安森美半導體新一代外圍組件快速互連(PCIe)方案優(yōu)化服務器時鐘應用

　　2) NB3N51034、NB3N51044和NB3N51054

　　這些都是新推出的產(chǎn)品，特性包括：采用25 MHz基本模式并聯(lián)諧振晶體;掉電模式;不需要外部環(huán)路濾波器;四個低歪曲率HCSL輸出;OE三態(tài)輸出;擴頻選擇為-0.5%、-1.0%、-1.5%和無擴頻;PCI Express Gen 1、2、3抖動要求;引腳兼容IDT557-05、5V41236、5V40166。

　　在100MHz條件下，NB3N51034與競爭對手(PCIe Gen3) 相比，其均方根(RMS)抖動僅為0.41ps (12 kHz~20 MHz)，而競爭對手為65 ps (12 kHz~20 MHz)，見圖4。

　　圖4：安森美半導體NB3N51034均方根抖動性能明顯優(yōu)于競爭器件

　　另一款是NB3N51044 3.3 V四輸出HCSL/LVDS合成器，帶單獨輸出啟用 (OE)，增加了LVCMOS/LVTTL輸入，支持四個100 MHz (PCIe)或125 MHz (sRIO) HCSL輸出;FSEL引腳可在100 MHz/125 MHz之間切換;PLL旁路模式;每個輸出三態(tài)輸出單獨OE;引腳兼容IDT841604A。

　　還有一款新產(chǎn)品是NB3N51054 3.3 V、1:4 HCSL/LVDS合成器。其特性在于具有減少EMI的擴頻;啟用/禁用每個輸出和選擇/關擴頻ON/OFF的I2C接口;引腳兼容ICS841S104I。

　　3) NB3N3002/5573

　　它具有以100 MHz頻率驅(qū)動NB3N106K/108K/111K的輸出性能。在扇出緩沖器輸出進行測量的結(jié)果顯示，含25 MHz晶體的NB3N3002/5573(時鐘生成器)以100 MHz模式驅(qū)動NB3N106K/108K/111K扇出緩沖器符合PCIe 1、2、3抖動及相位噪聲規(guī)范;為NB3N3002/557增加扇出緩沖器不會產(chǎn)生足夠的抖動或相位噪聲以產(chǎn)生無法符合PCIe 1、2、3相位噪聲及抖動規(guī)范的“系統(tǒng)”。

　　4) 用于PCIe應用的時鐘分配器件ZDB及扇出緩沖器

　　服務器平臺有3種時鐘拓撲結(jié)構：內(nèi)部系統(tǒng)時鐘、混合系統(tǒng)時鐘和外部系統(tǒng)時鐘。針對PCIe外部時鐘架構，安森美半導體提供多種專用時鐘選擇，包括時鐘產(chǎn)生器(NB3N3002/NB3N5573/NB3N51034/NB3N51054/NB3N51054/NB3N

　　51044) 、零延遲緩沖器(ZDB) NB3N1200K/NB3W1200L (可用于PCIe混合時鐘架構)，以及HCSL至HCSL扇出緩沖器(不需要精確調(diào)節(jié)時鐘沿使其與ZDB輸出同步的多PCIe參考時鐘產(chǎn)生器)。

　　例如，NB3N1200K/NB3W1200L零延遲緩沖器(ZDB)帶12路HCSL/NMOS推挽輸出，特性包括：支持DIF SRC時鐘;12個差分時鐘輸出對@0.7V (NB3N1200K) ;12個低功耗NMOS推挽輸出對(NB3W1200L) ;針對100MHz和133 MHz優(yōu)化，符合PCIe 第2代/第3代和英特爾QPI相位抖動規(guī)范;符合低EMI擴頻;最低輸入至輸出延遲變化的偽外部固定反饋;每12個輸出的單獨OE控制引腳。兩者的相位噪聲均優(yōu)于競爭對手，見圖5。

　　圖5：NB3N1200K與競爭器件的相位噪聲性能比較

　　使用NB3N1200K或NB3W1200L時需注意，NB3W1200L是低能耗版本，用于要求低能耗的系統(tǒng)，用于長度小于20英寸的較短長度輸出傳輸線路;NB3N1200K使用標準HCSL輸出設計，在輸出使用恒流源，可維持長于20英寸輸出傳輸線路的信號完整性。

　　另外，多個PLL分層布置時，用戶可調(diào)節(jié)帶寬對時鐘樹進行系統(tǒng)優(yōu)化。使用HBW(高帶寬)擴頻時鐘時用于維持擴頻特性，從而將輸入與輸出相位差減至最小;使用LBW (低帶寬)可濾除PLL帶寬內(nèi)的時鐘輸入抖動。

　　以下情況應該使用ZDB或扇出緩沖器：使用零延遲緩沖器 (ZDB) (PLL模式) 時;維護同步時鐘沿對齊時;當時鐘生成至輸出傳播延遲至關重要時;用作扇出緩沖器時;當時鐘生成至扇出輸出傳播延遲不重要時。

　　5) 新產(chǎn)品

　　安森美半導體還在開發(fā)一系列新產(chǎn)品來滿足英特爾白皮書規(guī)范，如帶19路HCSL/NMOS報推挽輸出的NB3N1900K/NB3W1900L ZDB，帶8路低能耗NMOS推挽輸出的NB3W800L ZDB，帶HCSL輸出的NB3N208K 1:8扇出緩沖器，以及帶HCSL輸出的扇出緩沖器NB3N106K、NB3N108K、NB3N111K和NB3N121K等。以上介紹的器件工作范圍為3.3 V ± 5-10 %，工業(yè)級溫度范圍均為-40°C至85°C，目標市場及應用涵蓋服務器(PCIe、QPI和FB-DIMM)，以及網(wǎng)絡(PCIe) 等。這些器件提供優(yōu)異性能。以NB3N1900K為例，其相位噪聲性能優(yōu)于競爭器件，見圖6。

　　圖6a：NB3N1900K與競爭器件的相位噪聲性能比較

　　圖6b：NB3N1900K與競爭器件的相位噪聲性能比較(續(xù))

　　總結(jié)：

　　作為服務器應用及其它多種應用的時序方案供應商，安森美半導體提供包括時鐘產(chǎn)生、零延遲緩沖器(ZDB)及扇出緩沖器等在內(nèi)的完整方案。公司的產(chǎn)品涵蓋計算機應用的寬廣產(chǎn)品陣容，具有一流的相位噪聲和抖動性能以及極高的性價比優(yōu)勢，符合及超越第1代、第2代及第3代PCIe要求，可以直接升級眾多現(xiàn)有工業(yè)標準方案。

　　供稿：安森美半導體