<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 研調(diào):明年NAND Flash產(chǎn)業(yè)續(xù)向上,產(chǎn)值估增12%

          研調(diào):明年NAND Flash產(chǎn)業(yè)續(xù)向上,產(chǎn)值估增12%

          作者: 時(shí)間:2014-12-05 來源:精實(shí)新聞 收藏

            旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑,各種終端應(yīng)用如等需求則持續(xù)成長(zhǎng),2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%至276億美元。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/266412.htm

            DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半都集中在第三季和第四季,相較之下,上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng),受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著,因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局,也就是上半年會(huì)出現(xiàn)供過于求,下半年則隨著需求回溫轉(zhuǎn)為供需平衡甚至小幅供不應(yīng)求的情形,但整體而言,2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定向上成長(zhǎng)的趨勢(shì)維持不變。

            DRAMeXchange預(yù)期,2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入關(guān)鍵時(shí)刻。由于各家業(yè)者有志一同的盡量降低產(chǎn)能增加速度,因此2015年預(yù)估總晶圓投片量(12吋約當(dāng))增加幅度只有8%的年成長(zhǎng),供給端重心將會(huì)放在半導(dǎo)體制程微縮最后一個(gè)世代15/16 奈米的制程轉(zhuǎn)進(jìn)、3D -NAND Flash的開發(fā)時(shí)程以及TLC產(chǎn)品應(yīng)用的擴(kuò)張。

            DRAMeXchange分析,今年下半年1Y奈米的/eMCP與 大量被應(yīng)用在蘋果、三星等一線智慧型手機(jī)與平板電腦品牌產(chǎn)品中,而三星與東芝陣營(yíng)也從第三季末開始小量試產(chǎn)下一個(gè)世代的15/16奈米產(chǎn)品。由于15/16奈米產(chǎn)品良率與效能提升所需的時(shí)間較1Y奈米更久,預(yù)期最快能夠順利量產(chǎn)導(dǎo)入到嵌入式產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)將落在明年第二季后,因此各 ??家業(yè)者在半導(dǎo)體制程微縮轉(zhuǎn)進(jìn)即將面臨物理瓶頸后,會(huì)加速3D-NAND Flash的開發(fā)。

            三星則從去年第四季順利量產(chǎn)3D-NAND Flash并導(dǎo)入Enterprise-的產(chǎn)品開發(fā),今年更全面導(dǎo)入Client-SSD中,并且也有OEM業(yè)者開始導(dǎo)入相關(guān)3D-NAND Flash的SSD產(chǎn)品。英特爾在今年的投資人會(huì)議中揭露與美光共同開發(fā)的3D-NAND Flash SSD開始進(jìn)入試作階段,預(yù)計(jì)明年年中之后正式出貨。楊文得表示,英特爾的動(dòng)作將加速其他尚未有明確時(shí)程公布的廠商推出3D-NAND Flash的時(shí)程,然而在價(jià)格、性能與控制晶片搭配性的各種因素考量下,3D-NAND Flash應(yīng)用普及時(shí)間點(diǎn)預(yù)計(jì)將落在2015年第四季之后。

            此外,憑借著較佳性能價(jià)格比的TLC嵌入式產(chǎn)品,三星在/eMCP與Client-SSD市場(chǎng)取得相當(dāng)?shù)某晒?,而其他業(yè)者自今年下半年起也陸續(xù)推出相關(guān)TLC的嵌入式產(chǎn)品。隨著行動(dòng)運(yùn)算硬體的競(jìng)爭(zhēng)從高階機(jī)種轉(zhuǎn)為中低階機(jī)種,TLC較能夠滿足業(yè)者對(duì)于成本的要求考量,加上透過控制晶片已能大幅改善TLC先天的速度與效能問題,主要PC與行動(dòng)裝置品牌業(yè)者都開始采用TLC產(chǎn)品。而今年蘋果新iPhone首度采用TLC作為儲(chǔ)存裝置,更直接驅(qū)動(dòng)其他業(yè)者提高使用比重;DRAMeXchange預(yù)期,2015年TLC的產(chǎn)出比重在OEM裝置推波助瀾下,將快速攀升至41%,成為業(yè)者的兵家必爭(zhēng)之地。

            DRAMeXchange進(jìn)一步指出,2015年整體NAND Flash需求位元量為383.8億顆(2GB equiv.),年成長(zhǎng)42.8%,其中智慧型手機(jī)、平板電腦與固態(tài)硬碟的消耗量占比超過85%。楊文得表示,2015年智慧型手機(jī)出貨年成長(zhǎng)為12.4%,主要成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素來自于中低階機(jī)種;平板電腦恐因產(chǎn)品提早進(jìn)入成熟期與硬體規(guī)格差異化縮小而呈現(xiàn)衰退。

            因此,在出貨成長(zhǎng)動(dòng)能趨緩的情況下,平均搭載容量的提升便顯得關(guān)鍵。DRAMeXchange指出,蘋果今年推出的新款iPhone與iPad首次將行動(dòng)裝置中NAND Flash儲(chǔ)存帶往64GB以上的高容量競(jìng)賽,除了帶動(dòng)其他業(yè)者在高階機(jī)種必須有效的跟進(jìn)以提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力外,中低階機(jī)種也將因競(jìng)爭(zhēng)加劇影響而增加儲(chǔ)存容量,因此預(yù) ??估2015年智慧型手機(jī)內(nèi)建的NAND Flash(eMMC)平均搭載容量將較今年成長(zhǎng)18%。

            另外,固態(tài)硬碟(SSD)的成長(zhǎng)則將扮演舉足輕重的地位。DRAMeXchange指出,商務(wù)筆電SSD搭載率將有明顯的提升,主要因素來自于商務(wù)筆電對(duì)于儲(chǔ)存裝置穩(wěn)定性與高效能的要求較高,對(duì)于容量的大小敏感度較低;而高階消費(fèi)型機(jī)種的SSD滲透率則是在蘋果Macbook Pro與Macbook Air全系列導(dǎo)入SSD的帶動(dòng)下,2015年SSD在筆記型電腦的搭載率可望提升至26%,明顯較2014年增加。

            至于Enterprise-SSD的應(yīng)用成長(zhǎng)動(dòng)能則持續(xù)強(qiáng)勁,DRAMeXchange表示,來自于云端運(yùn)算與手機(jī)應(yīng)用程式對(duì)于及時(shí)存取的需求增加,資料中心與伺服器業(yè)者對(duì)于Enterprise-SSD的容量需求持續(xù)上升,因此結(jié)合Client -SSD與Enterprise-SSD的成長(zhǎng)力道,2015年SSD的表現(xiàn)將高于其他NAND Flash終端需求,成為明年成長(zhǎng)最為強(qiáng)勁的項(xiàng)目。



          關(guān)鍵詞: TrendForce SSD eMMC

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();