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          IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2014-12-03
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/266322.htm

          　　
          

          

           
          

          　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動(dòng)從12 Vgs起，非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內(nèi)提供兩個(gè)采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。
          

          　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝以及適合精密設(shè)計(jì)的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導(dǎo)通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節(jié)省電路板空間及系統(tǒng)成本。”
          

          　　所有新產(chǎn)品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級(jí)濕度敏感度標(biāo)準(zhǔn) (MSL1) 及電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
          

          　　規(guī)格
          

          　　
          

          
				
            
                
			
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          關(guān)鍵詞：
            			            IR
                        MOSFET
                        IRL6297SD
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
          評(píng)論
          					
		
          
		
          
			
          
			
				
          
					
					
          
						
                        
					
          
				
          
                		
						
						
			
          
		
          
		
          
		
          
            
			
            
		
          
	
          
	
          
	
          
		

          
	
          
		
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