鎖定巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用 三星加快量產(chǎn)DDR4、TLC SSD

　　三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時代的來臨，將以資料儲存半導(dǎo)體事業(yè)一決勝負(fù)，目標(biāo)擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎(chǔ)的固態(tài)硬碟(SSD)列為核心產(chǎn)品。

　　據(jù)韓國Inews 24報導(dǎo)，總括負(fù)責(zé)三星半導(dǎo)體事業(yè)部的DS部門將擴編人力，在集團底下成立巨量資料中心，并依照產(chǎn)品分析消費者的喜好程度等，強化事業(yè)力量。

　　DDR4 DRAM相較于DDR3，待機電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產(chǎn)品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍以上，可大幅提升資料傳輸量，作為次世代服務(wù)器DRAM解決方案。

　　報導(dǎo)引用市調(diào)機構(gòu)IHS資料指出，2015年DDR4市占率將較2014年成長5倍以上，達10.3%，至2016年將以25.8%超越DDR3的23.3%。

　　三星于2013年8月投入信息中心資料庫(Enterprise Server)專用高速20納米級DDR4模組量產(chǎn)作業(yè)，10月也成功領(lǐng)先全球量產(chǎn)20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM。三星計劃通過最快2014年底完工的華城17產(chǎn)線供應(yīng)DRAM，以12寸晶圓計算，每月可生產(chǎn)4萬~6萬片。

　　三星2014年第3季的DRAM市占率季增18.4個百分點，達41.7%，營收50.19億美元，在DRAM領(lǐng)域位居全球第一。

　　三星2015年將量產(chǎn)以3-bit V-NAND為基礎(chǔ)的SSD，最快2015年第1季將通過大陸西安半導(dǎo)體廠開始供應(yīng)SSD。3-bit V NAND是采用TLC技術(shù)的高性能NAND Flash，將傳統(tǒng)呈現(xiàn)平面的半導(dǎo)體Cell傳質(zhì)堆迭，擴大可儲存的信息容量。1個Cell可儲存的信息量較SLC多8倍，同時達到成本縮減30%以上的效果。

　　近來在半導(dǎo)體市場上，SSD價格持續(xù)滑落，三星計劃以具性能和價格競爭力的TLC SSD創(chuàng)造獲利。IHS資料指出，256GB SSD平均銷售價格(ASP)在2014年第3季為124美元，較2013年同期的171美元下滑27.5%。

　　三星內(nèi)部人員表示，三星2015年將推出搭載3-bit V-NAND的服務(wù)器用SSD及一般消費等級SSD系列產(chǎn)品，無論在價格競爭力和性能方面，都較競爭對手更具優(yōu)勢。