世界半導(dǎo)體市場展望

　　IC Insights給出了世界半導(dǎo)體市場的歷史數(shù)據(jù)如圖3所示，自1993～2013年的20年間，世界半導(dǎo)體市場從830億美元發(fā)展到3250億美元，年均增長率為7.1%，表現(xiàn)不俗。依公司提供數(shù)據(jù)，1993～2003年10年間的年均增長率為8%，2003～2013年10年間下降為6.2%，2008～2013年5年表現(xiàn)最差，僅為4.4%，預(yù)計2013～2018未來5年有所回升，為5.8%，可望達(dá)到4310億美元。

　　報告作者M(jìn)cClean說：世界半導(dǎo)體市場“2015年還會有進(jìn)一步增長，此后則將繼續(xù)保持6%～7%的穏定成長，唯2017年因宏觀經(jīng)濟(jì)的走弱而預(yù)期半導(dǎo)體市場將隨之下降。”并具體地對世界半導(dǎo)體市場1998～2013年15年間和2013～2023年10年的出貨量、平均銷售價、市場銷售值作了對比，其間銷售量的年均增長率將從8.5%下降到6%，平均銷售價和銷售值則都有所上升(表1)，IC單價平均銷售價上揚(yáng)的原因包括今后新廠難有增加、投資減少和走向450mm晶圓的步伐轉(zhuǎn)緩等。

　　同時，我們看到IHS Global公司首席分析師日本南川明在今年所寫的一篇文章中說，世界半導(dǎo)體市場在2008年金融危機(jī)以前50年間曾以年率12%的速度快速成長，但近幾年約在30萬億日元左右徘徊，預(yù)計今后10年間大約只能以3%～4%的年率緩慢前進(jìn)。去年，另一日本資深記者、產(chǎn)業(yè)時代公司董事長泉谷涉也作文指出，現(xiàn)今世界半導(dǎo)體市場約為25萬億日元，近7～8年間上上下下，幾乎停滯不前。他預(yù)測，到2030年，世界半導(dǎo)體市場將從25萬億日元躍升到40萬億日元(估計年均增長率僅為2.4%)，其中IT領(lǐng)域所占比重將下降至60%～70%，其余為醫(yī)療、環(huán)保、新型綠色汽車等。日本在上世紀(jì)90年代起電子工業(yè)從輝煌一時演變至無奈失落的兩重光景下，半導(dǎo)體業(yè)也隨之失色，著名廠商出賣的出賣，合并的合并，對半導(dǎo)體業(yè)的前景也相應(yīng)作出了悲觀的預(yù)測。

　　中國為扭轉(zhuǎn)電子工業(yè)“無芯”之痛，今年國務(wù)院頒發(fā)了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，綱要提出，在政策、資金的強(qiáng)力支持下，到2015年，集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入超過3500億元，2020年與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，2030年產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國際第一梯隊(duì)，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展，信心滿滿。市調(diào)公司IC Insights在同一報告中也認(rèn)為，近幾年來中國在PC、移動電話、汽車、數(shù)字電視等產(chǎn)品市場均居世界第一，將拉動本土半導(dǎo)業(yè)的快速發(fā)展。盡管集成電路與石油為中國最大宗的兩項(xiàng)產(chǎn)品，但預(yù)計未來5年內(nèi)，本土生產(chǎn)集成電路的速度和所占份額都將凌厲加快和提升(圖4)。據(jù)圖所示，從2013～2018年的5年間，中國IC市場將以每年8.9%的速度增長，而本土產(chǎn)值則將以15.8%的年率更加快速增長，大大高于世界半導(dǎo)體市場的5.8%，無疑增強(qiáng)了我們的信心，同期本土生產(chǎn)所占市場的份額將從11.7%提高到16%，而中國IC市場所占世界IC生產(chǎn)的比重也將從27%提升到31%，中國市場在世界半導(dǎo)體業(yè)中的比重仍在增高，說明了中國市場的地位是多么重要!

　　半導(dǎo)體技術(shù)

　　摩爾定律是由Intel公司創(chuàng)始人之一戈登•摩爾(Gordon Moore)于1965年提出，其內(nèi)容為：集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月增加一倍，性能也將提升一倍而價格不變。這一定律迄今已近50年，被以Intel為代表的世界半導(dǎo)體業(yè)界視為金科玉律，作為技術(shù)發(fā)展的前進(jìn)努力方向一直沿用至今。但在近年人們相繼提出了質(zhì)疑：摩爾定律是否已走到了盡頭? 可意見并沒有統(tǒng)一，有外媒于近日報道，美國POET Technologies公司預(yù)言砷化鎵(GaAs)很快會取代硅，成為未來高性能芯片的選用材料，曾任職貝爾研究所的該公司共同創(chuàng)辦人暨首席科學(xué)家Geoff Taylor表示，上述論點(diǎn)自上世紀(jì)80年代就已經(jīng)被提出。砷化鎵能在提升晶體管性能的同時，整合光學(xué)電路的功能，這些特點(diǎn)將帶來更高的性能以及創(chuàng)新的芯片架構(gòu)，因此能使摩爾定律壽命無限延長。大多數(shù)三五族元素，包括銦(In)、鎵(Ga)、砷(As)及磷(P)，都比硅具有更高的電子遷移率，不過在制造上還存有特殊困難，但POET說已經(jīng)研發(fā)出了一種解決方法。與此同時，多數(shù)有關(guān)單位/人士則持有不同的觀點(diǎn)，10月在美國硅谷舉辦的IEEE(電氣和電子工程師協(xié)會)研討會，探索了未來20年的技術(shù)發(fā)展，曾任Intel處理器架構(gòu)師(architect)顧問的Robert Colwell的看法是：摩爾定律已到晚年，至于何時走向終點(diǎn)，應(yīng)該不會超過2035年，而且目前尚未找到可靠的替代方案。這波認(rèn)為是一種代表性的觀點(diǎn)。未來20年內(nèi)預(yù)期將出現(xiàn)全新的器件和非馮諾依曼結(jié)構(gòu)的計算機(jī)系統(tǒng)，最可期待的便是模仿人腦的神經(jīng)系統(tǒng)(neuromorphic system)，該系統(tǒng)需要轉(zhuǎn)換為模擬運(yùn)算技術(shù)，這種耗電量大的技術(shù)又必需尋求新材料、新器件(所謂后CMOS)的支持，在這方面，碳納米管又重新引起了研究人員的關(guān)注。