，采用A4WP的無線充電技術(shù)，只要將支援無線充電的裝置放入碗中，裝置不需要連接實體的線纜就會自動充電。