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          德州儀器采用集成轉(zhuǎn)換開關(guān)與LDO簡化DDR內(nèi)存電源設(shè)計(jì)

          作者:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 時(shí)間:2004-07-19 來源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 收藏
          日前, ()推出將 DC/DC 開關(guān)模式控制器與線性壓降調(diào)節(jié)器 (LDO) 進(jìn)行完美結(jié)合的新型集成電路 (IC),如今,雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 以及 DDR II內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員可采用該產(chǎn)品集成到他們的設(shè)計(jì)中以提高電源效率。在諸如筆記本與臺(tái)式電腦、顯卡以及游戲機(jī)等應(yīng)用中,該款高度集成的器件可大幅減少支持所有 DDR 系統(tǒng)(如 Micron 的 DDR 以及 DDR II)電源管理所需的外部組件數(shù)。如欲了解更多詳情,敬請(qǐng)?jiān)L問:www.ti.com/sc04089。

          Micron公司計(jì)算與消費(fèi)類電子產(chǎn)品集團(tuán)的先進(jìn)技術(shù)與戰(zhàn)略市場(chǎng)營銷執(zhí)行總監(jiān) Terry Lee 說:“最終設(shè)備制造商腳踏實(shí)地地設(shè)計(jì)新型產(chǎn)品,既能支持內(nèi)存密度更高的系統(tǒng),同時(shí)又做到不會(huì)犧牲電池壽命。我們正與 等少數(shù)幾家領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司開展合作,他們能夠提供先進(jìn)的電源管理模擬技術(shù),其技術(shù)結(jié)合了適當(dāng)?shù)募啥取⒇S富的功能性與高性能,能夠快速適應(yīng)新一代 DDR 內(nèi)存系統(tǒng)不斷變化的電源要求。”

          的新型 TPS51116 集成了可驅(qū)動(dòng) VDDQ 的同步電流模式 DC/DC 控制器,還集成了一個(gè)可驅(qū)動(dòng) VTT 的 3-A 線性壓降 (LDO) 調(diào)節(jié)器,以及一個(gè)緩沖參照 VTTREF。它是一套完整的 DDR 電源解決方案,與 DDR 與 DDR II JEDEC 規(guī)范完全兼容,通過包括用于轉(zhuǎn)換開關(guān)的電力系列,僅添加 7 個(gè)外部電阻與電容即可實(shí)現(xiàn)該解決方案,而目前的同類競(jìng)爭(zhēng)系統(tǒng)則要采用 18 個(gè)乃至更多分離式電源管理組件。TPS51116 具有優(yōu)秀的輕負(fù)載效率,在 10 ma 時(shí)可實(shí)現(xiàn)超過 85% 的 VDDQ 效率。高性能 LDO 可吸收或提供 3A 峰值電流,同時(shí)只需要 2x10



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