<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 業(yè)界動態(tài) > 德州儀器采用集成轉換開關與LDO簡化DDR內存電源設計

          德州儀器采用集成轉換開關與LDO簡化DDR內存電源設計

          作者:電子設計應用 時間:2004-07-19 來源:電子設計應用 收藏
          日前, ()推出將 DC/DC 開關模式控制器與線性壓降調節(jié)器 (LDO) 進行完美結合的新型集成電路 (IC),如今,雙數(shù)據速率 (DDR) 以及 DDR II內存系統(tǒng)的設計人員可采用該產品集成到他們的設計中以提高電源效率。在諸如筆記本與臺式電腦、顯卡以及游戲機等應用中,該款高度集成的器件可大幅減少支持所有 DDR 系統(tǒng)(如 Micron 的 DDR 以及 DDR II)電源管理所需的外部組件數(shù)。如欲了解更多詳情,敬請訪問:www.ti.com/sc04089。

          Micron公司計算與消費類電子產品集團的先進技術與戰(zhàn)略市場營銷執(zhí)行總監(jiān) Terry Lee 說:“最終設備制造商腳踏實地地設計新型產品,既能支持內存密度更高的系統(tǒng),同時又做到不會犧牲電池壽命。我們正與 等少數(shù)幾家領先的半導體公司開展合作,他們能夠提供先進的電源管理模擬技術,其技術結合了適當?shù)募啥?、豐富的功能性與高性能,能夠快速適應新一代 DDR 內存系統(tǒng)不斷變化的電源要求?!?/P>

          的新型 TPS51116 集成了可驅動 VDDQ 的同步電流模式 DC/DC 控制器,還集成了一個可驅動 VTT 的 3-A 線性壓降 (LDO) 調節(jié)器,以及一個緩沖參照 VTTREF。它是一套完整的 DDR 電源解決方案,與 DDR 與 DDR II JEDEC 規(guī)范完全兼容,通過包括用于轉換開關的電力系列,僅添加 7 個外部電阻與電容即可實現(xiàn)該解決方案,而目前的同類競爭系統(tǒng)則要采用 18 個乃至更多分離式電源管理組件。TPS51116 具有優(yōu)秀的輕負載效率,在 10 ma 時可實現(xiàn)超過 85% 的 VDDQ 效率。高性能 LDO 可吸收或提供 3A 峰值電流,同時只需要 2x10



          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();