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          集成ARM的混合信號如何實(shí)現(xiàn)智能傳感器

          作者:ColinDuggan DenisLabrecque 時(shí)間:2014-11-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:  摘要:本文通過介紹幾種不同的現(xiàn)場儀器儀表的缺點(diǎn)與不足,分析了ARM M3/M4處理器內(nèi)核與適當(dāng)?shù)哪M元件集成后,如何實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場儀器儀表應(yīng)用的系統(tǒng)級優(yōu)化。   一般而言,新一代嵌入式系統(tǒng)的關(guān)鍵指標(biāo)包括: 更高的性能、更低的成本、更低的功耗、增加有線和無線連接能力、更小的尺寸以及更高的整體系統(tǒng)效率。 實(shí)現(xiàn)上述任意單一目標(biāo)都不是件容易的事情;因此,涵蓋多個(gè)指標(biāo)的解決方案必須依靠多個(gè)元件的集成。   采用仔細(xì)選擇的模擬元件、32位ARM處理器內(nèi)核以及合適的數(shù)字外設(shè)組合,能以分立式解決方案所無法實(shí)現(xiàn)的方式達(dá)成

            除了功耗,選擇正確的并進(jìn)行適當(dāng)配置對于性能和尺寸而言同樣十分重要。 系統(tǒng)性能是效果最直觀的反映。 精度越高,過程變量的測量結(jié)果就越精確。 這最終會(huì)提升控制能力和性能。 對于現(xiàn)場而言,16位分辨率是較為常見的要求,Σ-Δ轉(zhuǎn)換器便能很好地滿足這種精度要求。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/266061.htm

            在現(xiàn)場設(shè)計(jì)中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)或更多。 這類應(yīng)用實(shí)例有:溫度測量和壓力測量。 這對ADC、儀表放大器和多路復(fù)用芯片設(shè)計(jì)的配置都會(huì)有影響。 集成兩個(gè)ADC,就能測量兩個(gè)過程變量。 采用多路復(fù)用可增加輸入數(shù)量。 對于溫度測量而言,可以將一個(gè)ADC與熱電偶對接,另一個(gè)ADC與電阻溫度檢測器(RTD)對接。 熱電偶的電壓輸出與兩個(gè)端點(diǎn)之間的溫度差成正比, 其一端參考目標(biāo)(比如極高溫金屬),另一端參考電子元件的溫度。 第二個(gè)ADC用來測量RTD,后者為電子元件提供絕對參考溫度。 利用參考溫度及其與目標(biāo)之間的差異,目標(biāo)溫度便能由 M3內(nèi)核精確計(jì)算得出。

            對于壓力測量而言,主ADC測量阻性電橋壓力。 第二個(gè)ADC測量溫度,以便用于溫度補(bǔ)償以及提供整個(gè)溫度范圍內(nèi)的更佳精度。 靈活的多路復(fù)用允許測量靜態(tài)壓力補(bǔ)償值。

            需要提供額外功能并保持尺寸與功耗預(yù)算不變的一個(gè)例子便是HART(可尋址遠(yuǎn)程高速通道)調(diào)制解調(diào)器功能。 HART調(diào)制解調(diào)器采用數(shù)字雙向通信標(biāo)準(zhǔn),它在標(biāo)準(zhǔn)4 mA至20 mA模擬環(huán)路上調(diào)制一個(gè)1 mA峰峰值FSK信號。 若要加入這個(gè)功能,就必須在總功耗預(yù)算中留出裕量。 前文所討論的優(yōu)化在這種情況下適用。 另外,還需考慮子系統(tǒng)。 內(nèi)核需實(shí)現(xiàn)該性能,同時(shí)保持能效以控制HART調(diào)制解調(diào)器并驅(qū)動(dòng)環(huán)路供電型DAC,它還需執(zhí)行處理測量數(shù)據(jù)、診斷和校準(zhǔn)等任務(wù)。

            選擇正確的元件實(shí)現(xiàn)芯片級集成和優(yōu)化固然重要,但開發(fā)高效率集成系統(tǒng)還需要掌握目標(biāo)市場要求與趨勢等豐富知識。 系統(tǒng)級目標(biāo)——比如增加功能而不增加功耗水平與尺寸——要求芯片供應(yīng)商與最終系統(tǒng)開發(fā)商之間展開密切合作。 為了便于展開這種合作,半導(dǎo)體供應(yīng)商需對電路板級要求具有充分的理解,例如:外形尺寸、溫度范圍、制造工藝、功耗、成本以及信號鏈中的補(bǔ)充器件。

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