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          ABI Research:2019年微波射頻市場(chǎng)規(guī)模超3億

          作者: 時(shí)間:2014-12-19 來源:199it 收藏

            市場(chǎng)研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場(chǎng)的研究。研究顯示,隨著4~18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應(yīng)用,在功率半導(dǎo)體器件方面的開銷將持續(xù)增長(zhǎng)。ABI Research預(yù)計(jì),半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望在2019年之前超過3億美元。點(diǎn)到點(diǎn)通信、衛(wèi)星通信、各種雷達(dá)和新型工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用都將從這些大功率的應(yīng)用中獲益。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/267065.htm

            “當(dāng)砷化鎵(GaAs)器件目前成為功率領(lǐng)域的主流的時(shí)候,將促進(jìn)增長(zhǎng)?!盇BI研究公司市場(chǎng)調(diào)研總監(jiān)Lance Wilson表示,“能在更高電壓和功率下工作,而這是GaAs器件所難以實(shí)現(xiàn)的。”

            除了上述領(lǐng)域的應(yīng)用之外,微波GaN器件終于達(dá)到了能對(duì)行波管構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)的性能水平,這將使歷史上使用后者的領(lǐng)域能夠進(jìn)行新的設(shè)計(jì)。

            “微波射頻功率半導(dǎo)體”是指輸出功率超過3瓦、工作頻率在4~18GHz的微波射頻功率半導(dǎo)體器件。該研究是ABI Research不斷跟蹤射頻功率工業(yè)領(lǐng)域主要變化的成果。

            該研究涉及對(duì)六個(gè)主要領(lǐng)域(C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件)以及28個(gè)應(yīng)用子領(lǐng)域的分析。



          關(guān)鍵詞: 微波射頻 GaN器件

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